Hallo hab mal wieder ne kleine Frage. Wenn ich den Strom durch einen MOSFET(6 bis 30 A) messen will, brauche ich doch einen Shunt ! Warum eigentlich ? Kann ich nicht den innenwiderstant des MOSFET´s nutzen ? Also z.B.: IRF540N RDS(on) = 44mOhm = 0,044 Ohm U = R * I U = 0,044 * 6A U = 0,254V Da meine Schaltung eine H Brücke ist liegen zwei Mosfet´s in Reihe. Also: RDS(on) = 0,088 Ohm * 6 A = 0,528V Mit OP Spannung Vergleichen fertig. Wieso baut man noch einen zusätzlichen R ein ? Gruß Michael
Der Innenwiderstand des mosfet ist von der Gatespannung, sowie von der Temperaturabhaengig. Dann kommen noch die Bauteietoleranzen, resp die Exemplarstreuung dazu.
Nicht nur das: Der Innenwiderstand ist zusätzlich noch vom Strom abhängig. Als Kurzschlusschutz oder ähnliches kann man den Innenwiderstand verwenden, für genaue Messungen aber nicht.
Man kann den Strom ohne Shunt messen, indem man das von ihm erzeugte Magnetfeld nutzt.
Stimmt Danke, ich benötige eine genaue Messung. Dann male ich mal einen Shunt mit auf meine Platine. Vielen Dank
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