Servus! Ich habe vor 500V/12A DC zu schalten - Heizwicklung - größten Teils ohmsche Last. Die Mosfets müssten in weniger als einer us schalten können. Was muss ich bezüglich EMV beachten? Welche Maßnahmen könnt ihr mir empfehlen? Die Schaltzeiten der MOSFEts möchte ich nur ungern stark vergrößern, da in ihnen sonst zu viel Leistung umgesetzt wird. Drossel in Serie mit der Heizwicklung? Abschirmung? Viele Grüße, Eddi
Ich würde dir zu einer kombinierten Brand- und Haftpflichtversicherung raten. Mich wundert hier nichts mehr. Völlig ahnungslose wollen hier tolle Sachen bauen. Eh ich will ein KKW bauen was könnt ihr mir raten?
@ hhhhhh (Gast)
>tolle Sachen bauen. Eh ich will ein KKW bauen was könnt ihr mir raten?
Nimm MOX!
@Peter, die Spannung spricht für IGBTs, da die Ströme aber noch rel. gering sind stellt die Anforderung für MOSFETs auch kein wirkliches Problem dar. Und da noch zwei Stagen MOSFETs rumliegen... @oszi40 Ein Nullspannungsschalter würde bezüglich der Störungen nichts helfen. @Fralla Guter Punkt, wie wird das in großen Schaltnetzteilen gelöst? Weiß das jemand?
> Eh ich will ein KKW bauen was könnt ihr mir raten?
immer einen kasten bier neben den reaktor stellen! ;)
stellst dich mit einem Eis neben dran, dann kannst um die wette schmelzen...
> ok, wieder richtung thema, neu kann die problemstellung ansich nicht > sein. Erklär uns doch mal, warum du die Heizwicklung denn in weniger als 1us ausschalten musst. Bei einer Heizung ist es soch ziemlich egal, da würde ich einfach eine Freilaufdiode reinbauen.
> Wieso, hast du Nierenprobleme und willst daher warmes Bier trinken?
das kann man in den reaktor kippen wenn die wasserwerfer-feuerwehr sich
verspätet. das bier sollte daher wohl temperiert sein, sonst
verschlechtert sich die kühlwirkung. und wenn selbst dieser selbstlose
einsatz des wertvollen gesöffs nichts nützt kann man in den ruinen
wenigstens noch in aller ruhe sein letztes bierchen trinken. kurze zeit
danach bekommt der spruch "ich scheiß auf atomkraft" eine ganz neue
bedeutung.
SCNR
Sorry, da hatte ich wohl etwas schnell gelesen. Es bleibt noch die Frage, warum eine Heizung mit thermischer Trägheit sekundengenau geschaltet werden muß und was der Energieversorger zum versauten Netz sagt. Früher hätte man einen Schütz benutzt, was jedoch bei Gleichspannung mit einen erhöhten Kontaktabbrand endet.
wenns wirklich DC ist würde ich auch zu halbleitern tendieren. mit einem dicken FET oder IGBT in der minus-leitung ist das ja problemlos zu schalten. normalerweise muß das auch nicht so schnell schalten, oder soll das ganze per PWM geregelt werden? zur senkung der verlustleistung könnte man auch 2-3 600V FETs parallel schalten.
oszi40 schrieb: > Sorry, da hatte ich wohl etwas schnell gelesen. Es bleibt noch die > > Frage, warum eine Heizung mit thermischer Trägheit sekundengenau > > geschaltet werden muß und was der Energieversorger zum versauten Netz > > sagt. Du liest generell zu schnell. Sonst hättest Du erkannt, das er die FET schnell durchschalten will, damit da (bei langsamen Durchschalten) im Übergangsbereich nicht sinnlos Wärme verballert wird. Ob da nun bei sagen wir mal 2 Schaltvorgängen pro Minute 1 us oder 20us relevant sind: kann man trefflich drüber streiten.
Hallo Eddi, > Ich habe vor 500V/12A DC zu schalten - Heizwicklung - größten Teils > ohmsche Last. > Die Mosfets müssten in weniger als einer us schalten können. Was muss > ich bezüglich EMV beachten? Willst Du mit einer PWM im KHz-Takt schalten oder nur ab und zu ein- und ausschalten? Davon hängen die möglichen Maßnahmen ab. Gib mal bitte mehr Infos. David
Bei den Spannungen wird es wohl vernünftger Weise auf einen IGBT oder mehrere MOSFET hinaus laufen! Mit IGBT sind 1us schon die untere Grenze der Schaltgeschwindigkeit. Knut
Hallo, @Knut > Bei den Spannungen wird es wohl vernünftger Weise auf einen IGBT oder > mehrere MOSFET hinaus laufen! Als MOSFET erscheint mir der IPW60R045CP (Kanalwiderstand bei 25°C ca. 45 mOhm) von Infineon geeignet. Parallelschaltung wäre damit nicht erforderlich. Aufgrund seiner Avalanchefestigkeit (fast 2 Joule) kann man auch bei leichter induktiver Last, je nach Schaltfrequenz, die Freilaufdiode weglassen. Ein Trench-IGBT hat bei 12A knapp über 1V UCEsat, eine Freilaufdiode wäre hier jedoch schon bei leichten induktiven Lasten erforderlich. @Knut > Mit IGBT sind 1us schon die untere Grenze der Schaltgeschwindigkeit. Das war einmal. Ich arbeite viel mit modernen Trench-IGBTs, anbei mal ein paar gemessene!! Zeiten U ca. 400V, I ca. 20A, T ca. 50°C Gatewiderstand Einschalten 10 Ohm Gatewiderstand Ausschalten 2 Ohm Halbbrücke Induktive Last (ca.200uH) IRF IRGP4062 / 600V Einschalten 30ns, Ausschalten 80ns IRF IRG7PH35UD / 1200V Einschalten 30ns, Ausschalten 100ns Infineon IKW30N60T / 600V Einschalten 30ns, Ausschalten 110ns Infineon IKW40T120 / 1200V Einschalten 50ns, Ausschalten 250ns Das beste EMV-Verhalten haben die beiden Infineons, das schlechteste (im direkten Vergleich) der IRG7PH35UD. Schlecht ist hier aber relativ zu sehen, für sich betrachtet ist er auch gut. David
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