Hallo, Ich glaube irgendwo eine Schaltung mit einem Fet gesehen zu haben die als Verpollungschutz mit geringem Spannungsabfahl geschaltet ist... Kann es aber nicht mehr finden. :( Bitte helfen:) danke!
Hallo Dietrich, und eine Shotky-Diode UF=0,2 V ? Bernhard
Das war einfach das Gate (evtl. über einen Widerstand) an die Versorgungsspannung und den Fet in die Masse Leitung schleifen. Werner
Ich nehme Polyfuse + Diode nach Masse. Kostet im normalen Betrieb gar keinen Spannungsabfall. Und mit unidirektionalen TVS-Diode (ohne kommt man eigentlich heute gar nicht mehr aus) ist das nebenbei erledigt.
Schottky Diode: Je nach Strom fallen da auch 0.6 Volt und mehr ab.
hier eine antike Methode: 2 Relais mit je 2 Schließern: eines legt die Versorgung direkt an, das andere mit vertauschter Polarität Spule jeweils so mit einer Diode in Reihe, dass nur eines - nämlich das, das die Spannung richtigherum durchschaltet - anzieht. Dann ist es egal, wie herum die Versorgung angelegt wird - nur Wechselstrom geht nicht. Spannungsabfall nur durch die Kontakte = minimal.
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Darauf achten, dass die Spannungen am Eingang nicht zu groß werden. Die meisten Mosfets gehen ab 20 Volt kaputt. Als Abhilfe kann auch ein Spannungsteiler fürs Gate dienen (aber von der Eingangsseite speisen!).
DAs Problem mit der Mosfet-Variante ist, dass nahezu alle Mosfets eine Schutzdiode eingebaut haben. Damit funktioniert die Schaltung dann nicht mehr. Übrigens funktioniert so eine Schaltung auch mit Bipolaren Transistoren bei kleineren Eingangsspannungen. Z.B. PNP in die Plusleitung, Emitter an Spannungseingang, Collector an die Schaltung. Zwischen Emitter und Basis ein 50K Sperrwiderstand und gegen Masse von der Basis z.B. ein 50K Widerstand.
Zur Schutzdiode: Man kann ja eine Diode vors Gate schalten, da die GS-Spannung ja nicht so groß wie die eingangsspannung sein muss. Kennt jemand einen Mosfet, der bei höchstens 1,3Volt durchschaltet und bei csd-electronics erhältlich ist?
@Winfried: > DAs Problem mit der Mosfet-Variante ist, dass nahezu alle Mosfets > eine Schutzdiode eingebaut haben. ;-) Du bist lustig... a.) Alle Mosfets haben diese "Schutzdiode". Die ist nicht absichtlich in einem Mosfet drinn, sondern die entsteht von alleine, wenn so ein Mosfet hergestellt wird. Man kann keinen Mosfet ohne diese Diode herstellen. b.) Die parasitäre "Schutzdiode" ist nicht im Schaltplan eingezeichnet. Wozu auch, sie ist Bestandteil eines jeden Mosfets aber nicht des (genormten) Schaltzeichens. c.) Du willst mal nachschauen, wie genau diese parasitäre Diode in einem N-Kanal bzw. P-Kanal-Mosfet gepolt ist. > Damit funktioniert die Schaltung dann nicht mehr. Doch, genau wegen der parasitären Schutzdiode funktioniert die Schaltung. Ohne diese Diode würde sie nämlich gar nicht funktionieren. Die Schutzdiode verhindert nämlich die Verpolung. Der Trick an der Schaltung ist, dass der Mosfet sozudagen verkehrt herum geschaltet ist. 1.) Ein Mosfet leitet den Strom in beiden Richtungen, wenn er eingeschaltet ist. Also von Drain nach Source und auch von Source nach Drain. 2.) Wenn der Mosfet ausgeschaltet ist, leitet er den Strom in nur eine Richtung, über die Diode. Beim N-Kanal-Mosfet vom Source nach Drain und beim P-Kanal-Mosfet vom Drain nach Source. Also, keine Panik. Die Schaltung ist nur eine sehr intelligente Anwendung eines Mosfets. ;-)
Als Ergänzung noch: Du kannst Dir das so vorstellen: In der Variante a fließt der Strom von Ein+ über die Mosfet-Diode nach Aus+. Dann durch die Schaltung und von Aus- zurück nach Ein-. Wenn genügend Strom durch die Diode geflossen wird, liegt an Aus+ und Aus- eine genügend hohe Spannung an und der Mosfet überbrückt die Diode. Somit gibt es keinen Spannungsabfall mehr. In der Variante b fließt der Strom erst durch die Schaltung, und dann durch die Mosfet-Diode zurück. Aber auch hier wird die Diode vom Mosfet sofort kurzgeschlossen, wenn die Spannung zwischen Aus+ und Aus- ausreichend groß ist. Wenn die Schaltung verpolt angeschlossen wird, kann kein Strom durch die Mosfet-Diode fließen. Durch die angeschlossene Schaltung ist das Gate aber mit dem Source verbunden. Also herscht zwischen Gate und Source die Spannung 0 Volt. Der Mosfet schaltet nicht ein.
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So, ich habe Dir nun noch extra eine Simulation gemacht. Spannungsquelle ist eine Sinus, mit 10 Volt Amplitude und 50 Hz. Der Verbraucher ist eine Widerstand mit 5 Ohm, so dass der Spitzenstrom 2 Ampere beträgt. Wie Du siehst, fließt nur während der positiven Halbwelle der Strom durch den Widerstand. Wie Du weiter siehst, ist der Spannungsabfall über dem Mosfet nur am Anfang und Ende der positiven Halbwelle für eine kurze Zeit ca. 0,54 Volt. Das ist die Flußspannung der Mosfet-Diode während die Eingangspannung noch nicht groß genug ist damit der Mosfet leitet. Ab einer Eingangsspannung von ca. 1,3 Volt schaltet der Mosfet ausreichend durch und der Spannungsabfall über den Mosfet fällt auf ca. 15 Millivolt zusammen. Diese 15 Millivolt Spannungsabfall über den Mosfet sinken bei einer Eingansspannung von 2,4 Volt auf ein Minimum von ca. 6,5 Millivolt ab. Beim Spitzenstrom von 2 Ampere beträgt der Spannungsabfall wieder 15 Millivolt. Die durchschnittliche Verlustleistung des Mosfets in diesen Beispiel beträgt unter 10 Milliwatt... Sieht doch ziemlich gut aus, dafür dass das nicht funktionieren soll, oder? ;-) Übrigens, diesen Mosfet spendiere ich sehr erfolgreich allen Schaltungen, die ich mit 12 Volt Blei-Gel-Akkus betreibe. Damit brennt nix mehr ab, wenn jemand den Akku verkehrt herum anschließt.
Danke sehr! Die Spannungsversorgung ist konstant 5 volt. Der Strom 3 mA. Wird es trotzdem funktionieren?
@Unbekannter: Da warst du ja sehr fleißig :-) Ich hatte auf die Schnelle übersehen, dass Source vom Mosfet am Ausgang und nicht am Eingang verschaltet ist. Eine eingezeichnete Diode hätte es auch verständlicher gemacht. Ansonsten: Interessante Schaltung. Wegen Bestellung Mosfet bei CSD: Schau doch mal in die neue Mosfetliste: http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%DCbersicht
naja das min MOSFET Funktioniert problemlos, Texas hat mal ne Schaltung entwickelt wo 2 MOSFETs 1xP, 1xN Seriell geschalten sind, und die so durchschalten wenn die Polarität richtig anliegt, muss durch ein RC glied geschützt werden ( Parasitäter Thyristor ... )
Im Anhang ist ein PDF-Dokument wie man einen Verpolungsschutz aufbauen kann, auch mit MOSFETs und dazu gibts noch einen Schaltlan und für eine MOSFET-Schaltung gibt noch ein Messergebnis. gruß matthias
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Hallo, ich möchte dieses ältere Thema noch einmal aufgreifen. Der Verpolschutz mittels einem MOSFET ist für mich eine relativ elegante Variante. Jedoch habe ich dazu noch ein paar Fragen. Vielleicht kann sie mir ja jemand von euch beantworten. Ich habe beide Varianten, die hier mittels MOSFET vorgestellt wurden mal im LTSpice simuliert. Die Variante mittels einem p-Kanal FET hat genau das gewünschte Verhalten gezeigt. Jedoch bei der Lösung mit dem n-Kanal FET sieht es schon ein wenig anders aus. Bei negativen Spannungen, bei DC wäre dies im Verpolungsfall, kommt dennoch eine geringe Spannung durch, in meinem Beispiel wären dies sogra knapp 1V. Habe ich jetzt einen Denkfehler oder woran mag dies liegen? Würde mich über eine hilfreiche Antwort sehr freuen. Speziell benötige ich einen Verpolungsschutz für Spannungen bis zu 75V, wäre dies damit auch realisierbar? Vielen Dank im Voraus, mfg Jörchi
Du musst auch in der Simulation die Spannung über dem Widerstand messen, da im oberen Bild die 0-Referenz nicht am Widerstand liegt!
@Jörg Oehler: Die Schaltung geht auch für höhere Spannung, das Problem ist aber, wie bereits oben erwähnt, dass die meisten MOSFETs nicht über 20V zwischen Gate und Source vertragen. Spannungsteiler vorsehen finde ich nicht so gut, besser eine 15V Z-Diode (beim N-MOSFET mit Kathode am Gate und Anode am Source), und Widerstand zwischen zwischen Gate und Versorgung.
Hallo Jörg, wenn du bei dem NMOS S und D vertauscht, geht der auch. Du musst die FET so verschalten, dass die Inversdiode den Verpolungsschutz darstellt. Durch den dann fliessenden Strom wird die Spannung an der Schaltung so hoch, dass der FET aufgesteuert wird. Übrigens: beim N-FET hast du die Spannung am FET gemessen, beim P-FET an der Last. Arno
...die beschriebenen Schaltungen mit MOSFET haben übrigens alle einen Nachteil: Wenn in der verbraucherseitigen Schaltung ein "dicker" Elko ist und die Eingangsspannung einbricht oder gar kurzgeschlossen wird, bleibt der FET solange leitend, bis die Elkospannung auf die Eingangsspannung gesunken ist. War also nichts mit der Pufferung bei kurzen Einbrüchen. In Schaltungen, wo ich den geringen Spannungsabfall brauchte (also keine Diode nehmen konnte) habe ich dann den LTC4412 "ideal diode controller" zur Ansteuerung eines P-Kanal MOSFETs genommen.
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Hallo, vielen Dank erst einmal, für die schnellen und hilfreichen Antworten. Haben mir echt weiter geholfen. Ich habe mal aus euren Aussagen alles wichtige herausgefiltert, was ich bei meiner Variante falsch gemacht habe oder schlicht nicht beachtet/eingesetzt habe. Herausgekommen ist die Schaltung in der Simulation, die nun auch ziemlich gut funktioniert. Meiner Meinung nach. Den Widerstand R2 habe ich nach folgender Bedingung berechnet. Da die meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen, habe ich die 65V als Spannung angenommen, die über dem Widerstand abfallen sollen (80V - 15V von der Z-Diode), ergibt bei einem Strom von 0,1A einen Widerstand von ca. 650 Ohm. Laut dem Diagramm schaut das Verpolschutzverhalten so aus, wie ich es auch gewünscht habe. Und der Strom im Widerstand R2 sind auch knappe 100mA. So, im Prinzip funktioniert das doch so, oder gibt es noch etwas zu beachten? mfg Jörg
> "Da die meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen"
Seit wann fließt bei MosFETs ein Strom durch's Gate? Der Strom fließt in
deiner Schaltung über die Diode ab. Bei 80 Volt macht das über 6 Watt
Leistungsabfall am Widerstand und etwa 1,5 Watt an der Diode. Deutlich
besser funktioniert das mit 47 kOhm und etwa 90mW am Widerstand.
Ok, habe nochmal genau geschaut. Ich muss mir den den groben Fehler eingestehen, dass ich mich verkuckt habe. Stimmt natürlich, dass der FET keinen Strom am Gate zieht. Dann werde ich den Verpolungschutz mit einem wesentlich größeren Widerstand versehen, um die 50k. Dann kann ich den Verpolungsschutz ja so verwenden, und kann mir sicher sein, dass er auch funktioniert. Ich bedanke mich für eure Hilfe, echt super. mfg Jörg
Apropo Widerstand. Ist der Wert von 47k einer fundierten Berechnung zurückzuführen oder ist das aus langjährigen Erfahrungen entstanden?
Jörg Oehler wrote: > Den Widerstand R2 habe ich nach folgender Bedingung berechnet. Da die > meisten n-FETS einen Gate-Source Strom von ca. 100mA benötigen, habe ich > die 65V als Spannung angenommen, die über dem Widerstand abfallen sollen > (80V - 15V von der Z-Diode), ergibt bei einem Strom von 0,1A einen > Widerstand von ca. 650 Ohm. Ich bin GESCHOCKT! ;) 47k ist ok, 10k auch, selbst 100k... ist relativ unkritisch. Es sollte nur soviel Strom fließen, dass die Z-Diode öffnet (bei einer 15V reichen da schon 0,1mA!), andererseits die Verlustleistung im Widerstand nicht zu hoch ist. Das Gate selber ist leistungslos, den Leckstrom kann man hier getrost vernachlässigen.
Am einfachsten ist ein LiIon-Akku. Eine Zelle z.B. 4,2-2,9 V. Die Üverwachung per ADC ist aber wichtig. Auch beim Laden entsteht keine Überspannung (Zelle kann eingebaut bleiben und Verpolung ist so nicht möglich). Die Akku-Zellen gibts ab 1 Euro bei eBay
Problematisch wird die Schaltung mit dem MosFET, wenn da eine größere Kapazität am Ausgang hängt. Diese wird dann nämlich bei jeder Halbwelle wieder entladen, weil die Gate-Source-Spannung gleich der Ausgangsspannung ist. Somit leitet der MosFET, bis die Ausgangsspannung unter einen bestimmten Wert gefallen ist. Wenn man eine Ansteuerung für den MosFET baut, kann man das verhindern. Das gibt's allerdings auch als integrierte Schaltung, z.B. LTC4358 (http://www.linear.com/pc/productDetail.jsp?navId=H0,C1,C1003,C1142,C1079,P85544) Gruß
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Habe die Beiträge mit Interesse gelesen. Dazu folgender Link: http://www.geofex.com/Article_Folders/mosswitch/mosswitch.htm Schaltung habe ich aufgebaut und hat mit R=680k und IRF9530 (P-Kanal) funktioniert. Ub=24V. Nun die Frage: Im Verpol-Fall wird ja dann der Minus-Zweig unterbrochen - und Plus liegt an den Masse-Teilen. Hat das Nachteile in Bezug auf nachfolgende Bauteile, d.h. ist es besser bei Verpolschutz den GND abzuschalten? Die Schaltung speist OPVs im Single-Supply-Mode und DC/DC Wandler 24/5V. Danke!
Sorri der MOSFET ist falsch rum gezeichnet - D-G-S ist richtig. Aber gelötet wars richtig rum :-)
toni: Wenn man das Gerät standalone betreibt gibt es keine Probleme. Wenn man aber noch ein anderes Gerät z.B. per RS232 mit dem Gerät verbindet, dann muss man dazu ja beide GNDs miteinander verbinden. Wenn man dann ein Gerät verpolt, hat man einen Kurzschluss zwischen 12V und GND! Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für sinnvoller. Du musst übrigens die Gatespannung auf < 20V begrenzen. Gruß
@Was ist ein Spannungsabfahl? Ist wahrscheinlich nur falsch geschrieben: Da fehlt ein 'p'. Muss so eine Art Tiefenerder sein (wichtiges Element bei Blitzschutz)... ;D
> Schaltung habe ich aufgebaut und hat mit R=680k und IRF9530 (P-Kanal) > funktioniert. Ub=24V. Ja, schon, aber wie lange? Aus dem DB:
1 | Absolute Maximum Ratings: |
2 | Gate to Source Voltage . . . VGS ±20 V |
Da fährst du schon über dem Limit :-o Und wenn der Mosfet durchgeht, hilft es dir auch nichts, dass dein Widerstand (680k) den Strom schön klein hält.
>Wenn man aber noch ein anderes Gerät z.B. per RS232 mit dem Gerät >verbindet, dann muss man dazu ja beide GNDs miteinander verbinden. Wenn >man dann ein Gerät verpolt, hat man einen Kurzschluss zwischen 12V und >GND! >Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für >sinnvoller. In diesem Falle ist es völlig wurscht ob man die 12V-Leitung unterbricht oder GND. Nimmt man statt eines P-Kanals einen N-Kanal dann tritt der Kurzschluss halt net in der GND-Leitung sondern im 12V-Strang auf. Kurzschluss ist es dann aber immer noch, dagegen hilft nur die Kombination aus N- und P-Kanal-Schaltung.
@toni (Gast) Die LED wird sich für 24V Sperrspannung "bedanken" Da muss noch einen 4148 antiparallel dazu, die begrenzt die Sperrspannugn auf schlappe 0,7V. Und ne Z-Diode mit 12..20V zwischen Gate und Source. MFG Falk
>Deswegen halte ich die Variante mit N-MosFET in der GND-Leitung für >sinnvoller. In der GND-Leitung hat ausser Kupfer gar nichts was zu suchen. Sonst bekommst du zum Schluss hast du durch die ganzen Halbleiter in der GND-Schiene jede Menge unterschiedlicher GNDs (wg. Potentialverschiebungen).
Naja, Lothar, wenns hier nur drum geht einen Verpolungsschutz zu realisieren kann man schonmal einen FET in den "GND" der Versorgungsleitung packen, hinter dem FET ist dann der GND für die Schaltung und da, da stimm ich dir zu, hat kein Bauteil was verloren.
Danke für die Antworten. Soweit klar. @Lothar Miller - sehe ich auch so daher habe ich die Plus-Leitung unterbrochen. Eine Kombination aus P- und N-Kanal kann ich mir auch deswegen nicht vorstellen. Zum 2-poligen Abschalten bleibt wohl nur das gute alte gepolte Relais übrig... Und das mit dem Kurzschluss ist sicher richtig - egal wo - kurz bleibt kurz. Aber an den Reaktionen sehe ich: das Ideal - Spannungsverlustlos, Leistungslos, Ultraschnell UND 2-polig ist noch nicht gefunden worden, oder? (bitte nicht zu Ernst nehmen - bin mit dem MOSFET zufrieden!) MfG Toni
Wie sähe es mit analog-Switchen aus? Per Brückengleichrichter den Switch versorgen und mittels Dioden jeweils 2 Switche ansteuern, welche dann 'den Rest' versorgen. Wobei ich mich frage, in wie fern ein Verpolschutz ultraschnell sein muß ... hätte ja sein können, daß die Schaltung eh erst eine Sekunde später angestöpselt wird - so hast Du schon eine Sekunde Zeit für den Verpolschutz ;)
Bzgl. LED ansteuern: Mit der Diode fließt aber immer zusätzlich Strom, den ich eigentlich nicht will. Soll für portable Geräte sein. D.h die LED soll noch vor den Einschalter. Würde von http://www.ferromel.de/tronic_16.htm die Schaltung 2b) bevorzugen, fürchte aber der FET sperrt bei Verpolung nicht so dass trotzdem 24V Sperrspannung anliegen? Würde das mit Schaltung 2a) auch so sein? Suche also eine Simple Möglichkeit, die LED im Verpolfall leuchten zu lassen und im Normalfall keinen Strom zu verbrauchen, Ub=24V.
Hallo Zusammen, ich muss den Beitrag nochmal aufleben lassen. Ich bin noch ziemlich grün hinter den Ohren in Sachen Elektronik. Ich habe ein Problem mit einem Verpolungsschutz zu lösen. Als Verpolungsschutzdiode ist damals eine BAS40-05 eingesetzt worden. Eingangsspannung etwa 28V, Stromaufnahme etwa 10mA. Die Diode hat einen negativen Temperaturkoeffizient. Der allgemeine Spannungsabfall ist egal, er sollte nur konstant über die Temperatur bleiben. Kann mir jemand sagen wie sich solch eine Mosfet Schaltung über die Temperatur verhält? Ich will keine Lösung, nur einen Hinweis ob es sich lohnt, hier Energie rein zu investieren. Würd mich über ne Antwort freuen. Gruß D.
Wenn du einen einen Mosfet mit einem RDSon von bspw. 1Ω nimmst, ist der Spannungsabfall bei 10mA nur 10mV. Der RDSon driftet natürlich mit der Temperatur und steigt bei 150°C vielleicht um 50% auf 1,5Ω. Der Span- nungsabfall steigt damit ebenfalls, nämlich auf etwa 15mV. Sind die 5mV Unterschied im Spannungsabfall zuviel? Es gibt auch Mosfets mit 100mΩ, 10mΩ und noch weniger RDSon. Wegen der 28V musst du das Gate des Mosfets über einen Spannungsteiler ansteuern, da die Gate-Source-Spannung bei den meisten Mosfets maximal 20V sein darf. Sonst sehe ich für dein Vorhaben keine Probleme.
Hallo Dietrich, du mußt dein Problem schon erheblich besser schildern, wenn du eine brauchbare Antwort erhalten möchtest: Was mußt du schützen, wogegen, bis zu welcher Grenze, warum keine Temperaturabhängigkeit erlaubt, und und und. Kai Klaas
Hallo Yalu, >Wenn du einen einen Mosfet mit einem RDSon von bspw. 1Ω nimmst, ist der >Spannungsabfall bei 10mA nur 10mV. Dietrich hat sich bis jetzt gegen eine solche FET-Lösung entschieden und stattdessen lieber eine Diode verwendet. Jetzt soll er erst mal genau erklären was er vorhat, sonst raten wir wieder nur herum. Kai Klaas
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Hallo, hab in der Zwischenzeit auch ein Datenblatt mit einer passenden Kennlinie eines Mosfets gefunden. Deine 1,5 Ohm passen ganz genau :-) Also: Es ist für mich etwas schwierig, da ich euch nicht die ganze Schaltung erklären kann. Die Schaltung dient u.a. zum Kalibrieren eines uC und später vergleicht der uC die Eingangsspannung mit seinem kalibrierten Wert. Der damalige Entwickler hat aber nicht bedacht, dass es zwischen Kalibrieren und späterem vergleichen einen Temperaturunterschied geben kann. Die Z Diode habe ich bereits rausgeschmissen und den Spannungsteiler mit genauen Widerständen angepasst. Ebenfalls habe ich versucht eine Z-Diode einzusetzen, die den umgekehrten Temp.-Koeff von der BAS40 hat. Wurde zwar viel besser, aber nicht genau genug. Ich will jetzt in dem uC Zweig nur noch den Spannungsteiler lassen und suche jetzt einen Temperaturstabilen Verpolungsschutz. Die Spannung UB wird ausserdem noch hinter der BAS40 in eine OPAMPstufe gegeben und wird dort weiter verrechnet. Hoffe das reicht an Infos. Gruß D.
@ D. (Gast) >Ich will jetzt in dem uC Zweig nur noch den Spannungsteiler lassen und >suche jetzt einen Temperaturstabilen Verpolungsschutz. Klemm eine DICKE Diode in Sperrichung an den Eingang. Bei Verpolung begrent die auf -0,7V am Eingang. MFG Falk
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Hallo Also ich habe die Schaltung von "unbekannter" mal mit einem P-Kanal-Mosfet ((Uein = 24 V, 10 Hz) simuliert. Mosfet IRF93530 und einer Zenerdiode zwischen Gate und Source mit 680K-Widerstand auf Ground simuliert. Als Ausgangssignal erhalte ich für die ersten 5 Sinuswellen jeweils eine abgeschnittene Halbwelle. So sollte es meiner Ansicht nach auch aussehen. Nach der sechsten Halbwelle stellt sich dann aber wieder ein Sinusähnliches Signal ein bei dem UMin = -5 V beträgt. Gibt es hierzu vielleicht eine Erklärung? :)
Falk Brunner schrieb: > Klemm eine DICKE Diode in Sperrichung an den Eingang. Bei Verpolung > begrent die auf -0,7V am Eingang. Natürlich noch eine Sicherung davor. Wenn du eine Transil-Diode nimmst, dann begrenzt du damit zugleich auch noch die maximale positive Eingangsspannung.
Geri schrieb: > Also ich habe die Schaltung von "unbekannter" mal mit einem > P-Kanal-Mosfet ((Uein = 24 V, 10 Hz) simuliert. > ... > Gibt es hierzu vielleicht eine Erklärung? :) Wenn das Einsetzen der negativen Ausgangsspannung nicht so spät oder nicht so abrupt geschehen würde, hätte ich auf einen fehlenden oder viel zu großen Lastwiderstand getippt. So sieht es aber eher aus, als ob in der Simulation irgendwelche unbekannten Dinge im Hintergrund werkeln. Du kannst ja mal deine Simulationsdatei posten, vielleicht kann damit jemand das seltsame Verhalten erklären.
In welchem Datenformat soll ich die Simulation bitte posten? Ich habe hier eine Academic Version von Multisim. Eine Simulation ist s.w. auch nur so gut wie der Mann/die Frau davor sitzt:)
Geri schrieb:
> In welchem Datenformat soll ich die Simulation bitte posten?
Ich selber verwende LTSpice und Ngspice, weil's nix kost :)
Falls Multisim LTSpice exportieren kann, wäre das optimal. Wenn nicht:
jedes Spice-Derivat sollte das klassische Spice-Format lesen können.
Für potentielle Multisim-Benutzer kannst du ja auch noch die Multisim-
Datei mit dazulegen, so groß sind die Dateien ja wahrscheinlich nicht.
Hallo Yalu Vielen Dank für die Infos. Exportfunktion habe ich keine gefunden. Ich lade mir mal LTspice herunter, probiere und melde mich dann nochmals. Vielen Dank Geri
@Yalu Habe mir LTSpice installiert. Die Bedienung ist etwas gewöhnungsbedürftig Die Simulation hat dafür auf Anhieb geklappt. Danke nochmals für den Tipp. Beste Grüsse Geri
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