high and low side driver

[Marcus (Gast)]

Hallo,

ich bin bei der Schaltungsauslegung/Redesign einer MOSFET H-Brücke und 
benötige passende Treiber. Ziel sind max. 400A bei 16V und das mit 
jeweils 4 parallel geschaltete Mosfets. Nach ersten überschlägigen 
Rechnungen benötige ich bei den geforderten Ein-/Ausschaltzeiten etwa 2A 
Peak pro Mosfet. 120nC/60ns (trr_bodydiode~60ns)
Kann mir jemand einen Tip für einen Low-/Highside Treiber geben der die 
gewünschten 8A peak liefert ?
Bei International rec. hören die Treiber bei 4A source/sink auf.
Ixys hat nur low side Treiber bis 12A peak. Wäre schon schön wenn ich 
die Treiberschaltung nicht wieder "zu Fuß" aufbauen müsste.

Gruß
Marcus

[Fralla (Gast)]

Schau bei Fairchild.
Ixys hat auch etwas bis 25A für RF-Anwendungen (Class E, etc), abrauchst 
du aber nicht.
Viele Treiber lassen sich einfach parallelschalten..
Welche Mosfets sind es?

[steffen (Gast)]

microchip TC4451/4452: 12A
Texas Instruments UCCxxx ( weiss ich grad nicht auswendig): 9A

[Marcus (Gast)]

Fralla schrieb:
> Viele Treiber lassen sich einfach parallelschalten..
> Welche Mosfets sind es?

Hallo,

es sind IRFSL3107. Id_max(Tc=100°C)=160A
Mit Vdss von 75V zwar etwas überdimensioniert aber leicht beschaffbar 
für ein Labormuster bzw. Kleinstserie.

Das mit der Parallelschaltung ist eine gute Idee. Da hätte ich den 
IRS21864 mit 4A von International.
Vielen Dank.

Gruß
 Marcus

[Fralla (Gast)]

Ich würde nicht so stark mit der Spannung Überdimmensionieren, mit einen 
kleineren FET (von der Spannung her) hast du bestimmt um den Faktor 3 
weniger Gateladung, Schaltzeiten, etc.

Auch über "Direct Fet" (Fairchild) und CANPAK (so nenn Infinoen das 
gleiche, gekauft) Gehäuse nachdenken.
Verwende diese Gehäuse für Synchrongleichrichter und habe Platz 
einsparen und Wirkungsgrad erhöhen (weniger temp, kälter) können...