MOSFET Treiber mit Shunt, wo Sourceleitung am Besten?

[Thomas W. (Gast)]

Hallo,

ich habe das Problem, dass ich 2 getrennte Mosfet-Treiber gerne mit 
einer einzelnen Spannungsversorgung betreiben würde (R12P21503D). Zudem 
messe ich die Ströme über Shunts. Die beiden MOSFETs mit den Shunts 
beziehen sich auf das selbe Potential.

Das bedeutet aber, sofern ich mich nicht täusche, dass ich theoretisch 
den Source-Anschluss vom Treiber hinter dem Shunt platzieren muss, weil 
sich sonst die Gate-Source-Ströme überlagen würden?
Zudem würden sich auch die Wege aufgrund des Source-Widerstandes 
verlängern, was ja auch kontraproduktiv ist.

Ich hab mal im Bild angehängt, was ich prinzipiell meine.
Die Bauteile sind nicht die, die ich im echten Leben verwenden möchte, 
ich wollte Silabs Si8271 nutzen.


Sollte ich doch besser 2 Spannungsversorgungen verbauen oder hätte ich 
eine Chance mit einer einzelnen, vielleicht mit einem anderen 
Anschlussverfahren.
Oder übersehe ich etwas?

Grüße
Thomas

[Der Zahn der Zeit (Gast)]

Ich kann es nicht lassen: Das ist kein Problem, das ist eine 
Aufgabenstellung. Ein Problem wäre es, wenn es nicht klappt, und die 
Mafia dir dafür einen Schuh für zwei Füße aus Beton verpasst und dich 
damit schwimmen schickt.

So, nun aber zu Frage: Die Treiber-Sourcen an die Masse anzuschließen, 
ist problemlos möglich (oh-oh...). Das sind ja nur ganz kleine 
Spannungen, die da abfallen, und um die die Gate-Spannung reduziert 
wird.

DZDZ

[foobar (Gast)]

So ganz versteh ich dein "Problem" nicht.

Warum nimmst du einen High-Side-Treiber für einen Low-Side-MOSFET?  Mit 
den vorhanden 12V ist kein Boost nötig.
Was machen C10/11 und die -3V an TS?
Wo siehst du das Problem, TS direkt an Source zu hängen?
Der Si8271 sind isolierende Treiber - wozu?


PS: Als Boost-Kondensatoren nimmt man üblicherweise keine 
Durchführungskondensatoren ...

[Thomas W. (Gast)]

Hallo,

Ich hätte vielleicht erwähnen sollen, dass ich einen MOSFET mit 
getrennten Source-Anschluss und einen MOSFET ohne getrennten 
Source-Anschluss für das Gate nehmen wollte.

Beides sind die Hauptschalter von 2 getrennten Flybacks mit gleichem 
Massebezug.


Auf dem Bild sieht mans etwas besser, was ich vorhabe und wie ich mir 
das vorstelle.

Mir spuckt der isolierte Spannungsregler R12P21503D VDDL, VEEL und GNDL 
aus.
Bitte nicht von den +6 V verwirren lassen, bei mir sinds halt +15 V und 
ich hab keinen Linearregler.

Auf dem Bild ist das GNDL mit dem extra Source-Anschluss vom Mosfet 
verbunden.

Falls ich das jetzt richtig überblicke und nur einen DC/DC-Wandler 
verwende, dann hänge ich das GNDL im Prinzip ja auf 2 verschiedene 
Potentiale und ich müsste den Vorteil vom Kelvin-Source aufgeben?