Siliziumkarbid-JFETS

[Global Bläher (Gast)]

Welche Hersteller neben http://www.semisouth.com/ stellen solche 
Siliziumkarbid-JFETS (siehe Datenblatt) her?

[Arno H. (arno_h)]

Mosfet gibts einige, zB CREE, aber JFET habe ich noch keine gesehen.
Seit wann misst man denn den IDss eines selbstleitenden FET mit -15V 
UGS?

Arno

[Falk B. (falk)]

@  Arno H. (arno_h)

>Seit wann misst man denn den IDss eines selbstleitenden FET mit -15V
>UGS?

Na weil der Leckstrom nur bei gesperrtem Transistor fließt ;-)

Aber Power-FETs als JFET, das ist ja mal cool! Und 85mOhm bei 1200V 
Sperrspannung ist schon der Hammer!

MFG
Falk

[Georg A. (Gast)]

In der Elektronik war auch grad ein Artikel dazu drin, war das auch 
Semisouth?

[Johannes E. (cpt_nemo)]

> Welche Hersteller neben http://www.semisouth.com/ stellen solche
> Siliziumkarbid-JFETS (siehe Datenblatt) her?

Infineon hat auch schon SiC-JFets, die werden aber zur Zeit noch nicht 
so richtig öffentlich verkauft.

[Arno H. (Gast)]

Falk Brunner schrieb:
> Na weil der Leckstrom nur bei gesperrtem Transistor fließt ;-)

Du weisst, was das zweite s in IDss bedeutet?

Arno

[Stimmy (Gast)]

Interessante Sache; von Power-JFETs habe ich bisher noch nix gehört...
Und die Daten sprechen ja auch für sich. Leider sind in diesem 
Preliminary-Datenblatt noch keine Schaltzeiten angegeben - die wären 
nämlich auch sehr wichtig und interessant.
Bemerkenswert ist auch die "Short circuit withstand time" von 50µs bei 
800V.
Da kann man sich ja (Achtung, Ironie...) die Deadtime bei Halbbrücken 
völlig sparen ;)

Und einen ganz witzigen Fehler habe ich im Datenblatt gefunden:
Als max. zulässige negative Gatespannung sind in den "absolute maximum 
ratings" -15V angegeben.
Und etliche der "Electrical Characteristics" sind bei Vgs <= -15V 
angegeben ;)

[Stimmy (Gast)]

SiC scheint ja überhaupt ein sehr gutes Halbleitermaterial für sehr hohe 
Spannungen zu sein.

Cree hat z.B. einen "normalen" N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit SiC als 
Halbleitermaterial im Angebot:
http://www.cree.com/products/pdf/CMF20120D.pdf

Übrigens kann man sie bereits kaufen; bei Digikey für gerade mal 94 
US-Dollar pro Stück...

Der Rds ist mit 0,08 Ohm ähnlich wie bei dem SiC-JFET von Semisouth.

Im Gegensatz zu normalen N-Channel-Power-FETs und IGBTs brauchen diese 
FETs aber 20...22V Gatespannung, um voll durchzuschalten.

[Global Bläher (Gast)]

Es gibt die von Southsemi als Anreicherungs und Verarmungstyp.
Hier nochjmal das andere Datenblatt.

[Ulrich (Gast)]

Das sind selbst Sperrende JFETs. So etwas findet man bei Silizium in der 
Regel auch nicht. Dafür ist der Gate Strom auch deutlich größer als man 
es sonst kennt.