suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig Strom. Hat jemand schon mal so was aufgebaut? (siehe auch: Beitrag "Mosfet-Treiber so in Ordnung ?")
Was soll das bringen ? Strom in eine ueberdimensionierte Z-diode lassen ? Besser man vermeidet das. Z.
ja aber wenn Ubatt = +35V raucht Q1 aufjedenfall ab
Besser zum Gate treiben eine separate 12 V Spannung verwenden? Ich vermute du siehst Probleme bei den genannten 5 bis 35 V Eingangsspannung mit der Spannungsfestigkeit der gates?
>suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten >wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig >Strom. ??? Es gibt 1,3W Z-Dioden bei Reichelt. Passender Vorwiderstand (oder besser Stromquelle) und fertig. MFG Falk
@Tim, ja genau dass Problem ist die hohe Eingangsspannung und dass ich dass Gate jeweils nach Masse ziehe beträgt Ugsmax = 35V was meinst du mit "Besser zum Gate treiben eine separate 12 V Spannung verwenden?"
Diese Schaltung taugt nur für Versorgungsspannungen, die die maximale Vgs der FETs nicht überschtreiten. Nehmen wir mal an, die wäre 15V, dann muss der Vorwiderstand, das ist der mit 100 Ohm, die 20V Differenz zwischen 35 und 15V verbraten. Dabei fliesst ein Strom von 200mA durch ihn hindurch und heizt ihn mit 4W! Der Strom fliesst weiter durch die Z-Diode, die verbrät nochmal 3W. Die Treibertransistoren dürften bei 200mA auch an ihre Grenzen kommen. Passende Teile gibt es zwar, aber du willst sicherlich nicht 7W Steuerleistung verbaten, oder? Man bräuchte für jeden FET eine Z-Diode zwischen Gate und Source, der Vorwiderstand muss auch zweimal eingebaut werden. Das wird so nichts, überleg dir eine andere Schaltung, eventuell mit einem Halbbrückentreiber von IR.
hallo trude: ich dachte ich hätte dir meinen schaltungsentwurf zu dem problem in dem anderen topic schon zukommen lassen??
@Matthias jein, dass mit UGS größer 20V ist dort nicht berücksichtigt, oder liege ich da falsch?
@ trude, doch. die Ugs wird auf 12V begrenzt, siehe Z-diode D4
aber diese schaltung geht nur für den P-FET. für den N-FET brauchst du ne gesonderte Ansteuerschaltung
@matthias aber wenn ich auf Dauer größer wie die Ugs = 20V bin, muss doch die Z-Diode die ganze Leistung verheizen
nein. nicht alles. nur einen Teil, da die Z-Diode ja immer einen Vorwiderstand hat. Und eine Last gibt es trotzdem ja auch noch...
ich habe die folgende Schaltung mal aufgebaut (siehe "Uout sicher auf GND ziehen.png"), leider habe ich gewisse Störungen wenn ich den zweiten P-Kanal anschließe (siehe "tek001.png"). Kann ich das mit einer Spule eventuell kompensieren?
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