Hallo Ich hoffe, mir kann jemand bei meinem Problem helfen: Ich habe aus einem VCO ein Rechtecksignal von 3.3 bzw. 3.9MHz. 3.3MHz entsprechen einer logischen 0, 3.9MHz einer logischen 1. Mit diesem Signal möchte ich jetzt eine Spule treiben, die Energie- und Daten an eine zweite Spule sendet. (Siehe Anhang) Anforderungen an die MOSFETs: Wenn möglich sollte Ugs von +5/0V oder +2.5/-2.5 ausreichen, um jeweils einen, oder den anderen zu schalten. (Aus dem VCO kommen Rechtecke mit High/Low von +5/0V raus. Mit Hilfe eines Hochpasses kann ich +2.5/-2.5V draus machen, daher die Hoffnung, dass es da etwas passendes gibt). Möglichst kleine Gate-Kapazität, damit möglichst wenig Strom an die Gates beim Schalten fließen muss. UND: Möglichst symmetrisches Zeitverhalten der MOSFET-Schaltvorgänge, sprich Rise/Fall und Delay-Zeiten. Wenn z.b. beide MOSFETs aufgrund eines asyymetrischen Zeitverhalten beide leitend sind, habe ich einen Kurzschluss der Versorgungsspannung auf Masse. Das möchte ich natürlich verhindern. Mein Problem: Ich habe Probleme, passende MOSFETs für diesen Zweck zu finden. Ich habe nach langer Suche folgenden Dual-MOSFET gefunden: FDC6327C Dieser kann bei den oben genannten +/- 2.5V schalten. Das Problem hier ist jedoch, dass meine SPice simulation meint, dass beim Umschalten der beiden MOSFETs ein Strom von bis zu 3A benötigt wird (Bei einer Rise/Fall-Zeit des Oszillators von 10ns), und dass aufgrund der unterschiedlichen Rise/Fall und Delay-Zeiten des n- und p-Mosfets kurzzeitig, wie oben angedeutet, ein Kurzsschluss vorhanden ist. Meine Frage an euch Profis: Wie finde ich am besten meine passenden MOSFETs? Ich hatte gehofft, dass es Bausteine gibt, die n- und p-MOSFETs mit ähnlichen, oder identischen Rise/Fall/Delay-Zeiten zur Verfügung stellen. Vielen Dank
Du musst beim Umschalten eine Totzeit einbauen! Jede H-Brücke hat formal dasselbe Problem...
Hi, danke für die schnelle Antwort. Könntest Du mir ganz kurz erklären, wie ich diese Totzeit realisiere und was die genau macht? Im Prinzip sollte ja beim Wechsel der Gatespannung von +/- 2.5V eine kurze Pause bei 0V Abhilfe schaffen. Oder setzt diese Totzeit woanders an? Danke
Eingangssgnal für Transistor: an ------ ------ ------ ------- | | | | | | | | aus------------------------------------------------- Mit Totzeit schaltest du einfach den Transistor etwas später an, aber zum selben Zeitpunkt aus: an ---- ---- ---- ---- | | | | | | | | aus------------------------------------------------- Das musst du für den zweiten nochmal machen.
Hi Chris, schalt doch vor jedes Gate nen kleinen Widerstand. Somit wird das Gate langsamer geladen. Und dann jeweils eine Diode über den Widerstand. Für N- und P-Kanal genau verpolt. Vielleicht wäre das was. Gruß Alex
Ihr seid super :) Vielen Dank, das mit dem Widerstand und Diode klingt schonmal sehr erfolgsversprechend. Ich werde das mal die nächsten Tage simulieren und dann auch mal in real aufbauen (die Teile sind noch unterwegs). Ich melde mich, sobald ich etwas neues weiß. Danke und Gruß
Mal noch eine Frage zum Thema Buffer-Gate für meine MOSFETs: Wieviel Strom sollte denn da mein Buffer-Gate liefern können, um die Gates aufladen zu können? Würden da so 30-50mA reichen? Weil der SN74LVC1G126 ist bis jetzt so das Gate-Buffer mit der größten Output-Stromstärke, das ich finden konnte und zu meiner Schaltung passt.
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