Batt. Ladung per MOSFET Ein/Aus schalten

[Juergen G. (jup)]

Ich habe eine Wissensluecke bezueglich MOSFET oder 
Batterielade-verhalten.und bin auf Euren Rat angewiesen.

Ich habe 4 Bleigel Batterien und eine Ladeschaltung mit einem LM317 wie 
im Datenblatt des LM317 auf Seite 11 "12V Battery Charger"

Mit einem AVR werden die Spannungen der Batterien ueberwacht und je nach 
bedarf soll jeweils eine der Batterien an die Ladeschaltung geschaltet 
werden.

Das versuche ich jetzt per N-MOSFET (FDN335P Datenblatt im Anhang) zu 
realisieren aber es tut nicht, und ich versteh nicht warum es nicht tut.

Ich habe nach der Ladeschaltung eine Diode dann an Drain des MOSFET, 
Source an den Plus der Batterie, Minus der Batterie an GND.

Gebe ich jetzt 5V auf das Gate, tut sich nichts, das heisst kein Strom 
fliesst zwischen der Diode und Drain des MOSFET.
Klemme ich statt der Batterie eine LED mit R zwischen Source und GND 
leuchtet die LED wenn 5V am Gate.

Fuer mich sieht das so aus als ob der MOSFET eine min. Spannung zwischen 
D und S braucht um durchzuschalten. Die 1.8V Differenz zwischen 
Ladeschaltung und Batterie scheinen ihm nicht zu genuegen.

Kann mir jemand erklaeren welche Parameter des MOSFET mir Auskunft 
darueber geben.

Ju

[Michael (Gast)]

Juergen G. schrieb:
> Kann mir jemand erklaeren welche Parameter des MOSFET mir Auskunft
> darueber geben.

Damit der FET durchschaltet braucht er eine ausreichende Gate-Source 
Spannung (Datenblatt Fig. 5 Transfer Characteristics)

MfG

[Juergen G. (jup)]

Danke fuer die Antwort.

Das ist genau das was ich vermutet hatte. Ich dachte es gibt dazu 
direkte Angaben im Datenblatt, welche min. VDS der MOSFET hat.

In Figure5 steht das diese Kurve bei VDS = 5V ist.

ist das dann die min. VDS?

[edit]
Sorry, nicht richtig gelesen.
Du schreibst min. VGS, das ist mir klar. Was ist aber mit VDS.

Ju

[BMK (Gast)]

Ist doch ganz einfach, mit VGS wird er angesteuert und wird dann
als Folge ab ca. 1,5V die DS-Strecke niederohmig machen.(Figure4)

Und wenn Laststrom durch DS fließt, ergibt sich VDS = I * RDSon
entsprechend Figure1

[HildeK (Gast)]

Wie wäre es mal mit einer Skizze deines jetzigen Aufbaus? Bei meinem 
Datenblatt des LM317 sind nur Kurven auf Seite 11 ...

Ich vermute mal, du willst in der +Leitung einen MOSFET-Schalter 
einsetzen. Wenn ja, dann ist der n-Kanal-FET sowieso nicht das Mittel 
der Wahl, sondern ein p-MOSFET.
Such dir einen, mit mehr als 12V UGS.
Womit willst du das Gate ansteuern?

[Juergen G. (jup)]

Danke an Alle,
Ihr habt ja sowas von recht, und ich bin der Doofsten Einer.


In meiner Schaltung wird mit angeschlossener Batterie und 5V Gate-GND 
das Gate nie >1.5V positiver als der Source, da die Batteriespannung, 
also das Potenzial an Source, nie unter 12V geht.

Nochmal danke fuer Eure Beitraege.

Ju