Maximales Widerstandsrauschen am Bipolartransistor

[Moritz G. (mbydq2)]

Ich habe eine Simulation angelegt um zu sehen wie sich der 
Widerstandswert eines Widerstands an der Basis auf das Rauschen einer 
Emitterschaltung auswirkt.
Das Ergebnis ist nicht wie erwartet.
Das Ergebnis ist, dass das Rauschen am schlimmsten ist, wenn R_Rauschq = 
r_BE.
Ich hatte erwartet, dass es am stärksten/schlimmsten ist, wenn 
1*R_Rauschq = 2*r_BE:
* Weil sich das Rauschen eines Widerstands mit dem Widerstandswert 
ändert.
* Weil der BJT auf Strom und nicht auf Leistung reagiert.
Nach meinem Verständnis ist die ausgetauschte Leistung gleich, aber 
nicht maximal, wenn der Quellwiderstand und der Opferwiderstand um 2x 
unterschiedlich sind, jedoch sollten Strom oder Spannung maximal sein.
Wo ist mein Denkfehler?

[Dieter (Gast)]

Der optimale Punkt ist der mit Leistungsanpassung. Das ist wenn der 
Innenwiderstand der Quelle gleich dem Lastwiderstand ist.

[Michael M. (michaelm)]

Lesen: "Transistorrauschen" Es geht hier auch um die Beschaltung mit 
Widerständen...

[Moritz G. (mbydq2)]

Damit sind wir Drei Leute mit Drei Meinungen und einer Begründung.

Die gute Nachricht ist: Es sollte möglich sein eine BJT-Schaltung 
aufzubauen, bei der ein Widerstand das Rauschen bestimmt und die dieses 
mit 300nV/√Hz ausgibt. Das ist genug um einen Verstärker zu "übertönen".
Ein Verstärker mit 15nV/√Hz und 30x bis 50kHz ist mit einem OPV leicht 
zu machen.

[Elektrofan (Gast)]

Ich hatte mal einen ganz gewöhnlichen Kohleschicht-Widerstand
mit 1,2 kΩ, verbaut direkt vor einer NF-Leistungsendstufe.

Von 2 mA durchflossen, fabrizierte der ca. 0,25 mV Rauschspannung
(NF-Band, Spitze-Spitze-Wert, mit Oszilloskop gemessen).

(Durch die nachfolgende Verstärkung war das schwach, aber störend im 
Lautsprecher hörbar;
da hatte ich eine Weile zu suchen, weil ich dachte,
der Fehler käme von "weiter vorher" bzw. von einem Transistor.)