Hallo, ich baue eine Stromversorgung ähnlich wie im Anhang auf. Allerdings will ich für C_stab1 und C_stab2 große (mF) Kondensatoren nehmen und sobald diese aufgeladen sind mit einem Schalter die ganze Schaltung von der Spule trenne. Also z.B. einen Schalter in Serie mit L_2. Hintergrund ist, dass über Spannung der Kondesatoren eine Schaltung (~uW) versorgt wird die verschiedene Kapazitäten an die Spule schaltet und ich über die Resoanzfrequenz durch den gebildeten Schwingkreis die Kapazitätswerte auslesen will. Das ganze wird also ein Sensor. Nun, das Problem ist aber die Auswahl des Schalters. Ich hatte mal bei Normally On PhotoMOS Schaltern geschaut. Die brauchen aber zum unterbrechen des Kontakts ~0.1mA, das ist etwas viel im Vergleich dazu was der Rest der Schaltung verbraucht (uW). Kennt jemand eine Alternative mit geringerem Verbrauch? Habe mit Depletion Mode MOSFETs überlegt aber bin nicht so recht auf einen grünen Zweig gekommen. Danke für alle Hinweise, Tim
Den also quasi per Pullup wie ne Diode verschalten? - Wenn ich den dann aber auf 0V ziehe fließt ja durch den Pullup nen Strom. Wie hochohmig kann man die Pullup denn wählen? Mohm? Grüße
Tim schrieb: > Wenn ich den dann aber auf 0V ziehe fließt ja durch den Pullup > nen Strom. Richtig. > Wie hochohmig kann man die Pullup denn wählen? Mohm? Das kommt auf den Leckstrom des Mosfets an. Mohm sollten gehen. Als Beispiel der IRF7319, der hat 100nA als Leckstrom zwischen Gate und Source. Das ergibt mit 1Mohm gerade mal 0,1V. Wobei ich da sagen würde: Einige unterschiedliche Typen durchmessen, denke die Werte vom Datenblatt können recht pessimistisch sein. Aber Achtung, je größer der Pullup, desto länger dauert das umschalten.
Ok werde das mal austesten. Ich könnte ja so ganz elegant die Dioden vom Gleichrichter so ausführen. C_2 ist eh nicht so groß, mal schauen.... Danke soweit
Hey, habe das nun mal aufgebaut und wollte es mit PSPICE überprüfen. Das mit dem Pullup scheint zu funktionieren. D.h. wenn R60 offene Klemmen sind läd sich der Kondensator auf. Nur wenn ich das über einen Schalter (durch R60 modeliert) sperren will fließt moch ein recht großer Strom durch den FET. Nach dem Datenblatt http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BSH105.pdf sollte da eher ein Strom im nA bereich fließen.... Ist das Modell schrott? Habe ich da einen Denkfehler? Danke für alle Antworten, Tim PS: Die Diode war jetzt nur eine für die ich schnell ein Model gefunden habe, da sollte eine Rein mit möglich kleiner Forward Voltage, aber das sollte ja an der Schaltung an sich nicht änderen. PPS: Hier das Model: .SUBCKT BSH105/PLP 1 2 3 * 1=drain 2=gate 3=source Cgs 6 3 92e-12 Cgd1 6 4 541e-12 Cgd2 1 4 27.5e-12 M1 5 6 3 3 MOST1 M2 4 6 5 3 MOST2 D1 3 1 Dbody Rd 5 1 Rtemp 50e-3 Rg 2 6 90 .MODEL MOST1 NMOS (LEVEL=3 W=0.1 L=0.3e-6 Vto=0.914 Kp=1.21e-5 + RS=0 RD=0 UO=650 VMAX=0 XJ=0.5E-6 KAPPA=10E-2 + ETA=5e-5 TPG=1 IS=0 LD=0 WD=0 CGSO=0 CGDO=0 + CGBO=0 NFS=1.17e12 DELTA=0.1) .MODEL MOST2 NMOS (LEVEL=3 W=0.1 L=0.3e-6 Vto=-3.23 Kp=1.21e-5 + RS=1000 RD=1000 UO=650 VMAX=0 XJ=0.5E-6 KAPPA=10E-2 + ETA=5e-5 TPG=1 IS=0 LD=0 WD=0 CGSO=0 CGDO=0 + CGBO=0 NFS=0 DELTA=0.1) .MODEL Dbody D(Is=1e-14 N=0.9 Rs=0.044 Ikf=1e3 Cjo=0 M=0.5 Vj=0.4 + Bv=20 Ibv=10e-6 Tt=20e-9) .MODEL Rtemp RES(TC1=3.9e-3 TC2=6.1e-6) .ENDS *$
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