Hallo, suche einen N-Kanal Mosfet, der von einer 5V Schaltungen geschaltet wird, und eine Last von 500mA betreiben soll (er sollte schon bei 4-4,5V schalten). TO92 Bauform oder ähnlich (kein SMD). Kann mich da jemand in die richtige Richtung schubsen?
Der BS170 gefällt mir, da steht allerdings Gate Threshold Voltage Typ 2V, Max 3V, heisst das, daß ich das bei 5V nicht betreiben darf?
@ Werner Kargemeier (Gast) >da steht allerdings Gate Threshold Voltage Typ 2V, Max 3V, >heisst das, daß ich das bei 5V nicht betreiben darf? ??? Das heisst, dass er bei 2V, spätestens 3V anfängt durchzusteuern. Bei 5V ist er schon ganz gut offen, 10V sind noch ein wenig besser. Siehe Ausgangskennline (ID über UGS). MFG Falk
Hallo, der BS170 hat einen zu hohen ON-Widerstand. Nimm einen anderen, z.B. IRLZ34, der ist recht günstig, hat einen kleinen ON-Widerstand und kann direkt angesteuert werden. Falls du damit PWM machen willst solltest du aber einen Treiber vorsehen. Schau mal nach dem Datenblatt.
PWM möchte ich nicht machen, möchte nur einen Verbraucher schalten, wichtig wäre die Bauform, TO-220 vom IRLZ34 ist eigentlich zu gross, so viel Strom brauche ich auch nicht (der schafft 30A, brauche nur 0,5A), sollte daher schon TO-92 sein. Der BS170 hat in der Ausgangskennlinie 0,7A bei 5V, das wäre doch dann eigentlich OK, oder?
Jetzt sehe ich gerade, die Pmax ist 0,35W, bei 500mA und 5V bin ich da ja eigentlich deutlich drüber.... Muss wohl dann doch auf etwas mit grösserer Bauform gehen...
@ Werner Kargemeier (Gast) >Der BS170 hat in der Ausgangskennlinie 0,7A bei 5V, das wäre doch dann >eigentlich OK, oder? Bei 500mA fällt ca. 1V über dem Transistor ab, macht 0,5W Verlustleistung. Das ist für TO92 grenzwertig. Nimm lieber einen IRF im SO8 Gehäuse, z.B. IRF7301. MFG Falk
Wenn es dir nichts ausmacht, dass im BS170 etwa 1V draufgehen und er infolge dieser 500mW ohne zusätzliche Kühlung durchbrennt, dann kannst du ihn nehmen. Anonsten such die einen MOSFET in SMD-Gehäuse.
Falk Brunner wrote: > Bei 500mA fällt ca. 1V über dem Transistor ab, macht 0,5W > Verlustleistung. Das ist für TO92 grenzwertig. Das ist mehr als grenzwertig, weil der ON-Widerstand bei 500mW auf 2 Ohm ansteigt, was die Leistung auf 1W steigert, die Temperatur damit auf fast 200°C, was den ON-Widerstand...
Gibts nicht so etwas ähnliches in T0-92? Wollte SMD wenn es irgend geht vermeiden, brauche auch keinen DUal-Channel...
IRLD 024 PBF N-Kanal Logiclevel FET 60 V, 2,5 A, 100 mOhm von International Rectifier. Allerdings im DIP4. oder noch dicker: IRLU 120 NPF Logiclevel FET 100 V, 10 A, 185 mOhm, TO251AA, also wie TO220, aber kleiner
Klingt schon ganz prima, DIP4 hat ja auch eine 2,54mm Rasterung denke ich. Und unter 1Euro ist der auch....
schau doch mal auf die irf-seite. die haben ne sehr gute suche, bei denen du alle deine kriterien einstellen kannst. unter den ersten 5 schaust du dann, welchen es beim händler deines vertrauens gibt ^^
jap, aber die haben was ähnlich kleines http://www.irf.com/package/pkhexfet.html i-pak is recht nett. 6,35 x 5,97 mm
Die Seite ist ja schon ganz gut, jetzt gibt es 82 Bauteile in iPak, https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294849797 Bin etwas verloren mit den vielen Parametern! Könnte mir jemand helfen? Das Teil sollte bei 5V Öffnung ca. 350-500mA liefern, möglichst günstig sein und die Hitze vertragen können. Brauch kein PWM, Hochfrequenz oder was auch immer, es wird einfach nur eine Last an oder aus geschaltet.
Hallo, wenn es möglich ist, sollte man einen FET nicht mit 5 Volt schalten. Besser sind FET's, die eine höhere Spannung benötigen um zu leiten, da diese Transistoren weniger Schwingneigung zeigen. Also Logic-Pegel FET's nur mit Vorsicht einsetzen. (Masse, Leitungsführung, Kondensatoren ...) Gruß Fritz
@ fritz: gähn! es geht hier ums schalten und nicht um ein ptat-netzwerk mit mos... also bitte... @werner: mit was für parametern hast du denn probleme? die angegebene reversspannung muss halt größer sein als die, die in deiner schaltung über dem fet in abgeschaltetem zustand anliegt. der drain-strom kann dir wohl ziemlich egal sein, die können alle wesentlich mehr, als du brauchst. selbes gilt für dissipierte leistung P_diss R_DS_on? widerstand der drain-source-strecke. na was wohl, je niedriger, desto besser. könnte man also mal aufsteigend sortiert werden. thermal resistance R_th? über den thermal-widerstand findet sich wirklich genug im internet...
Hallo Werner, wenn du einen FET anwenden willst solltest du dir erst mal eine Beschaffungsquelle suchen die welche hat und dich auch beliefert. Einige Vorschläge hier kannste knicken da die angegeben Werte von 0,5 A und 5V deine Betriebswerte sind,wogegen die Werte der Halbleiter meist Grenzwerte sind.Der BS 170 sollte da vom Strom her völlig ungeeignet sein.Ein FET mit einem vielfachen deiner Betriebswerte ist bei der Auswahl stets vorzuziehen. zB. 30 V 2A o.ä. Um die Verlustleistung niedrig zu halten achte auf eine geringe VDS Spannung im Einschaltzustand(on) z.B.0,25 V oder so. Sonst kann es passieren das das Bauteil was du damit betreiben willst nicht das tut was es soll weil am Transistor zuviel Spannung abfällt. Die Werte bei icf,wo du nicht durchsteigst sind Kennwerte zum Vergleich D=Dräin G=Gate S=source z.B.VDS=Voltage Drain Source =max. Dräin-Source-Spannung aber,es ist sinnvoller,sobald du dir einen mit geeigneter Spannung und Strom ausgesucht hast dich bis zum Datenblatt(pdf) durchzuklicken. Da findest du dann Daten wie Gate threshold Voltage (Steuerschwellenspannung) wo du dann entnehmen kannst bei welche Spannung so ein Transistor durchsteuert. Ich finde die Datenblätter jedenfalls sehr viel Aussagekräftiger. Hoffentlich konnte ich was Geistreiches dazu beisteueren(hehe). Irrtum vorbehalten Gruß martin
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