Wenn ein PWM-LED-Treiber mit 96KHz (PCA9635, http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PCA9635.pdf) eine 12V/125mA-LED-Kette mit einem MOSFET (IRLML2502, http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml2502.pdf) dimmen soll, kann dann der MOSFET direkt an den Treiber? An die LED-Treiber-Ausgänge kommen normalerweise LED + Widerstände. Die LED-Ausgänge können laut Datenblatt programmiert werden: "Either open-drain with a 25 mA current sink capability at 5 V or totem-pole with a 25 mA sink, 10 mA source capability at 5 V". Habe als Laie keine Ahnung, was das bedeutet. Reicht das, um diesen MOSTFET zu steuern? Oder einen anderen? Aus dem Datenblatt stammt die Schaltung im Anhang. Geht das so auch mit 12V am Kollector? Welcher (SMD-)Transistor würde in Frage kommen, um die 12V/125mA-Kette zu schalten?
Ja sollte gehen, den Transistor einfach durch den FET ersetzen. Den Widerstand (zum Transistor) brauchst dabei nicht mehr. Und ja die LED kann so an 12V betrieben werden. > totem-pole with a 25 mA sink, 10 mA source capability at 5 V" Dabei diese Einstellung wählen um den FET anzusteuern.
Ich hatte bei der Forumssuche eine Beitrag gefunden, der nahelegt, dass es so doch nicht geht: der Strom durch die Gatekapazität soll bei so hohen PWM-Frequenzen zu gross werden (weit über 10mA). Ist da was dran? Wenn ja, kann man das Problem schon mit einem Gatewiderstand lösen oder gibt es bei den FETs hinsichtlich der Kapazität gute und schlechte?
Kenn mich da jetzt auch zuwenig aus, ob das ein Problem wird. Aber ein Gatewiderstand hilft kaum (aber schützt dein IC). Das Signal wird dann mehr oder weniger verschliffen und der FET steuert nicht mehr sauber durch. In der Tabelle kannst auswählen, denke möglichst ein kleiner Qg https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672
mitlesender Gast schrieb: > Aber ein Gatewiderstand hilft kaum (aber schützt dein IC). Bei gegebener Spannungsdifferenz begrenzt ein Gatewiderstand (abgesehen vom Ausgangswiderstand des µC) den Strom ziemlich genau auf I=U/R. Warum soll das nicht helfen? Allerdings bildet die Gatekapazität (siehe DS) mit dem Widerstand eine Zeitkonstante für die Umschaltung. Da während der Flanke die Verlustleistung im FET höher ist, wird der bei zu langsamen oder zu häufigen Flanken warm. Bei 0.125 A sollte die Verlustleistung aber beherschbar sein, wenn die Gatekapazität nicht zu hoch ist. ;-)
Tip schrieb: > Bei gegebener Spannungsdifferenz begrenzt ein Gatewiderstand (abgesehen > vom Ausgangswiderstand des µC) den Strom ziemlich genau auf I=U/R. Warum > soll das nicht helfen? Dem IC hilfts ja schon, aber dem FET nicht... > Da während der Flanke die > Verlustleistung im FET höher ist, wird der bei zu langsamen oder zu > häufigen Flanken warm.
mitlesender Gast schrieb: > Dem IC hilfts ja schon, aber dem FET nicht... Und was soll der FET für ein Problem haben? Bei 25 nC Gateladung und 100Ω Gate-Vorwiderstand wird der keine 100mW verheizen. (U_GS gn, I_DS bl, P_FET rt)
Da ich normalerweise nur Software mache, blicke ich bei Eurer Diskussion nicht durch. Wenn ich das richtig verstehe, braucht ein FET relativ viel Strom für schnelles Umladen (Gateladung in 40ns bei 96Khz-8bit-PWM => über 50mA?), was das PWM-IC beschädigen würde (?). Also müsste ich einen grossen Gate-Widerstand (100 Ohm?, 200 Ohm?, wie gross?) vorsehen, der wiederum schnelle PWM verhindert. Weitere Forensuche hat als Lösung zu MOSEFET-Treibern geführt. Ich habe mir bei Reichelt den MCP14E7 herausgesucht, weil ich zwei Kanäle brauche. Von dem MCP14 gibt es verschiedene Varianten: komplementär, invertierend und nicht invertierend. Ist nicht-invertierend richtig (verhält sich die LED-Kette hinter dem MOSFET dann so, wie eine direkt angeschlossene LED)?
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