Hallo, ich würde gerne den Bahnwiderstand des Dual-Gate-Mosfets BF966S bestimmen. Da im Datenblatt** keine direkten Angaben dazu gemacht werden, wollte ich diesen über die Formel R_G = f_T / (S*f_Y21s) bestimmmen (aus Tietze-Schenk) Grenzfrequenz und Steilheits-Grenzfrequenz sind jedoch auch nicht gegeben. Die Grenzfrequenz kann ich zwar mit Angaben im Datenblatt bestimmen mit: f_T = S / (2*pi*(C_GS+C_GD)) jedoch finde ich keine Möglichkeit die Steilheits-Grenzfrequenz zu bestimmen. Gibt es eine andere Möglichkeit oder habe ich im Datenblatt etwas übersehen? Vielen Dank schonma im voraus Gruß Benny ** http://www.reichelt.de/index.html?;ACTION=7;LA=3;OPEN=0;INDEX=0;FILENAME=A100%252FBF966S.pdf;SID=10Tfjt9H8AAAIAADghAasecb2aac9fc653ecc2498b4f33837005d
Benjamin K. schrieb: > die Steilheits-Grenzfrequenz zu > bestimmen Die hängt von der Quelle am jeweiligen Gate und den Kapazitäten innerhalb des FET ab. Doch Vorsicht: die Gate-Drain-Kapazität wird durch den Miller-Effekt evtl. stark vergrößert: Die Spannung am Gate sei nun Uin, die am Drain -Uin*k(AC-mäßig zu betrachten). Durch die Verstärkung der Spannung von Gate zu Drain mit einem Verstärkungsfaktor, nenne ich mal k, sieht die Gate-Drain-Kapazität einen Spannungsunterschied von (1+k) * Uin. Die GD-Kapazität sieht also vom Gate aus gesehen um den Faktor (1+k) größer aus, als sie tatsächlich ist. Man kann diesem Problem mit einer niederohmigen bzw. niederimpedanten Ansteuerung des Gates begegnen. Die Obergrenze ist jedoch spätestens dann erreicht, wenn bereits die Ansteuerung eine Verlustleistung im FET erzeugt, die für diesen nicht mehr tragbar ist. Eine zweite Lösung ist, das Gate mit einer Stromquelle anzusteuern. Da die Spannung an einem Kondensator das Integral des in ihn hineinfleißenden Stromes ist, muss man sich für die Dimensionierung dieser (gesteuerten) Stromquelle für eine "Schaltzeit" entscheiden(*). mfg mf (*) Dass diese Schaltzeit nicht beliebig klein sein kann, dürfte einleuchten :)
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