Hallo, http://www.mikrocontroller.net/articles/FET In diesen Artikel steht: "Da die Gatekapazität nicht direkt im Datenblatt enthalten ist kann man sich mit der Eingangskapazität Ciss behelfen. Im Arbeitspunkt ist die Gatekapazität ungefähr 5x größer als der im Datenblatt für Ciss angegebene Wert." Aber Ciss ist eigentlich die Gatekapazität + der Spannungsabhängigen Gate-Drain Kapazität. Fehler im Artikel? Eine Frage noch: in den Datenblättern steht in den Diagrammen zu Ciss immer Cds shorted dabei. Was bedeutet das? mfg
>Eine Frage noch: in den Datenblättern steht in den Diagrammen zu Ciss
immer Cds shorted dabei. Was bedeutet das?
Dass die Drain-Source Kapazitaet kurzgeschlosssen ist.
Oktav Oschi schrieb: >>Eine Frage noch: in den Datenblättern steht in den Diagrammen zu Ciss > immer Cds shorted dabei. Was bedeutet das? > > Dass die Drain-Source Kapazitaet kurzgeschlosssen ist. Das ist mir schon klar. Wie wird jedoch eine parasitäre Kapazität kurzgeschlossen??
www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf Figure 5. Ich möchte wissen was es in diesem Bezug bedeutet.
dmos schrieb: > Figure 5. Ich möchte wissen was es in diesem Bezug bedeutet. Ich interpretiere das so, dass zwischen D und S eine Spannung V_DS (x-Achse im Diagramm) angelegt wird. Die DS-Kapazität ist damit wechselspannungsmäßig kurzgeschlossen, hat also keinen Einfluss auf die Messung von Ciss.
Das wirds sein. Bei Uds = 0V wirkt sich dann die Gate-Drain Kapazität am stärksten (Miller-Effekt) so wie man es auch im Diagramm sieht. Danke Yalu.
dmos schrieb: > Bei Uds = 0V wirkt sich dann die Gate-Drain Kapazität am > stärksten (Miller-Effekt) so wie man es auch im Diagramm sieht. Das ist nicht der Miller-Effekt. Der Miller-Effekt wird dadurch ausgeschlossen, dass Uds bei der Kapazitätsmessung konstant ist. Die Kapazitätsänderung kommt von der spannungsabhängigen Kapazität des PN-Übergangs zwischen Bulk (bzw. Source) und Drain. Die Kapazität eines PN-Übergangs sinkt mit steigender Spannung in Sperrrichtung.
Stimmt bei Uds konstant kann es keinen Miller-Effekt geben. Jetzt ergibt die Faustformel im Artikel doch Sinn :-)
> Jetzt ergibt die Faustformel im Artikel doch Sinn
Ja, nur das Rechnen mit den Kapazitäten im Datenblattt nicht. Oder
betreibst du den Mosfet mit UGS=0 und wechselspannungsmäßig
kurzgeschlossenem Drain? Sicher nicht. Diese Werte taugen nur als grober
Anhaltspunkt und zum Vergleich von Transistoren untereinander.
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