Hallo, habe folgende Frage. Hab eine Stromquelle die zwischen 6V und 20V rausgibt. Ich brauche jetzt nur die Polaritätsumschaltung am Ausgang die etwa 120mA kann. So etwas könnte man z.B. mit zwei SPDT-Switches lösen (2 Wechsler) oder mit einer MOSFET-Vollbrücke. Solche Switches die 20V und 120mA abkönnen finde ich nicht. Die Mosfet-Vollbrücke erfordert spezielle Gate-Spannungen, wobei hier nur eine aus P- und M-MOSFETs in Frage kommt da die Brückespannung schwankt (6V...20V). Für eine Vollbrücke auschließlich aus N-MOSFETs bräuchte man für die High-Side immer etwas höhere Gate-Spannung als 6....20V. Kennt vielleicht jemand eine Lösung?
Das Problem ist dass es ohne Mechanik gehen soll und digital gesteuert. Jetzt habe ich herausgefunden dass es mit P-N-Mosfetbrücke schon theoretisch geht. Nun brauche ich synchronen Treiber mit einem negierten und nichtnegierten Ausgang bzw. 1:2 Miltiplexer um die Brücke zu steuern. (also komplementäre Ausgänge) Die eine Halbbrücke bekommt das Negierte Signal, die andere das Nichtnegierte. Der muss die Gates schalten können, kurzzeitige Ströme bis 1A.
Fragender schrieb: > Hab eine Stromquelle die zwischen 6V und 20V rausgibt. Soso... Fragender schrieb: > dass es mit P-N-Mosfetbrücke schon theoretisch geht. Willst du da nur irgendwas theoretisch machen, oder hast du damit praktisch was vor? Falls zweiteres: warum sagst du nicht einfach, was du machen willst. Nicht wie du das machen willst. > Der muss die Gates schalten können, kurzzeitige Ströme bis 1A. Wer? Wie wäre es, wenn du nicht nur irgendwelche Gedankensplitter, sondern was Zusammengehöriges und Schlüssiges postest?
Lothar Miller schrieb: > Soso... > Willst du da nur irgendwas theoretisch machen, oder hast du damit > praktisch was vor? Falls zweiteres: warum sagst du nicht einfach, was > du machen willst. Nicht wie du das machen willst. > Wer? > Wie wäre es, wenn du nicht nur irgendwelche Gedankensplitter, sondern > was Zusammengehöriges und Schlüssiges postest? Ich finde diesen Ton eine absolute Frechheit. PS: Hab mein Problem mit der Umpolung übrigens gelöst. Vielen Dank auch.
Hallo. Hab vergessen die Lösung zu posten, sorry. Das tue ich aber gerne da ich dieses Forum schätze. Also Polarität umzuschalten, wenn es nicht sonderlich schnell gehen soll (so im ms Bereich) und bis 1A geht wunderbar mit PhotoMOS-Transistoren (von Panasonic) in dem man mit denen eine H-Vollbrücke aufbaut. Gegenüber N oder P-MOSFETS haben sie mehrere Vorteile: keine hohe Spannungen für High-Side-Gates da optisch nur per LED gesteuert, wirklich bidirektional und klein. Man steuert dann die Brücke am besten mit zwei Signale um Überschneidungen/Kurzschlüsse zu vermeiden. Ich hoffe damit geholfen zu haben. Fragender.
Hallo, liebe Moderatoren, könnt ihr Bitte die Überschrift korrigieren (Polarität)? Sonst taucht der Beitrag nicht in der Suche auf! Danke.
Die PhotoMos brauchen ca 10mA pro Streuereingang, sonst schalten die nicht durch. Und haben um die 2V Spannungsabfall, dh 4V fuer 2 in Serie. Schoen wenn man beides hat.
Dekad Oschi schrieb: > Die PhotoMos brauchen ca 10mA pro Streuereingang, sonst schalten die > nicht durch. Und haben um die 2V Spannungsabfall, dh 4V fuer 2 in > Serie. Schoen wenn man beides hat. Das ist ein wenig übertrieben. Schau dir diesen an: AQY212S. Und selbst wenn: 10mA ist nun wirklich gar nichts im Vergleich zu kurzzeitigen Einschaltströmen bis 1A bei normalen MOSFETS für die du oft sogar MOSFET-Treiber brauchts, schon wegen der hohen Gate-Spannungen etc. In der Elektronik ist es grundsätzlich so dass man niemals nur Vorteile hat, ist doch bestimmt nichts Neues für dich, oder?
Fragender schrieb: >> Wie wäre es, wenn du nicht nur irgendwelche Gedankensplitter, sondern >> was Zusammengehöriges und Schlüssiges postest? > Ich finde diesen Ton eine absolute Frechheit. Du hast noch nicht viel erlebt im Leben, oder wie? :-o Das ausführliche und konkrete Beschreiben eines Problems nennt sich Netiquette Dekad Oschi schrieb: > Die PhotoMos brauchen ca 10mA pro Streuereingang, sonst schalten die > nicht durch. Und haben um die 2V Spannungsabfall, dh 4V fuer 2 in > Serie. Schoen wenn man beides hat. Fragender schrieb: >>>> Hab eine Stromquelle die zwischen 6V und 20V rausgibt. Reicht doch locker. Fragender schrieb: >> Die PhotoMos brauchen ca 10mA pro Streuereingang, > Und selbst wenn: > 10mA ist nun wirklich gar nichts im Vergleich zu kurzzeitigen > Einschaltströmen bis 1A bei normalen MOSFETS für die du oft sogar > MOSFET-Treiber brauchts, schon wegen der hohen Gate-Spannungen etc. Du selber hast soch von langsamen Umschaltvorgängen gesprochen. Da brauchst du kein Ampere zum Ansteuern eines Mosfets. Was meinst du, woher die Energie zum Umschalten der Photomos kommt? Richtig: vom Licht, das die 10mA auf einer Fotozelle erzeugen... Und welchen Wirkungsgrad hat wohl die Kette aus LED--> Licht--> Fotozelle--> Gate? Wieviel Strom kommt da von der LED am Gate an?
Lothar Miller schrieb: > Du hast noch nicht viel erlebt im Leben, oder wie? :-o Wir sind hier nicht in der Wildnis und ein freundlicher Ton ohne Getrolle ist angemessen und gewollt. > Das ausführliche und konkrete Beschreiben eines Problems nennt sich > Netiquette Kann darin nicht rauslesen dass man unfreundlich sein muss. Eher den Gegenteil: ein bischen sozialer Kompetenz gehört schon dazu. > Du selber hast soch von langsamen Umschaltvorgängen gesprochen. Da > brauchst du kein Ampere zum Ansteuern eines Mosfets. Was meinst du, > woher die Energie zum Umschalten der Photomos kommt? Richtig: vom Licht, > das die 10mA auf einer Fotozelle erzeugen... > Und welchen Wirkungsgrad hat wohl die Kette aus LED--> Licht--> > Fotozelle--> Gate? Wieviel Strom kommt da von der LED am Gate an? Bitte Beiträge genau lesen. Ich habe geschrieben dass es um digitale Steuerung geht und ein MOSFET hat eine relativ hohe Kapazität am Gate. Daher hoher Einschaltstrom. Hat nichts mit PhotoMOS zu tun. Deshalb gibt es ja auch MOSFET-Treiber.
> und ein MOSFET hat eine relativ hohe Kapazität am Gate. Ein hoher Umschaltstrom ist aber nur nötig, wenn der Mosfet schnell umgeschaltet werden muß. Das von dir erwähnte AQY212 hat eine Umschaltzeit bis zu 1,5ms bei einem LED-Strom von 5mA. Wenn ich diesen LED-Strom direkt in ein Mosfet-Gate lasse, dann darf das Gate eine Kapazität von (näherungsweise nach C*U=I*t) etwa C=I*t/U = 5mA*1,5ms/3V = 1,5 uF haben. Und das hat garantiert kein Mosfet. Die liegen da alle 2-3 Zehnerpotenzen drunter (1..10nF). Und dann: nach den 1,5ms braucht dieser Mosfet im Gegensatz zum PhotoMos keinen Strom mehr, weil das Gate geladen ist. Fragender schrieb: > Bitte Beiträge genau lesen. H.joachim Seifert schrieb: > Von welchen Frequenzen redest du eigentlich? Fragender schrieb: > Von gar keinen. Das bedeutet für mich, dass dir die Frequenz egal ist. Und ich deshalb von statischem Schaltbetrieb ausgehen darf. Und dass deshalb die Verlustleistung durch langsame Umschaltvorgänge egal sein wird, weil diese Umschaltvorgänge nur selten auftreten. Fragender schrieb: > ein bischen sozialer Kompetenz gehört schon dazu. Glaub mir: die habe ich.
Lothar, es gibt immer noch den Nachteil der hohen/und variablen (Gate-Source) High-Side-Spannung am Gate. Und später muss Gate nochmals entladen werden oder etwa nicht? (Grundsätzliches zu MOSFETs) Ich bin hier nicht um über Nachteile oder Vorteile von MOSFET's zu diskutieren, meine Frage war wie ich eine H-Brücke aufbaue und Polarität umschalte. Ich habe mir diese Frage beantwortet, von den Anderen kam leider keine Lösung, macht aber nichts und die Lösung habe ich hier gepostet: ich brauche keinen MOSFET-Treiber, ich brauche keine hohe Gate-Spannung, ich schalte alles mit der konstanten digitalen Spannung direkt (2 Signale) und habe keine Probleme mit der Synchronität der Umschaltung da 2 Signale vorhanden. Bei 100mA Strom habe ich nur 0,2V Spannungsabfall was angesichts der Brückenspannung von 20V egal ist. Daher gibt es hier für mich nichts zu diskutieren: was besser oder schlechter ist entscheidet der jeweilige Kollege selbst.
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