Wechselrichter-Problem abhängig von MOSFET Typ

[Jedi82 (Gast)]

Guten Abend,

ich habe einen funktionierdes Wechselrichter fünf paar Mal bestücken 
lassen, und habe ggü. dem Vorgänger nur die MOSFETs geändert.

Bisher habe ich mit den IRLS4030 gearbeitet (Gate Widerstände 27R). 
Diese Typen sind haben niedrigen Rdson bereits bei 4,5V. Diese werden 
gemessen nach ca. 470ns erreicht, die weitere Aufladung durch den 
Brückentreiber auf 13V dauert insgesamt 1,5µs.

Mit den neuen MOSFETs IRF8010 erreiche ich nun in etwas die gleichen 
Schaltzeiten, allerdings steigt mit der Brückentreiber (Allegro A4935) 
bereits bei 38V Batteriespannung mit einer Fehlermeldung (undervoltage 
bootstrap) aus. Mit den alten MOSFETs konnte ich selbst bei 46V noch 
ohne Probleme fahren.

Auf den ersten Blick sind die Datenblätter für mich ziemlich ähnlich. 
Erkennt vielleicht jemand eine Eigenschaft, die dieses Verhalten 
erklären könnte? Was sind denn wesentliche Unterschied zwischen den 
beiden MOSFETs?

Wäre sehr dankbar für Hinsweise, vielleicht kann ich dann das Umlöten 
der MOSFETs ersparen.

Dankeschön und guten Abend allen,
Jedu

[Andreas K. (derandi)]

Klingt erst mal so als ob die Gate-Kapazitäten beim neuen Mosfet größer 
ist und dem Treiber auf der High-Side deswegen der Saft ausgeht.

[Jedi82 (Gast)]

Nein auf keinen Fall. Die Aufladung der Gates ist gleich schnell...
Die Gatekapazität ist nahezu identisch...

[Jedi82 (Gast)]

Gerade intensiv die Datenblätter verglichen. Die Reverse Recovery Charge 
ist bei den nicht funktionierenden MOSFETs ca. 5 Mal größer.

Kann das der Grund sein?

[Andreas K. (derandi)]

Jedi82 schrieb:
> Nein auf keinen Fall. Die Aufladung der Gates ist gleich schnell...
> Die Gatekapazität ist nahezu identisch...

Die Miller-kapazität ist aber fast doppelt so groß.

[Jedi82 (Gast)]

Ja, aber die ist doppelt so groß bei dem Typen der gut funktioniert. Das 
verstehe ich irgendwie nicht...