hallo ich habe eine ir-diode (850nm) an einem pull up von 300 ohm an 3volt. ebenso einen ir transistor (850nm ohne basis) an einem pull up von 1M an 3volt neben dran. nun möchte ich die intensitär der ir reflexion (der finger vor dem transistor und der diode) messen am collector. die änderung ist aber nur zwischen 0.12 (finger weit weg) und 0.16 volt (finger ganz nah). gibt es ev eine bessere schaltung ume einen grösseren bereich zu erhalten? vielen dank
Hallo, du musst die IR-Diode pulsen so kann man ihr viel mehr Strom zumuten als normal. Schau dir mal das Datenblatt einer LD274 an dort siehst du das man dieser Diode gepulst das vielfache des normalen Dauerstromes zumuten kann. Man muss die erforderliche Ein/Aus-Dauer beachten.
Decke mal den Transistor ganz ab, die Spannung müsste dann auf 3 V hochgehen, wenn nicht, 1MOhm verkleinern. Durch die Sendediode fließt auch nicht gerade viel Strom: I = (U-Ud) / R = (3-1,5) / 300 = 5mA Diesen Widerstand ebenfalls verkleinern. Nebenbei: von Sharp gibt es ganz tolle Distanzmesser (C*nrad hat sie).
Wenn nich hänge doch an das 0.16V signal nen OP-Amp dran dann ist der abstand zwischen 0,12V und 0.16V sehr sehr groß
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