Hallo liebe Elektronikfreunde, zur Zeit lese ich mir ein Leistungselektronikskript durch, da ich irgendwann einmal in der Zukunft ein kleines Schaltnetzteil mit 30 V und maximal 2 A bauen möchte. Dabei taucht aber eine kleine Frage zur Berechnung der Durchgangsverlustleistung eines IGBT auf. In dem Skript habe ich folgende Formel gefunden, die auch für Dioden gilt: Pd = U0 * Imittel + (Irms)^2 * rdson Dort wird über eine Ersatzgerade und über den differentiellen Widerstand gerechnet. Was ich nicht ganz verstehe ist, wieso man einmal mit dem Mittelwert des Stromes bei dem Schnittpunkt der Ersatzgerade mit der Spannungsachse rechnet und einmal mit dem Effektivwert beim differentiellen Widerstand. Der IGBT wird ja von einem Strom mit dem Effektivwert durchflossen. Viele Grüße Tom
Hallo, der Zusammenhang ist über die Momentanverlustleistung gegeben:
wobei für die Knickkennliniennäherung gilt:
wobei UT die Schwellspannung und rD der differentielle Widerstand ist. Intgriert man um die Verlustleistung zu erhalten:
dann folgt:
Gruß DCDC
@ Tom (Gast) >zur Zeit lese ich mir ein Leistungselektronikskript durch, da ich >irgendwann einmal in der Zukunft ein kleines Schaltnetzteil mit 30 V und >maximal 2 A bauen möchte. >Dabei taucht aber eine kleine Frage zur Berechnung der >Durchgangsverlustleistung eines IGBT auf. 30V/2A baut man mit MOSFETs, nicht mit IGBTs. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F >In dem Skript habe ich folgende Formel gefunden, die auch für Dioden >gilt: >Pd = U0 * Imittel + (Irms)^2 * rdson Kaum, denn Dioden haben keinen rdson, bestenfalls einen differentiellen Widerstand rd >Was ich nicht ganz verstehe ist, wieso man einmal mit dem Mittelwert des >Stromes bei dem Schnittpunkt der Ersatzgerade mit der Spannungsachse >rechnet und einmal mit dem Effektivwert beim differentiellen Widerstand. Weil die Vereinfachung davon ausgeht, daß eine ideale Diode mit konstanter Flußspannung und ein idealer Widerstand in Reihe liegen und die Kennlinie immer oberhalb von Ut ausgesteuert wird.
Hallo, vielen Dank für die Antworten. Das Schaltnetzteil wird natürlich mit MOSFETs von mir irgendwann mal gebaut werden, aber Theorie, auch über andere Halbleiter, schadet finde ich nicht :)
Eine kleine Frage habe ich glaube ich doch noch: Ich glaube, ich scheitere an der Berechnung des tatsächlichen Stromes, aufgrund der PWM, bin mir aber nicht sicher. Wenn man einen dreiphasigen Zweistufen-Wechselrichter hat mit den Angaben: Welche Verlustleistung entsteht in dem Wechselrichter bei einem Betrieb mit: UDC = 400V, f = 10kHz, IRMS = 300A, cos φ = 0,8, M = 0,9 ? M: Modulationsgrad Transistor: UCE0 = 1,5V, rCE = 5mΩ Eon = 7mW s, Eoff = 5mW s bei I = 300A, UDC = 300V Diode: UF0 = 2 V, rF = 5mΩ Dafür habe ich folgende Formeln, mein Fehler liegt denke ich in der Berechnung des tatsächlichen Spitzenstroms. Eigentlich ist der Ausgang ja quasi Sinusförmig, also sollte der Spitzenwert Ispitze ja IRMS * Wurzel(2) sein.
Laut meinen Berechnungen erhalte ich: ITrms = Ispitze * 0,44876 ITavg = Ispitze * 0,24915 IDrms = Ispitze * 0,22046 IDavg = Ispitze * 0,06915 Wenn ich jetzt aber Ispitze mit 424A (300 * Wurzel(2) ) annehme, kommen immer falsche Dinge raus. Zudem habe ich ja insgesamt 6 Transistoren, die über ein PWM Signal angesteuert werden, wahrscheinlich liegt dort mein Fehler ? Ergebnisse sind angeblich folgende: ( PdTr = 340W, PdD = 146W, Ps = 72W, P ges = 3348W ) Viele Grüße und vielen Dank für eure Hilfe Tom
Offenbar war ich nur zu blöd zum Rechnen, die Ergebnisse stimmen.
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