Hallo, bei Test, ob der Verpolungsschutz meiner Schaltung auch funktioniert, ist ein Mosfet geplatzt. Leider weiss ich nicht genau warum. Versorgt wurde die Schaltung mit einem 3S Lipo Akku (ca. 12V, Klemme Batt, verpolt). Die Sicherung ist durchgebrannt, Spannungsregler, µC (Mega8) und der Rest der 5V Schiene wurden korrekt geschützt. Der Mosfet für die PWM-Steuerung eines Lüfters(12V) ist aber geplatzt. Er liegt im Kreis der Versorungsspannung und somit außerhalb des Verpolschutzes. Allerdings bin ich davon ausgegangen, das der Mosfet durch den Pull-Down Widerstand zwischen Gate und Source im Verpolungsfall gar nicht Durchschalten kann. Hat er aber offenbar. Und über die Freilaufdiode D4 ist dann wohl ein für den Mosfet zu heftiger Strom geflossen. Kann mir jemand sagen, warum genau der Mosfet geplatzt ist und wie ich das Verhindern kann? Eine Lösung wäre evtl. die Freilaufdiode wegzulassen. Aber wie lange der Mosfet dann hält ist auch fraglich. Dann habe ich noch eine Frage zum Verpolungsschutz. Kann ich die Suppressordiode D1 auch hinter die Diode D5 setzen, damit die Sicherung bei Verpolung heil bleibt und nur bei langer Überspannung durchbrennt? Vielen Dank schon mal für Eure Hilfe
Da der Mosfet aus Fertigungsgründen eine Diode von Source nach Drain hat, gibt es einen niederohmigen Weg im Falle der Falschpolung. Der Mosfet war zwar ausgeschaltet, aber seine interne Diode hat das gehäuse gesprengt. Um das abzufangen, mußt Du eine extra Verpolschutzdiode in den Leistungszweig einfügen. guude ts
Jörg K. schrieb: > Dann habe ich noch eine Frage zum Verpolungsschutz. Kann ich die > Suppressordiode D1 auch hinter die Diode D5 setzen, Dann muß D5 so ausgelegt sein daß sie das Lastintegral der Sicherung aushält. Gruß Anja
Einfach gesagt die Sicherung sollte eher sterben als die Diode, was Anja so elegant formulierte. Haken ist nur, daß Sicherungen je nach Hersteller manchmal träger als Silizium sind. :-)
versteh ich nicht ganz, wenn die Ub verpolt ist, ist der Pulldown ein Pullup, das Gate positiv. Würde der MOSFET nicht auch ohne interne Diode leiten?
Ein mit einer Sicherung geschützter Transistor wird stets zuerst hochgehen, um die Sicherung zu schützen. ;-) MfG Paul
...mal ganz davon abgesehen, dass der MOSFET laut deiner Schaltung nicht durch die Sicherung geschützt ist, weil er direkt an Batt+ hängt ;-)...
@Paul: Solange MOSFET-Fehler leichter zu finden sind, als eine exotische Sicherung, war dieser Test optimal. :-) Nebenbei wird die Dämpfungsdiode über dem Relais bei VERpolung der Batterie den Stromfluß nur sehr wenig "dämpfen" weil sie dann in Durchlassrichtung arbeitet...
Vielen Dank für Eure zahlreichen Antworten. Auf die Diode im Mosfet bin ich nicht gekommen, obwohl ich eigentlich von ihr weiss. In einigen Schaltbildern ist sie ja auch miteingezeichnet. Dann werde ich in den Lastzweig einen separaten Verpolschutz einsetzen. > versteh ich nicht ganz, wenn die Ub verpolt ist, ist der Pulldown ein > Pullup, das Gate positiv. > Würde der MOSFET nicht auch ohne interne Diode leiten? Meine Überlegung war: Ein N-Mosfet schaltet durch, wenn zwischen Gate und Source eine positive Spannung anliegt. Der Pull-Down(-Up bei Verpolung) Widerstand zieht aber das Gate auf das gleiche Potential wie das von Source. Also keine pos. Spannung, kein Durchschalten. Wenn nur diese Diode nicht wäre ... dann hätte es funktioniert ;) Gruß Jörg
nimm eine bidirektionale Supperssordiode, dann kann die da bleiben wo sie ist.
Ich habe jetzt einen extra Verpolschutz für den Lastkreis(zwischen +BATT und V- Batt) mittels Mosfet(T7) eingeplant. Für die Suppressordiode(D1) werde ich dann einen bidirektionalen Typ verwenden. Dann sollte die Sicherung nur durchbrennen, wenn längere Überspannung eintritt. Bei Verpolung passiert gar nichts, die Schaltung geht einfach nicht. Wird das so funktionieren? Sollte ich dem Gate des Verpolschutz-Mosfets noch einen Vorwiderstand verpassen? Gruß Jörg
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