Bewerter-Verstärker Dram

[Sandra (Gast)]

Guten Tag,

Ich weiß zwar nicht ob ich hier richtig bin, wäre aber sehr froh, wenn 
man mir helfen würde.

Es geht um einen Speicher mit 1-Transistor-Zelle. Die Probleme sind mir 
soweit bekannt. Nach jedem Lesen geht die Speicherladung verloren und 
muss erneut geschrieben werden.

Eine 0 als Information auf der Bitleitung bei geschlossenem Schalter 
(des Transistors) bedeutet ein Potential von 0. Wenn in der 
Speicherzelle eine 0 ist, ändert sich die Spannung der Bitleitung nicht. 
Wenn hingegen eine Spannung vorhanden ist, dann kommt es zu einer 
Ladungsverteilung auf die Kapazitäten des Speichers und der Bitleitung, 
dabei geht das Potential der Bitleitung hoch.
Sprich wir haben ein Spannungshub auf der Bitleitung.

Meine Frage:

Wie kann man diesen Hub ermitteln? Und wieso ist dieser Hub so wichtig?

VG
Sandra

[Helmut S. (helmuts)]

U1*C1 = U*C

U1, C1 Speicherzelle

C ist die Gesamtkapazität C1 plus Bitleitung+alle Schalter(Mosfets) die 
da angeschlossen sind

U = U1*C1/C

U1=1V, C1=0.1pF, C=9.9pF alle Werte erfunden

[Sandra (Gast)]

Danke sehr!

Meine eigentliche Frage ist warum man zwischen Speicherzellen den RS 
Flipflop einbaut? Das baut ja glaube ich auf den Spannungshub auf, aber 
ich sehe da keinen Zusammenhang.

[Achim S. (Gast)]

Am Ausgang des DRAM braucht man saubere Logikpegel. Aus der 
Speicherzelle kommen die nicht raus. Deswegen braucht man einen 
Verstärker, der aus dem schwachen Signal der Speicherstelle ein 
kräftiges Logiksignal macht. Dazu dient der Sense-Amp (den du 
wahrscheinlich mit RS Flipflop meinst).

Der Spannungshub von der Zelle ist das "Eingangssignal" für diesen 
Verstärker. Der bringt den Hub auf einen höheren, stabilen Wert, so dass 
einerseits kräftige Signale aus dem Zellenfeld zum DRAM-Interface 
getrieben werden können. Andererseits wird dadurch die Bitleitung auch 
auf einen kräftigen Pegel gezogen, so dass wieder das volle Signal in 
die Zelle zurückgeschrieben wird.

[Sandra (Gast)]

Dankeschön genau das fehlte mir.