Hallo, eine Frage zu den beigefügten Schaltplänen: Bei dem Schaltungsaufbau mit den antiparallel geschalteten Dioden ist es nicht möglich, mit der Spannung VS1 (3,3V) den FET zu schalten. Bei der Beschaltung ohne die Dioden funktioniert es. >>Simulation Warum ist das so?? P.S.: Falls ihr euch fragt, warum überhaupt die Dioden....es ist nur ein Teil-Auszug aus einer Schaltung. Danke schon mal....
Welche Ugsth hat dein FET? Wenn du den mit 3,3V gerade noch so durchgeschaltet bekommst, dann werden dir die 0,7V über der Diode fehlen... Probier mal statt 3,3V jetzt 4V.
@ Lothar Die Ugsth ist mit min. 0,65V und max. 1,5V angegeben. siehe pdf. Sollte also klappen?!
2N6755 != FDV303 EDIT: Mir würde die geringe Reserve zur Breakdown-Voltage noch zu denken geben... Sind die Bezugspotentiale in deiner aufgebauten Schaltung wie in der Simulation?
Lothar Miller schrieb: > Sind die Bezugspotentiale in deiner aufgebauten Schaltung wie in der > Ja, die sind so korrekt. Der FDV303 stand leider nicht in meinem Tool zur Verfügung. Aber als Anhaltspunkt sollte der 2N6755 doch sicher reichen?!
Lothar Miller schrieb: > Dann miss doch mal die Ugs in deiner Schaltung... ok...muss damit leider bis morgen warten.
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