Hallo, ich bin auf der Suche nach einem n-Kanal SMD MOSFET, der sich mit einer kleinen Spg. (unter 1,5V) voll durchschalten lässt. Der FET muss einen Gleichstrom-Motor antreiben. Der Motor wird mit max. 3V betrieben und hat eine Stromaufnahme von 2,5 A beim Anlauf kommt er kurzzeitig mal auf 4 A. Ich habe mich schon mal in der MOSFET-ÜBersicht hier auf der Seite schlau gemacht da käme eigentlich nur der FDC645N in Frage. Kennt jemand vielleicht noch einen anderen FET, der die Anforderungen erfüllt und vielleicht etwas preisgünstiger ist. Danke für Eure Hilfe Ricky
1.5V wird schwierig! Etweder der SI2312 bringst(evtl. 2x Parallel) http://www.vishay.com/docs/73235/73235.pdf oder Du müsstest mit Rechteck ansteuern und eine kleine Sp.verdopplerschaltung mit 2Dioden und 2Kondensatoren bauen und damit den MOSFET ansteuern. Alternativ geht natürlich auch ein Biolartransistor.
@Ricky: 1,5 V ist die Threshold-Spannung Uth, bei der gerade ein klitzekleiner Drain-Strom zu fließen anfängt. Für 2,5 A Dauerstrom sollte Ugs schon so um die 2,5 V betragen. Schau mal ins Datenblatt. Aber Axel hat schon recht: Warum muss es immer ein Mosfet sein? 2,5 A bekommt man auch mit einem Darlington mit einer ähnlich geringen Bauteilanzahl hin. @Axel: Den Tip mit dem Si2312 kann ich auch gut gebrauchen, klein und fein. Danke!
Bipolar würde auch gehen! Könnt Ihr mir einen empfehlen?
Ricky wrote: > Hallo, ich bin auf der Suche nach einem n-Kanal SMD MOSFET, der sich mit > einer kleinen Spg. (unter 1,5V) voll durchschalten lässt. > > Der FET muss einen Gleichstrom-Motor antreiben. Der Motor wird mit max. > 3V betrieben und hat eine Stromaufnahme von 2,5 A beim Anlauf kommt er > kurzzeitig mal auf 4 A. Hart an der Grenze: http://www.nxp.com/pip/PMV30UN-01.html
In puncto MOSFET gucke mal bei IRF (International Rectifier), die haben viele mit kleiner U_GS. Kaufen kann man die auch bei Reichelt.
Ich habe den SI2312 nur gebracht, weil er im SOT23 noch einigermassen
handhabbar ist.
Normalerweise nehm' ich einen SI5404 oder sowas. Aber bei 1.5V habe ich
den auch noch nicht getestet...
Darlington ist bei 3Volt eher schlecht, da die Sättigungsspannung (U_ce
sat) recht hoch ist. Durch die beiden in Reihe geschalteten BE-Strecken
ist auch hier eine SICHERE Ansteuerung bei nur 1.5V fraglich.
Wenn Du einen uC als Ansteuerung verwendest, starte doch einen Timer,
statt auf H-Pegel zu schalten und gib auf dem Pin 1Khz aus.
--||--o--|>|--o--- Gate
| |
uc - ===
^ |
| |
------o-------o---
paralle-R am Gate nicht vergessen, sonst geht der nicht mehr aus :-))
In der komplementären Darlingtonschaltung ist die BE-Spannung kleiner http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/kdarl1.htm http://de.wikipedia.org/wiki/Darlington-Schaltung
@Axel: > --||--o--|>|--o--- Gate > | | > uc - === > ^ | > | | > ------o-------o--- Funktioniert das so wirklich? Hab's nicht nachgebaut, aber so aus dem Augenschein würde ich sagen, dass am Gate nur dann die doppelte Spannung anliegt, wenn der Eingang zwischen positiver und negativer Spannung wechselt und nicht zwischen positiver Spannung und Masse, wie es beim µC-Ausgang der Fall ist. So dürfte am Gate maximal die Eingangsspannung minus zweimal die Diodenspannung anliegen. Aber vielleicht mache ich auch einen Denkfehler.
Weiss ich jetzt auch nicht - habe nch nichts zum Mittag gegessen. Für die negative Kontrastspannung am LCD(3.3V-Betrieb) von -1.2Volt hats bisher immer gereicht. Dioden umgedreht. Bin jetzt einfach mal von aus gegangen, dass es dann auch "nach oben hin" geht.
hat jemand Lust, das zu stimulisieren oder gar mal aufzubauen? Ich muss jetzt los und in der Berliner S-Bahn ist keine Steckdose für den Lötkolben :) Habe hier schon alles ausgeschalten...
> Weiss ich jetzt auch nicht - habe nch nichts zum Mittag gegessen. Dann wird's aber langsam Zeit, dein Beitrag ist von 15:48 =8-o Nicht dass du uns noch vom Fleisch fällst :-) > Für die negative Kontrastspannung am LCD(3.3V-Betrieb) von -1.2Volt > hats bisher immer gereicht. Dioden umgedreht. Das sollte prinzipiell auch funktionieren, allerdings musst du nicht nur die Dioden umdrehen, sondern Masse durch Vcc (das Potenzial, an dem die Spannung "gespiegelt" werden soll) ersetzen. Also etwa so: VCC ------o-------o--- | | V | - === | | µC --||--o--|>|--o--- Gate Diese Schaltung sollte, wenn der µC-Ausgangspannung von GND bis VCC reicht, eine Ausgangsspannung von etwa 2 * (Vcc - Vd) liefern, wobei Vd die Diodenspannung ist. Leider ist die Schaltung in der Form für das Schalten des Mosfets nur eingeschränkt zu gebrauchen, da beim Wegnehmen des pulsierenden Eingangssignals die Gatespannung nicht auf 0 V, sondern auf Vcc minus zweimal die Diodenspannung zurückgeht. Aber, wie geschrieben, bis dahin sind alles Mutmaßungen :-) > hat jemand Lust, das zu stimulisieren oder gar mal aufzubauen? Ich werde, wenn's bis dahin kein anderer ausprobiert hat und sonst nichts dazwischen kommt, heute Abend die Schaltung mal aufbauen.
Das geht! Allerdings sind die Flanken beim Einschalten und Ausschalten der Rechteckspannung durch den Speicherkondensator sehr flach, so daß der Mosfet Schaden nehmen könnte, wenn gerade viel Strom über Source/Drain fließen will. Die Gatespannung geht übrigens dann auf 0, wenn man parallel zum Speicherkondensator noch einen Widerstand schaltet, also vom Gate nach Masse.
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