Moin, ich habe eine Parallelschaltung von zwei Leistungstransistoren, die wie im Bild miteinander verschaltet sind. Beim Betrieb der Schaltung (I ca. 3A) sollte sich der Strom doch auf beide Transistoren in etwa gleich aufteilen. Ich habe den Strom nicht gemessen, aber Q1 heizt sich stark auf, Q2 bleibt auf Raumtemperatur (gemessen mit einem Finger der rechten Hand ;-) ). Warum habe ich eine so ungleichmäßige Lastverteilung? Dachte das gleichen die Emitterwiderstände aus (es wird auch nur R8 wärmer). Gruß Matsch
>gleichen die Emitterwiderstände aus (es wird auch nur R8 wärmer).
Wahrscheinlich sind sie zu klein, versuch mal 0R33.
MFG
Falk
Wer hat denn R10 und R11 gezeichnet ? Die sind doch Humbug. R8 und R9 könnten, wenn sie je 1.5A verteilen sollen, etwas grösser sind, so 0.5V lässt man meist an ihnen abfallen, also 0.33 Ohm (0.22 tun's sicher auch, alles eine Frage um wie viel Prozent die Ströme vom Wunschwert abweichen dürfen). Aber 0.1 ist eigentlich nur passend, wenn die Transistoren "gepaart" wurden, also auf gleiche Kennlinie ausgemessen worden sind.
Mit welcher Frequenz benutzt du deine Schaltung? Ist die Last eine ohmsche Last? Wenn die beiden Transis nicht ausgesucht annähernd die selbe Flankensteilheit (Transitfrequenz) haben, ist immer einer davon der Dumme und bekommt kurzzeitig sämtliche Leistung ab ...
Matthias R. schrieb: > > Warum habe ich eine so ungleichmäßige Lastverteilung? Gegenfrage: Warum hast du so T'S mit deutlich unterschiedlicher Stromverstärkung eingebaut? Warum hast Du diese nicht VOR dem Einbau selektiert.? Hätten Deine Transistoren nahezugleiche Stromverstärkung, wäre das kein Problem - und hier kein Post. > Dachte das > gleichen die Emitterwiderstände aus (es wird auch nur R8 wärmer). Wie Falk schon sagte: größere Widerstände mildern das Problem. Aber die Ursache ist die oben erwähnte. Du hast nun 2 Möglichkeiten: die faule, bei der Du größere Widerstände wählst und damit mehr Abwärme bzw. schlechteren Gesamtwirkungsgrad und höheren Spannungsfall. die sorgfältige, die gepaarte Transsitoren einsetzt. Aber Fakt ist und bleibt: Arbeit macht das Prallelschalten immer.
Andrew Taylor schrieb: > Gegenfrage: Warum hast du so T'S mit deutlich unterschiedlicher > Stromverstärkung eingebaut? Warum hast Du diese nicht VOR dem Einbau > selektiert.? Die hatte ich noch liegen. > Ist die Last eine ohmsche Last? Ja, eine rein ohmsche Last. Danke euch für die schnellen Antworten. Ich werden dann erst die schnelle (=R's tauschen) Variante wählen, und danach die bessere, aber langsame (= Q's auswählen, bestellen, umbauen, ....) Variante durchführen. Ein schönes Wochenende euch. Gruß Matsch
An den Emitterwiderstände soll immer bei maximalen Strom ca 0,6V abfallen. Dann hat man eine Stromgegenkopplung , und die Unsymetrie wird ausreichend ausgeglichen. Man kann diesen Gegenkopplungswiderstand ja auch gleichzeitig für die Strommessung benutzen, der Ihrerseits die Überstrombegrenzung steuert, so hat er wenigstens den doppelten Nutzen. Das gilt vermehrt auch für Mosfets da muss man den Spannungsabfall sogar noch viel größer wählen. Ralph Berres
Andrew Taylor (marsufant) schrieb: >Du hast nun 2 Möglichkeiten: >die faule, bei der Du größere Widerstände wählst und damit mehr Abwärme >bzw. schlechteren Gesamtwirkungsgrad und höheren Spannungsfall. >die sorgfältige, die gepaarte Transsitoren einsetzt. und die dritte Sinnvolle, bei der Du einfach nur einen Transistor nimmst, solange man mit Strom und Leistung weit genug von den max. Werten entfernt bleibt. 3A sind noch kein Grund, zwei 10A TIP140 parallel zuschalten. Wie es mit der Verlustleistung aussieht, weis ich allerdings nicht. Achja: wenn doch Parallelschaltung, dann alle auf einen Kühlkörper, damit die thermisch gekoppelt sind, und damit nicht so sehr auseinanderlaufen können (unterstützt den Effekt der Emitter-R's.
Jens G. schrieb: > und die dritte Sinnvolle, bei der Du einfach nur einen Transistor > > nimmst, solange man mit Strom und Leistung weit genug von den max. > > Werten entfernt bleibt. > > 3A sind noch kein Grund, zwei 10A TIP140 parallel zuschalten. > > Wie es mit der Verlustleistung aussieht, weis ich allerdings nicht. Über diese Leiter würde ich so nicht ohne weiteres gehen. Es hängt davon ab wie hoch die Spannungsdifferenz an dem Transistor im worst case Fall ist. Ich habe schon erlebt das bei einen Netzteil welches 24V 2Amp liefern sollte bei 35V Oberspannung 2 parallel Geschaltete BD249C nicht ausreichte und im Kurzschlussfalle ( trotz Strombegrenzung ) abgeraucht waren. Erst mit 3 Stück parallel war das Netzteil dauerkurzschlußfest.( Trotz großzügig überdimensionierter Kühlkörper). Es gibt bei bipolare Transistoren sowas wie ein Second Breakdown Effekt. Der wird gemeinhin vollkommen unterschätzt, und ist oft für den Tod von Transistoren verantwortlich, obwohl man die Grenzwerte des Transistors noch lange nicht erreicht hat. Ralph Berres
@Ralph Berres (rberres) >>Jens G. schrieb: >> und die dritte Sinnvolle, bei der Du einfach nur einen Transistor >> >> nimmst, solange man mit Strom und Leistung weit genug von den max. >> >> Werten entfernt bleibt. >> >> 3A sind noch kein Grund, zwei 10A TIP140 parallel zuschalten. >> >> Wie es mit der Verlustleistung aussieht, weis ich allerdings nicht. >Über diese Leiter würde ich so nicht ohne weiteres gehen. >Es hängt davon ab wie hoch die Spannungsdifferenz an dem Transistor im >worst case Fall ist. Das habe ich doch mit dem Punkt Verlustleistung abgehakt. Spannung alleine ist wurscht, Strom alleine ist wurscht - die Kombination beider (=Leistung) ist wesentlich, und sollte deutlich unter SOA-Grenzlinie liegen. >Ich habe schon erlebt das bei einen Netzteil welches 24V 2Amp liefern >sollte bei 35V Oberspannung 2 parallel Geschaltete BD249C nicht >ausreichte >und im Kurzschlussfalle ( trotz Strombegrenzung ) abgeraucht waren. >Erst mit 3 Stück parallel war das Netzteil dauerkurzschlußfest.( Trotz >großzügig überdimensionierter Kühlkörper). Dann haste wohl trotzdem was falsch gemacht. Denn der BD249 kann doch trotzdem noch 3A bei 30V oder 5A bei 20V machen (bei idealer Kühlung natürlich nur). Da sollte man bei 2A Strombegrenzung, 35V Eingang, 2 BD249, und Kurzschluß am Ausgang schon weit von den Grenzen weg sein. Vielleicht war der Übergang zw. T und KK zu hochohmig? Oder es war eine der misteriösen Fälschungen (schon wieder ;-)
> Denn der BD249 kann doch trotzdem noch 3A bei 30V oder 5A bei > 20V machen (bei idealer Kühlung natürlich nur). Also kann er's nicht. Warum schreibst du das dann nicht ? Warum ideale Kühlung als gegeben annehmen und bei der Gelegenheit nicht gleich ideale Transistoren ?
Naja bei einen Kühlkörper von etwa 1°/W ist die Kühlkörpertemperaturerhöhung ja schon 70 Watt. Wenn man 30° Umgebungstemperatur hinzu zählt, sind das schon 100° die am Kühlkörper stehen können. Jeder Transistor muss 35W verkraften mal (1,25°/w Transistor + 0,5°/W Glimmerscheibe ) sind 35*1,75 = 61,25° die das Halbleiterchip gegenüber dem Kühlkörper wärmer wird. Sind also schon 161° am Halbleiterchip. Da könnte es schon arg eng werden. Bei 3 Transistoren sind es dann 140,8° Chiptemperatur. So kan man sich mit dem Wärmehaushalt verschätzen. Ralph Berres
>das Halbleiterchip gegenüber dem Kühlkörper wärmer wird. Sind also schon >161° am Halbleiterchip. Da könnte es schon arg eng werden. >Bei 3 Transistoren sind es dann 140,8° Chiptemperatur. >So kan man sich mit dem Wärmehaushalt verschätzen. Da Du die Wärme an zwei Punkten in den KK einspeist, wirkt das Rth-erniedrigend. Da sind wir bestimmt bei genau 150°C - ausgeglichen ;-) @MaWin >> Denn der BD249 kann doch trotzdem noch 3A bei 30V oder 5A bei >> 20V machen (bei idealer Kühlung natürlich nur). >Also kann er's nicht. >Warum schreibst du das dann nicht ? >Warum ideale Kühlung als gegeben annehmen und >bei der Gelegenheit nicht gleich ideale Transistoren ? Warum nicht? Vielleicht habe ich noch welche hier rumliegen ;-) Aber ich hoffe, Du hast gesehen, daß ich damit nur die theoretischen max.Werte genannt habe, um zu sehen, daß hoffentlich noch genug Luft zur Realität ist. Habe mich aber leider etwas verschätzt.
Ideale Kühlung reicht nicht mal. Denn darunter wird konstante Gehäusetemperatur verstanden. Die Chiptemperatur liegt dabei durch den inneren Wärmewiderstand höher und die SOA-Kennlinie entsprechend tiefer. Um die SOA-Kurven der Datenblätter (in der Regel für 25°C angegeben) im Dauerbetrieb ausnutzen zu können, müsste man die Gehäuse weit unter 25 runterkühlen.
> Um die SOA-Kurven der Datenblätter (in der Regel für 25°C angegeben) im > Dauerbetrieb ausnutzen zu können, müsste man die Gehäuse weit unter 25 > runterkühlen. Nein, man müsste das Gehäuse auf max. 25°C halten.
Hier im DB des 2n3055 ist im thermisch limitierten Bereich von SinglePulse die Rede, also nicht von Dauerbetrieb.
Der "Single Pulse" dauert bei DC aber schon einigermaßen lange ...
Ja schade, dass das nicht besser definiert ist. Die Erfahrung zeigt aber, dass die Transistoren das als Dauerbelastung nicht aushalten. Auch die Kurven für den Sekundär-Duchbruch gelten ja nur für einen DC von <10%
Ralph Berres schrieb: > An den Emitterwiderstände soll immer bei maximalen Strom ca 0,6V > abfallen. dann könnte man eigentlich auch größere emitterwiderstände nehmen und jeden der beiden Rs mit einer Si-Diode in Flußrichtung überbrücken! eine 1N4001 sollte da eigentlich schon gute dienste tun.
> dann könnte man eigentlich auch größere emitterwiderstände nehmen und > jeden der beiden Rs mit einer Si-Diode in Flußrichtung überbrücken! ... Besser nicht !
> dann könnte man eigentlich auch größere emitterwiderstände nehmen und > jeden der beiden Rs mit einer Si-Diode in Flußrichtung überbrücken! [ ] Du hast verstanden wozu Emitterwiderstände dienen sollen
Benjamin schrieb: > dann könnte man eigentlich auch größere emitterwiderstände nehmen und > > jeden der beiden Rs mit einer Si-Diode in Flußrichtung überbrücken! NEIN!!! Ralph Berres
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