Hallo, es geht um folgende Schaltung: Ein Mikrocontroller erzeugt ein variables Rechtecksignal mit 5V max. Am Ende habe ich 300V Gleichstrom, mit einer Last, die geschaltet werden muss. Da die 5V nicht genug sind um den "großen" N-Mos durchzusteuern, habe ich eine Art Vorschaltung angebaut. Ich habe einen BUZ-11 rumfliegen gehabt und diesen eingebaut, er wird mit 12V betrieben und am Gate ist das Signal angelegt. Die Schaltung invertiert so wie sie dargestellt ist, das ist aber nicht schlimm. Das Problem ist, dass der BUZ-11 (links im Bild) zwar durchschaltet, aber nicht ein Rechteck erzeugt (Ein/Aus), sondern ein Sägezahnsignal. Der Widerstand ist ein ganz normaler (keine Induktivität) im kOhm-Bereich (vll. zu groß?). Bei niedrigeren Frequenzen (3000Hz) erreicht der Sägezahn (anliegend am Gate des großen NMOS) noch die Betriebsspannung (12V), bei höheren Frequenzen schrumpft die Spannung nahezu zu Null. Offensichtlich habe ich nicht allzuviel Erfahrung mit Vorverstärkern, daher ein paar Fragen. Ist der NMOS BUZ11 bzw. ein NMOS als Vorverstärker überhaupt geeignet oder sollte man einen Bipolartransistor nehmen? Falls er geeignet wäre, warum wird nicht sauber durchgeschaltet und es entsteht ein Sägezahnmuster?
Hallo, Du hast eine größere Gate-Kapazität am hinteren Leistungsmosfet. Die wird über den Widerstand, der an Deinem ersten MOSFET hängt, aufgeladen, aber schlagartig entladen, wenn Du den ersten MOSFET leitend machst (per uC). Das erzeugt Dir Dein Sägezahn. Versuch mal eine der folgenden Sachen: 1.) verwende einen fertigen MOSFET-Treiber 2.) verringere den Widerstand am ersten MOSFET 3.) Bau Dir eine Treiberstufe aus zwei MOSFETs diskret auf, die den Endstufen MOSFET treibt.
Markus schrieb: > "Großer" MOSFET Typ? > 2SK2611 (http://www.pollin.de/shop/downloads/D130803D.PDF) Werde die Tipps beherzigen und rumprobieren, notfalls mit nem fertigen Treiber. Danke schonmal!
Auf Seite 2 des Datenblatts ist eine Testschaltung, dort wird ein 10V Rechteck verwendet und als wiederstand vom Gate zur Masse nur 4,7Ohm, also würden bei 50% Pulsbreite ~1A Strom fließen. Hat das denn so seine Richtigkeit? Ich dachte MOS-Fets könnte man nahezu stromlos schalten?!
<dein mosfet hat am gate eine kapazität und dia möchte beim schalten umgeladen werden. da können recht hohe ströne fließen, ich würde einen mosfet treiber empfehlen (entweder selbst aufgebaut oder als fertiger baustein) http://www.lmgtfy.com/?q=mosfettreiber 4.7ohm sind arg wenig. bei 20v gatespannung arbeitet man normal mit aktiven treibern oder wenns nicht so schnell sein muss halt mit ungefähr 1kohm. zwischen treiber und gate sitzen normal 10-500ohm Philipp
Habe den 10k Widerstand durch 500 Ohm ersetzt und nun funktioniert es einwandfrei. Danke!
N.M. schrieb: >> Sind das p-Kanäler? > > Nein warum? > > > > > > Beitrag melden | Bearbeiten | Löschen | Weil in deinem Bild welche sind
Im Simulationsprogramm stand NMOS, hab jetzt auch nicht auf die Pfeile geachtet und dem einfach geglaubt. Ist ja auch egal nun..
Also was denn nun! 40Hz oder 3KHz? Aber bei beiden sollte eine direkte Anschschaltung an den den Prozessorpin gehen. Der BUZ11 ist schon etwas alt, aber die meisten FET schalten schon bei 3,5V durch. Mit dem BUZ11 hast du aber nicht lange Freude. Der macht nur 50V!!!!!!
N.M. schrieb: > Im Simulationsprogramm stand NMOS, hab jetzt auch nicht auf die Pfeile > geachtet und dem einfach geglaubt. Ist ja auch egal nun.. Es gibt mehrere unterschiedliche Schaltzeichen für Mosfets. Bei dem am häufigsten verwendeten (a) ist der Substratanschluss (Bulk) mit einge- zeichnet, bei dem im Simulationsprogramm verwendeten (b) nicht. Der Pfeil zeigt in beiden Fällen die Richtung des PN-Übergangs zwischen Bulk und Source an, also die Richtung, in die die BS-Diode leitet. Bei einem N-Mosfet zeigt der Pfeil in a) in den Bulk hinein, in b) (mangels Bulkdarstellung) aus der Source heraus, was aber beides die gleiche Bedeutung hat. Die Variante b) wird auch in den Datenblättern einiger OpAmps, z.B. des TS912 verwendet.
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