Hallo, ich habe bezüglich des Flash Speichers, wie er in vielen Mikrocontroller als Programm und Datenspeicher vorkommt einige Fragen, die sich bisher nicht durch Literatur klären konnten. Laut meiner Recherche existiert zum Löschen und Schreiben das Hot Electron Injection Verfahren. Alternativ zum Löschen das Fowler-Nordheim Tunneling. Beide Verfahren benötigen eine relative hohe Spannung. Wobei relativ natürlich "relativ" ist. Meine Beschreibung weist hier 12 V aus. Weis jemand, wie das jetzt bei den µC wie z.B den STM32FXXX oder AtmegaXX umgesetzt wird ? Im allgemeinen besitzen diese µC ja nur 3,3 bzw. 5 V. Grüße Peter
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.