Step Down mit µP: 2 getrennte Betriebsspannungen?

[Ibram G. (ibram)]

Hallo,

Ich musste die Tage eine einstellbare Spannung bereitstellen, mit ein 
wenig Service dazu.
Mit etwas Nachdenken kann man die Schaltfrequenzen für einen StepDown 
vermutlich mit einem einzigen Transistor erzeugen. An diesem Einen aber 
eine detaillierte Steuerkennlinie für z.B. Beleuchtung oder 
Lüfterdrehzahlen ... das wird schon schwer.

Deshalb ein Mikroprozessor. Der ermittelt an Hand der Sensoren, wie viel 
Power notwendig ist und stellt die PWM für den StepDown bereit.

Da ich schon immer was selbst bauen wollte -ich brauch Training, wie man 
gleich sieht-, kramte ich einen Mosfet und eine Induktivität eines 
dahingegangenen Induktionsherdes aus der Bastelkiste.

Funktioniert super, keine Klagen. Der Plan ist so weit aufgegangen.
Nur: Noch brauche 2 getrennte Betriebsspannungen.
Ich will die 5 V für den µP einfach mittels 7805 aus der 
Eingangsspannung gewinnen, doch das geht nicht gut:
Die gemeinsame Masse ruiniert diesen Plan.
Ich denke, weil die PWM Steuerimpulse des µP nicht gegen Gate-Source, 
sondern gegen Gate (Source+RL) wirken würden.

Wie werde ich die Notwendigkeit der getrennten Betriebsspannung los?

Danke!
Tarik

[THOR (Gast)]

Hast du die Diode im Schaltplan vergessen oder ist da tatsächlich keine?

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

Du verbindest den Kollektor eines normalen NPN Kleinleistungstransistors 
mit dem Gate, der Emitter kommt auf Masse. Ein Widerstand zwischen 
Source und Gate des P-Kanal sperrt im Normalfall den MOSFet, der nun ein 
P-Kanal sein sollte, aber nicht mehr unbedingt ein Logiklevel Typ.
Das Ansteuersignal vom MC kommt über Vorwiderstand an die Basis des NPN.
Anbei eine kleine Skizze.

[Ibram G. (ibram)]

Hallo,

Die Diode ist da, die hat nur 'jemand' beim Malen vergessen.
Damit das nicht so doof stehen bleibt, korrigiertes Bild angehängt.

@Matthias,
Danke. Werde ich umsetzen.
Da ich die Übung auch für meine Weiterbildung in Elektronik mache, gibt 
es noch andere Möglichkeiten?

Danke!
Tarik

[THOR (Gast)]

D1 muss an den Switch Node zwischen FET und Induktivität.

High-Side N-Channel MOSFET mit Bootstrap Schaltung wäre noch eine 
Alternative. Kann man selbst bauen oder nen Gatetreiber IC nehmen.

[Ibram G. (ibram)]

Hallo Thor,

Tja, da hilft alles nix:
Die Korrektur muss sein :-).
Offenbar lenken mich die Umständlichkeiten im CircuitMaker zu sehr ab 
:-( .

Danke!
Tarik