schlechte Qualität von Mosfets?

[Daniel_S (Gast)]

Hallo,

in einer BLDC-Treiberstufe benutzen wir diskrete N und P- Kanal Mosfets. 
Diese sind zwar recht knapp dimensionert aber bei Volllast ist bis jetzt 
noch keiner defekt gegangen.

Es kommt aber öfters vor, dass beim Anstecken ein Endstufen-Transistor 
abbrennt. Nach Austausch dieses Transistors funktioniert wieder alles 
einwandfrei. Tests danach mit zig-fachem an und abstecken (automatisiert 
über Tage) zeigten keine neuen Defekte.

Natürlich dachte ich an einen Designfehler. Aber nachdem die reparierten 
Boards einwandfrei laufen und der Fehler immer nur bei recht neuen 
Boards passiert bin ich so langsam ratlos.

Kann es sein, dass Transistoren bedingt durch einen schlechten 
Produktionsprozess eine schlechte Qualität haben? Hat jemand Erfahrungen 
mit schlechten Chargen eines Transisors/Mosfets? Ist dies sehr 
unwahrscheinlich?

Ich habe mit Absicht nicht den Hersteller genannt. Ist aber schon eine 
bekannte Firma.

[Dominik (Gast)]

ESD?

[Bernhard R. (barnyhh)]

Ich denke eher, daß die MOSFETs beim "Anstecken" knapp außerhalb ihrer 
Spezifikationen belastet werden, wenn auch nur kurzzeitig und je nach 
zufälligen Randbedingungen (Kontaktprellen, zeitliches Voreilen eines 
Kontakts, ... bis hin zu Umgebungsparametern wie Luftfeuchtigkeit und 
Temperatur ...). Diese Überlast ist für manche Transistoren tödlich, 
andere verkraften sie.

Bernhard

[Martin M. (Gast)]

Daniel_S schrieb:
> Kann es sein, dass Transistoren bedingt durch einen schlechten
> Produktionsprozess eine schlechte Qualität haben? Hat jemand Erfahrungen
> mit schlechten Chargen eines Transisors/Mosfets? Ist dies sehr
> unwahrscheinlich?

Hast du eine Z-Diode am Gate?
MOSFETs haben die blöde Eigenschaft schon ab einer Spannung von ~40V am 
Gate ihren Dienst aufzugeben.

Oder hast du die Bauteile von einem Broker?
Die vertreiben auch Bauteile die bei der Qualitätskontrolle 
durchgeflogen sind.

Viele Grüße

[Anon Y. (anonymous)]

Wie groß ist denn dein externer Pullup bzw. pulldown Widerstand?

[Daniel_S (Gast)]

An den Gates der endstufen-transistoren sind keine Pull up oder down. 
Nur an den Treiberstufen davor. Dort sind 10k

Ich habe das nicht designed. Nur übernommen. Müssen an die Gates der 
Endstufen-mosfets auch nochmal pull up bzw down auch wenn an den 
Treibern davor schon welche sind?

[Daniel_S (Gast)]

Z-Dioden hab ich nicht. Aber die Spannungsversorgung sind nur 12 V. Der 
Mosfet kann 20V. Könnte aber schon sein, dass beim Anstecken durch 
induktivitäten die spannung höher geht. Hab aber schon mit dem Oszi 
Spannungsspitzen und Stromspitzen versucht zu messen. Ich konnte nichts 
feststellen.

Der Fehler ist halt auch nicht reproduzierbar und tritt nur in ca. 5% 
aller Transistoren auf.

Wie geht man an die Fehlersuche bei soetwas heran?


Die Mosfets werden in HK gekauft. HAb aber dort mal nachgefragt.

ESD kann natürlich auch sein. Muss ich mal schauen was man da machen 
kann.

[Anon Y. (anonymous)]

Daniel_S schrieb:
> An den Gates der endstufen-transistoren sind keine Pull up oder down.
> Nur an den Treiberstufen davor. Dort sind 10k

Das sollte eigentlich reichen.

[Purzel H. (hacky)]

Ich hatt auch mal dass die Millerkapazitaet zuviel strom auf den Treiber 
zurueckbrachte. Ich musst dann den Gatetreiber am Ausgang mit 2 
Schottkies gegen GND und Vcc absichern.