Hallo, Ich habe eine etwas grundlegende Transistorfrage. Ich verwende einen Standardtransitortypen (bc547) als Schalter in einer Emitterschalung. In meiner Schaltung kann es durchaus passieren, das die Spannung an der Basis kleiner wird als am Emitter anliegt. Nun ist mir bekannt, daß es bei Dioden einen maximale Rückwärtsspannung gibt, die nicht überschritten werden darf, sonst kommt es zum "Lawineneffekt" und die Diode verheizt (z.B. 1N4148 max 1000V, LED max 5V). Meine Frage: wie hoch darf diese Rückwärtsspannung bei einem solchen Standard Transistortypen über der Basis-Emitterstrecke werden, bevor dieser durchheizt? Meine Ausbildung zum E-Techniker ist mitlerweile schon >15Jahre her und hab seit dem nichts mehr in der Richtung gemacht, deshalb bin ich hier auf ein kleines bisschen Hilfe angewiesen. Vielen Dank im Vorraus. Gruss, Niels
Nicht hoch! Bei den meisten Transistoren liegt die Grenze so zwischen 5V und 7V. Wenn du's genau wissen willst, musst du im Datenblatt nachschauen.
Es gibt eine solche Grenze und sie sollte in den Datasheets drinstehen. Liegt meist bei 5-6V. Die Charakteristik der Ube-Strecke von normalen Siliziumtransistoren erinnert an eine schlechte Z-Diode mit ungefähr 7-9V.
Wenn ich in einem Datenblatt nachschaue, nach welchen Wert muss ich suchen? Wie könnte z.b. eine englische Bezeichnung heissen?
Vielen Dank. Frage nach knapp 15Min beantwortet. Das ist Rekord :) -thread closed-
Ach ja, noch eine Ergänzung, die vielleicht von Interesse ist: -thread reopened- :-) Diese EB-Durchbrüche können ziemlich heimtückisch sein, da sie den Transistor u.U. in einem halb funktionsfähigen Zustand hinterlassen. Konkret: Ich wollte vor einiger Zeit interessehalber feststellen, wie hoch die Durchbruchspannung tatsächlich ist und ob man so etwas vielleicht sogar als Feature nutzen kann :-) Ich nahm also so einen BC0815 (den genauen Typ weiß ich nicht mehr, kann sogar ein BC547 gewesen sein) legte EB über ein paar kOhm als Strombegrenzung an Spannung und drehte langsam auf ... Bei ca. 9V begann dann der Strom zu fließen, aber wegen des Vorwiderstands nur sehr schwach. Um zu sehen, ob der Transistor überlebt hatte, steckte ich ihn in die hFE-Buchse des Multimeters. Der gemessene Wert erschien mir etwas niedrig im Vergleich zu anderen Exemplaren des gleichen Typs. Also wiederholte ich die Tortur und maß gleichzeit den Strom. Es floss für ein paar Sekunden ca. 1mA, was einer Verlustleistung von 9mW entspricht und zu keiner spürbaren Erwärmung führt. Trotzdem war anschließend die Stromverstärkung noch eine Ecke schlechter. Insgesamt ist die Stromverstärkung von ca. 500 auf 300 gesunken und blieb auch nach längerer Wartezeit auf diesem niedrigen Wert. Ansonsten war der Transistor noch funktionsfähig. Mich hat das etwas überrascht, da ich der Meinung war, dass man eine Diode (eine Z-Diode sowieso) in Sperrichtung oberhalb der Durchbruchspannung betreiben kann, wenn man den Strom begrenzt. Mir ist auch nicht klar, ob der Transistor durch thermischen Einfluss degenerierte oder ob es da noch andere Effekte gibt. Vielleicht hat ja jemand mehr Ahnung von Halbleitertechnik und kann mir das erklären. Fazit: EB-Durchbrüche können zum schleichenden Tod eines Transistors führen, was u.U. zu einer langwierigen Fehlersuche führt. Seither nehme ich die Grenzwerte der Hersteller noch etwas ernster :-)
Vielleicht waren die 9 mW an der BE-Sperrschicht ein bisschen viel. Nun fliessen im Normalbetrieb erlaubte Basiströme von meinetwegen 50 mA, was eine größere Verlustleistung ergäbe. Kann sein, dass im Sperrbetrieb eine Art Second Breakdown stattgefunden hat, mit einer lokalen engbegrenzten Überhitzung der Sperrschicht. Bei manchen LEDs liest man im Datenbuch: Not designed for reverse operation.
> ... dass im Sperrbetrieb eine Art Second Breakdown stattgefunden > hat, mit einer lokalen engbegrenzten Überhitzung der Sperrschicht. Danke, das klingt interessant. Kannst du mir vielleicht noch in kurzen Worten erklären, was ein Second Breakdown ist? Im Netz habe ich auf die Schnelle nur Erklärungen gefunden, die ich nicht verstanden habe und Aussagen, dass das Phänomen sehr geheimnisvoll und noch nicht vollständig erforscht sei. Meine bisherige Deutung des Problems ging dahin, dass der Strom in Sperrrichtung nur einen kleinen Teil des Querschnitts der BE-Strecke nutzt, was, wie du schriebst, auch bei geringer Leistung zu einer lokalen Überhitzung führen könnte. Der Transistor funktioniert aber immer noch einigermaßen, weil ja nur ein kleines "Loch" in die BE-Strecke gebrannt wurde. Lässt man den Strom wiederholt oder für längere Zeit verkehrt herum fließen, sucht er sich einen anderen Weg, so dass das Loch immer größer und der Transistor immer schlechter wird. Könnte so etwas die Ursache sein? Wie ist das eigentlich bei normalen (also keinen Z-) Dioden? Kann man die, wenn man die Verlustleistung auf den Wert beschränkt, der auch für Normalbetrieb erlaubt ist, rückwärts oberhalb der Sperrspannung betreiben? Oder gibt es dort evtl. auch so einenen lokalen Überhitzungseffekt? Ich kann's leider gerade nicht ausprobieren, da ich nur Dioden mit mehr als 100V und keine halbwegs sichere Spannungsquelle in diesem Bereich da habe. > Bei manchen LEDs liest man im Datenbuch: Not designed for reverse > operation. Eine LED könnte man eigentlich mal opfern, die braucht keine so hohe Spannung ;-)
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