Hallöchen Ich möchte die Energie, die in einem Kondensator(400VDC 1800uF) gepuffert ist, als Impuls auf eine Spule mit geringer Induktivität < 1uH und einem Gleichstromwiderstand von 0.1 Ohm übertragen. Der DC Widerstand des Kondensators liegt bei 150mOhm. Der Gesamt DC Widerstand mit Leitungen liegt zwischen 0.25 und und 1 Ohm. Ist für diesen Einsatz zum Schalten des Impulses eine Parallelschaltung aus Mosfets oder ein Thyristor besser geeignet? Welches Bauteil ist hinsichtlich I²t besser geeignet? Danke für Euere Hilfe Euer Michael
Schau dir mal die diversen "Coin shrinking" Seiten im Internet an. Einige beschreiben recht genau, wie sie es machen. Oder gehe gleich zum Beitrag "Großer Bumms mit ELKO und IGBTs" hier im Forum... Grüße, Peter
Leider helfen mir die bisher gefundenen Forenbeiträge nicht weiter - realisierbar sind beide Konzepte - ich möchte nur verhindern, dass der Impuls die schaltenden Bauteile beschädigt. Meines Wissens nach habe ich bei den Mosfets das Problem, dass zu Beginn des Einschaltens nur eine geringe Fläche im Halbleitermaterial Leitfähig wird, die sich dann innerhalb kürzester Zeit vergrößert. Ich möchte allerdings ein verdampfen verhindern :) Deshalb meine Frage bezüglich dem I²t, welcher dieses Problem doch maßgeblich beschreibt Nein das ist kein Zündgerät für terroristische Anwendung. :) Der Impuls dient zum Test von Leistungstromwandlern mit inegrierter "Testspule". Da der Test nicht nur einmal gemacht wird - sondern Regelmäßig (Prüfgerät) sollten die Bauteile das auch in 5 Jahren noch anstandslos abkönnen. Mit freundlichen Grüßen Michael
Ich würde zum Thyristor greifen... Einfachere Ansteuerung und robuster. Vorzeitiges Abschalten brauchst du ja nicht, oder?
Ich würd nen Thyristor nehmen, da: 1. Stromanstieg ist durch die Spule im Rahmen (dI/dt des Thyristors) 2. er hört auf zu leiten, wenn der Kondensator entladen ist (Sicherheit) Muss halt aufpassen, dass die Kombination Spule-Kondensator nicht anfängt zu schwingen. :-)
Danke für Euere Antworten @sudo Nein vorzeitiges Abschalten ist nicht nötig, da der Impulsverlauf(Form) zurückgemessen und ausgewertet wird. @Floh Meine Bedenken sind nur, dass sich die "Erregerwicklung" eher wie ein niederohmiger Widerstand verhalten wird, da die Induktivität sehr gering ist. MfG Michael
Lanhazza schrieb: > Meine Bedenken sind nur, dass sich die "Erregerwicklung" eher wie ein > niederohmiger Widerstand verhalten wird, da die Induktivität sehr gering > ist. Schaltplan mit ESBs malen und rechen :-)
Ich halte einen MOSFET in deiner Anwendung für nicht geeignet. Insbesondere bei den Spannungen (400V) ist der Rds,On für eine Schaltanwendung zu schlecht. Den niedrigeren I²t der MOSFETs im Vergleich zum Thyristor liegt im Wesentlichen am physikalischen Aufbau der FETs. Der Strom muss hier an der Oberfläche des FET entlang fließen, während er bei Thyristoren vertikal und damit durch die gesamte Querschnittsfläche des Bausteins fließen kann. Wer zuerst aufgibt (Hotspot im Halbleiter oder Bonddrähte) hängt vom konkreten MOSFET ab. Allerdings werden die Bauteile (Module) von den Herstellern je nach Anwendung auf unterschiedliche Parameter hin optimiert. Teilweise werden viele Chips in einem Package parallel verdrahtet. In deiner Anwendung ist sicher der Thyristor das robustere Bauteil, solange Du im Überstromfall nicht mehr abschalten möchtest. Überstrom kann schnell auftreten, z.B. wenn Deine Spule in die Sättigung geht, die Spannung einmal deutlich erhöht werden soll oder dein DUT kaputt geht. Alternativ nimm einen IGBT. Wichtig: Sorge dafür, dass der Halbleiter keine Überspannung sieht!!! Sonst hilft auch das beste I²t nichts.
Lanhazza schrieb: > Meines Wissens nach habe ich bei den Mosfets das Problem, dass zu Beginn > > des Einschaltens nur eine geringe Fläche im Halbleitermaterial Leitfähig > > wird, die sich dann innerhalb kürzester Zeit vergrößert. das ist ein problem des tyristors, nicht des mosfets. daher muss der thyristor möglichst knackig angezündet werden. die ideale lösung ist aber der igbt.
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