Kaskadierte GaN-Si FETs -> Was ist/soll das?

[Simulant (Gast)]

Hallo Leute,

ich finde GaN FETs recht interessant (ohne konkrete Verwendung dafür zu 
haben!) und habe mal die paar Hersteller angesehen und habe dabei etwas 
gefunden, das ich mir nicht herleiten kann.

Es gibt zum einen die eGaN FETs (enhancement mode Gallium Nitride von 
"EPC") die sehen aus, wie eben FETs aussehen.

Und dann gibt es eben die kaskadierten, bei denen ein Si-FET in Reihe 
hängt (z.B. von "GaN Systems" oder "Transphorm").

Besonders bei den letzteren kann ich mir nicht so ganz erklären, was 
diese Anordnung soll, denn so habe ich ja u.A. 2x den RDson (auch wenn 
der bei GaN potentiell kleiner ist als bei Si).

Das einzige, was ich mir vorstellen könnte (mit meinem kleinem Wissen) 
ist, das man so die Spannungsfestigkeit eben um zwei separate FETs 
erhöht...


Vielen Dank für eure Erklärung!

[Lurchi (Gast)]

So weit ich es verstanden habe kann man die GaN fets besser als 
Selbstleitende Typen herstellen. Dies passt aber nicht so gut zu der 
Üblichen Ansteuerung und der FET ist halt erst einmal an. Mit den extra 
SI MOSFET hat man dann die sozusagen die selbstsperrende Ausführung auf 
Umwegen. Der Si FET sieht nur eine kleine Spannung (z.B. 20 V) und ist 
entsprechend weniger kritisch. Der extra R_on fällt kaum ins Gewicht und 
in Grenzen wirkt er wie eine (Gate-) Treiber für den GaN FET.

[(prx) A. K. (prx)]

http://www.elektroniknet.de/power/power-management/artikel/108717/