Spannungsproblem

[Matthias (Gast)]

Liebes Forum,

ich will 2 Energienetze bidirektional miteinander verbinden, das ganze 
soll mit 3,3 V Logik gesteuert werden.

Das erste Netz hat 0 - 18 V, das zweite 0 - 34 V auf einen gemeinsamen 
GND.

Im Extremfall also -34 V oder +12V Spannungsdifferenz an der 
Schaltstelle.

MOSFETs scheiden also aufgrund der internen parasitären "Freilaufdiode" 
aus.

Bei den Transistoren gibt es das UBE Problem, wir überschreiten die 
Höchstwerte da, oder?

Wie bekomm ich also hin, dass ich die Netze trennen und verbinden kann 
mit einem hochohmigen 3,3V Signal vom µC?

MfG

Matthias

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Matthias schrieb:
> Wie bekomm ich also hin, dass ich die Netze trennen und verbinden kann
> mit einem hochohmigen 3,3V Signal vom µC?
Teile und Herrsche!
Teile deine Aufgabe erst mal in 2 kleinere auf:
1.
> Wie bekomm ich also hin, dass ich die Netze trennen und verbinden kann
2.
> mit einem hochohmigen 3,3V Signal vom µC?

Was sind das für Netze?
Warum sollen die aufeinander geschaltet werden?

> MOSFETs scheiden also aufgrund der internen parasitären "Freilaufdiode"
> aus.
> Bei den Transistoren gibt es das UBE Problem, wir überschreiten die
> Höchstwerte da, oder?
Das sind eigentlich nur Randprobleme...

[Matthias (Gast)]

Stimmt, ich habe ein wenig karge Informationen gegeben.

Das ganze ist im Bereich der Kleinsignallösung auf einer Platine, keine 
großen Bauteile also.

Ich will die Stromkreise einfach nur parallel zusammenschalten, nicht 
seriell. Es geht mir eigentlich darum einen Hilfsstromkreis bei Bedarf 
dem Hauptstromkreis zuzuführen.

Ströme fließen grob geschätzt im 500 mA Bereich.

[oszi40 (Gast)]

Die Angaben sind noch unverständlich solange uns nicht der Zweck bekannt 
ist. Auch über Masse könnten gigantische Ausglichsströme fließen.

Wenn ich "Energienetze" lese, dann denke ich eher an Optokoppler oder 
Glasfaser um Masseprobleme, verschleppte Spannungen usw. möglichst zu 
vermeiden.

[Matthias (Gast)]

Ich skizziere das mal etwas, wie es aussehen würde, wenn der Transistor 
es aushält, was er ja nicht tut:

V1 0 - 12 V ---------------+----------------------------+
                           |                            |
                         |/                             |
          3,3 V ---------|                             | | R1
                         |\                  R2        |_|
                           |                __        |
V2 0 - 34V ----------------+---------------|____|-------+
                                                       _|_ GND

Das sollte im Prinzip so aussehen (R1,2 sind Lasten), mein Problem ist 
lediglich, dass ich nicht weiß wie ich mit einem Transistor alle 
Extremfälle abdecke(n) (kann).