Hallo, kennt jemand eine Seite auf der man Mosfet's gefiltert suchen kann? Ich bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on. Dieser soll bei 10A und 12-15V betrieben werden. Sind ist eine möglichst hohe Verlustleistung zu erzeugen die dann durch einen Kühlkörper abgeführt wird. Bisher habe ich einen mit Rds on = 0,2 Ohm gefunden allerdings ist dieser max. bis 10A ausgeschrieben könnte das Probleme geben? Der Mosfet wird in der Uni als Studentenversuch betrieben, würde also nicht allzu oft lange betrieben werden http://www.conrad.de/ce/de/product/162865/TRANSISTOR-HEXFET-IRLZ14-TO-220/5104021&ref=list Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne großen Erfolg. Schon mal vielen Dank :)
Hallo welche Wirkung die Gatespannung auf den RDsOn hat ist dir aber schon klar?
was willst du genau damit tun? 10A bei 12V fließen lassen? Rds on wird durch das Gate gesteuert, wenn du das Gate nur etwas aufmachst hast du einen höheren bahnwiderstand und dann kannst du den fet abrauchen lassen. anhand der größe der rauchwolke kannst du dann auch den maximal strom bestimmen, der geflossen ist.
@ walkingtoaster (Gast) >bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on. >Dieser soll bei 10A und 12-15V betrieben werden. So ein Käse. Wozu soll das gut sein? JEDER MOSFET kann einen BELIEBIG hohen RDSON haben, wenn man ihn nicht voll aufsteuert, aka Linearbetrieb. Nur vertragen das nur bestimmte Typen. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs >Sind ist eine möglichst hohe Verlustleistung zu erzeugen die dann durch >einen Kühlkörper abgeführt wird. Nennt man elektronische Last, meist als Konstantstromquelle ausgeführt. >Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit >Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne >großen Erfolg. Logisch, wenn man nach dem Wolpertinger sucht. MfG Falk
Sebastian M. schrieb: > was willst du genau damit tun? > 10A bei 12V fließen lassen? > > Rds on wird durch das Gate gesteuert, wenn du das Gate nur etwas > aufmachst hast du einen höheren bahnwiderstand und dann kannst du den > fet abrauchen lassen. anhand der größe der rauchwolke kannst du dann > auch den maximal strom bestimmen, der geflossen ist Ich möchste den Mosfet über PWM mittels NE555 ansteuern mit 12V. Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und dann im Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam Kühlkörper ist/war. Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in Leistungswiderständen zu verbraten.
walkingtoaster schrieb: > Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der > Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden > Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und > dann im > Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam > Kühlkörper ist/war. > Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so > einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds > on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in > Leistungswiderständen zu verbraten. Völlig konfus. Beschreibe doch mal genau was die armen Studenten an dem Versuch lernen sollen.
Warum müssens denn unbedingt 10A sein? Bei ca. 12V die da im ungünstigsten Fall über den Mosfet abfallen macht das 120W Verlustleistung. Das bekommt man nicht so schnell mit nem kleinen Kühlkörper weg. Außerdem: VERBRENNUNGSGEFAHR! Das Ding ist schneller heiß als man den Finger davon wegnehmen kann. Fang mit ein paar Ampere weniger an, dann hat der Mosfet auch noch ne Überlebenschance. Zur Ansteuerung: Bau ein Poti ein, welches die Gatespannung dann z.B. auf wenige Volt begrenzt, dann ist dein RsdOn auch deutlich höher. Dann können ein paar Spezialisten die Mosfets auch nicht so leicht schrotten.
Es geht um das Abführen von Verlustleistung. Dazu auf der einen Seite die Theorie mit Verlustleistungsberechnung und Kühlkörpern auswahl, auf der anderen Seite ein Versuch bei dem vorab die Verlustleistung am Mosfet berechnet werden soll und entsprechend ein Kühlkörper ausgewählt wird. Anschließend soll im Versuch der Temperaturverlauf am Mosfet und Kühlkörper aufgenommen und mit den berechneten Werten verglichen werden.
Johannes O. schrieb: > Warum müssens denn unbedingt 10A sein? Bei ca. 12V die da im > ungünstigsten Fall über den Mosfet abfallen macht das 120W > Verlustleistung. Das bekommt man nicht so schnell mit nem kleinen > Kühlkörper weg. > Außerdem: VERBRENNUNGSGEFAHR! Das Ding ist schneller heiß als man den > Finger davon wegnehmen kann. > Fang mit ein paar Ampere weniger an, dann hat der Mosfet auch noch ne > Überlebenschance. > Zur Ansteuerung: Bau ein Poti ein, welches die Gatespannung dann z.B. > auf wenige Volt begrenzt, dann ist dein RsdOn auch deutlich höher. > Dann können ein paar Spezialisten die Mosfets auch nicht so leicht > schrotten. Die Verlustleistung im Mosfet berechnet sich aber nicht mit P=U*I sondern Ieffektivwert² * Rds on . um eben auf 10-20W zu kommen braucht man bei einer vollen Aussteuerung 10A.
Also einem TO247 Gehäuse sollte man nicht mehr als 50W zumuten. Bei 60W ist mir einer nach 40min durchgeknallt. Würde bei deinen 120W 3 Stück nehmen. Knut
Der MOSFET macht beim Schalten die größten Verluste! Also nicht so leicht zu ermitteln. Knut
> Es geht um das Abführen von Verlustleistung.
Steuer den Mosfet nur "halb" auf. Dann wird er hübsch warm...
Du kannst dann problemlos aus U*I die Leistung am Mosfet berechnen. Dir
muß natürlich klar sein, dass diese Werte nicht konstant sind, sondern
bei konstanter Gatespannung sich der Strom mit der Temperatur ändern
wird.
Insgesamt finde ich den Versuch (aus der Praxis gesehen) als sinnlos,
und (als ehemaliger Student gesehen) als Strafarbeit...
Sicherlich kann ich die Leistung auch mit U*I ausrechnen. Ich habe geschrieben, dass die 12V im ungünstigsten Falle komplett über den Mosfet(!) abfallen. Wenn du in deinem Stromkreis 12V und 10A hast und nur nen Mosfet reinhängst, wo glaubst du dann, geht die Leistung hin? Oder hast du, was du bisher verschwiegen hast, noch irgendein anderes Gerät/Last hinter dem Mosfet? Dann sieht die Sache natürlich anders aus. Wie geschrieben: Es gibt einfachere Möglichkeiten ein höheres RdsOn zu erzeugen als einen schlechten Mosfet zu nehmen. Dann reichen dir auch deutlich weniger als 10A. Du musst dir übrigens auch klar werden, dass die ganzen Werte bzgl. Wärmewiderstand höchstens zum Abschätzen geeignet sind. Ein kleiner Luftstrom, zu dicke/zu dünne Kupferleitungen am Mosfet, Ausrichtung des Gehäuses+Kühlkörper bringen dir soviel Abweichung rein, dass so eine Berechnung höchstens noch zum Abschätzen geeignet ist.
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Hier mal eine Stromsenke bzw. elektronische Last mit dem LM723. R1/R2 sind ein Poti, mit dem man den Strom durch M1 einstellt. Wie man sieht ist die Verlustleistung in M1 dazu proportional.
@ walkingtoaster (Gast) >Ich möchste den Mosfet über PWM mittels NE555 ansteuern mit 12V. Das möchten viele Leute. Ist auch kein Problem. Die meisten wollen aber eher einen minimalen RDSON. >Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der >Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden >Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und >dann im >Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam >Kühlkörper ist/war. Schön, das kann man aber auch anders machen. >Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so >einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds >on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in >Leistungswiderständen zu verbraten. Um einem möglichst realitätsfremden Laborversuch zu entwickeln. Immer sehr sinnvoll. 8-0 >Die Verlustleistung im Mosfet berechnet sich aber nicht mit P=U*I Aber sicher. U_DS * I_D. >sondern Ieffektivwert² * Rds on . Das ist eine andere Möglichkeit der Berechnung, wobei RDSON real eher schlecht gemessen werden kann in der Schaltung. U und I kann man leicht messen. > um eben auf 10-20W zu kommen braucht > man bei einer vollen Aussteuerung 10A. Käse. Alles eine Frage der Leistungsanpassung. Nimm einen Bipolartranistor im TO220 Gehäuse und bau eine einfache Konstantstromquelle damit auf, die kann man auch per NE555 PWM steuern. Damit kann man bleibige Leistungen verbraten, ohne exotische Bauteile. @ Knut (Gast) >Also einem TO247 Gehäuse sollte man nicht mehr als 50W zumuten. Ohne Kühlkörper nichtmal 5W. Mit kann man schon 50W und mehr abführen, wenn man weiß was man tut. > Bei 60W ist mir einer nach 40min durchgeknallt. So wie du? MFG Falk
Hinter dem Mosfet soll die Restliche Leistung in Lastwiderständen abgefangen werden. Mir ist das durchaus bewusst mit der groben Abschätzung. Ich bin übrigens selbst noch Student und setzte hier nur die Idee meines Professors als Hausarbeit um. Es geht dabei auch eher um den vergleich der Kühlmethoden, mehrere unterschiedliche Kühlkörper evt. Lüfter und dann den vergleich zu haben. Die Berechnung am Anfang ist dann für die Gößenordnung des Kühler da
>Es geht dabei auch eher um den vergleich der Kühlmethoden, mehrere >unterschiedliche Kühlkörper evt. Lüfter und dann den vergleich zu haben. >Die Berechnung am Anfang ist dann für die Gößenordnung des Kühler da Dann nimm den MOSFET nur zum Schalten und nimm einen Lastwiderstand, den man auf einen Kühlkörper aufschrauben kann, gibt es auch in TO220. Fertig. Per PWM man man die Leistung steuern. MfG Falk
> Dann nimm den MOSFET nur zum Schalten und nimm einen Lastwiderstand, den > man auf einen Kühlkörper aufschrauben kann, gibt es auch in TO220. > Fertig. Per PWM man man die Leistung steuern. Naja, das ist ja nun nicht sehr schlau. Ein dicker MOSFET kann besser heizen als jeder Widerstand. Ein MOSFET der 100W verheizen kann, kostet 1,65. 2 50 Watt Widerstaende kosten 5,30.
walkingtoaster schrieb: > Hinter dem Mosfet soll die Restliche Leistung in Lastwiderständen > abgefangen werden. Warum zum Geier extra Lastwiderstände und den Transistor im Schaltbetrieb? Schalte das Teil als Lineare KSQ. Oder bekommt die Uni Prämien vom Stromversorger wenn möglichst viel Energie sinnlos verheizt wird? Wie sollen die Studenten Integral über (U(t) * I(t)) ermitteln und berechnen wenn du mit einem 555 mit Gummi-Käse Flanken einen MOSFET ansteuerst? Dann müsstest du eher realistische Schaltvorgänge darstellen und über ein entsprechendes Digitalscope Strom und Spannung im Umschaltmoment und im durchgeschalteten Moment aufzeichnen lassen, dann würden die Studenten auch was lernen.
> ? > LG Christian Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand. Vergleiche einmal die Abmessungen eines MOSFET im TO-247 Gehaeuse und eines 100W Widerstands.
Marko B. schrieb: > Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand. Vergleiche > einmal die Abmessungen eines MOSFET im TO-247 Gehaeuse und eines 100W > Widerstands. Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen. mfg.
Marko B. schrieb: > Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand. Es mag sein, dass mit einem Mosfet auf einem Punkt mehr Leistung erzeugt werden kann. Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen Kühlkörper auskommen...
> Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen. > mfg. Wenn Dir der 4 fache Preis und die ebenso hoeheren Abmessungen und das Gewicht egal sind ... kommerziell waere das auf jeden Fall unklug.
Das mag ja sein. Wenn ich aber Heizen will, wie der TO dann nimmt man besser einen Widerstand mit geringer Leistungsdichte und mehr Volumen. Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum Ausfall führen können. Bei einem Widerstand verteilt sich diese Leistung besser. Zumal Hochlastwiderstände eine größere Fläche für den Wärmeübergang zum Kühlkörper haben. LG Christian
Lothar Miller schrieb: > Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen > Kühlkörper auskommen... Hochlastwiderstände in dieser Leistungsklasse nicht. Die brauchen einen Kuehlkoerper.
Thomas Eckmann schrieb: > Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen. Nicht ganz, weils eher interessiert wie sie wieder wegkommen. Der MOSFET mach bei 150°C Schluss und braucht einen dicken Kühlkörper. Einem Drahtwiderstand kannst du 300°C zumuten, wenn weder Finger noch Kunststoff noch Lötzinn ihm zu nahe kommen.
Das soll ein Studentenversuch werden wenn ichs richtig verstanden habe. Da sind alle Temperaturen über 100°C (und vermutlich auch schon ein wenig darunter) nicht wirklich geeignet. Gibt bestimmt wieder die Spezialisten die hinfassen müssen.
Marko B. schrieb: > Lothar Miller schrieb: >> Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen >> Kühlkörper auskommen... > Hochlastwiderstände in dieser Leistungsklasse nicht. Die brauchen einen > Kuehlkoerper. Falle gestellt, Beute gefangen, Tagwerk getan. Was bringt mir ein Mosfet mit einer 10fachen "Leistungsdichte", wenn ich hinterher den exakt gleichen Kühlkörper brauche (oder eher noch einen besseren, um die punktuelle Wärme abzuführen)?
> Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum > Ausfall führen können. Das ist falsch. MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie Bipolartransistoren. Die SOA wird durch die Bonddraehte bzw. die Diegroesse und den daraus resultierenden thermischen Widerstand begrenzt.
Marko B. schrieb: > Ein MOSFET der 100W verheizen kann, kostet > 1,65. 2 50 Watt Widerstaende kosten 5,30. Der preisgünstigste 100W-"Strom/Wärme-Umsetzer" mit perfekter Eigenkühlung, Dauerbetriebssicherheit und lötfreiem Anschluß bleibt 100W-Glühobst... ;-)
Johannes O. schrieb: > Gibt bestimmt wieder die Spezialisten die hinfassen müssen. Eben. Die sollen dabei was lernen. Sonst kommen die nie über das Stadium "Der 7805 kann doch 1A, warum funktioniert der bei 20V nicht?" hinaus.
Marko B. schrieb: > MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie Bipolartransistoren. Und was soll das hier helfen? Wenn du im Grenzbereich bist, passiert doch das hier: Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem Rds steigen an --> die Temperatur steigt an --> der Rds steigt --> die Temperatur steigt --> Rds steigt --> Temperatur steigt --> puff
Lothar Miller schrieb: > Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem > Rds steigen an Bei mir sinkt bei konstanter Spannung und steigendem Rds(on) der Strom und die Leistung sinkt.
Lothar Miller schrieb: > Was bringt mir ein Mosfet mit einer 10fachen "Leistungsdichte", wenn ich > hinterher den exakt gleichen Kühlkörper brauche Er kostet nur 1/4, braucht weniger Platz und wiegt weniger. > (oder eher noch einen besseren, um die punktuelle Wärme abzuführen)? Die meisten Kuehlkoerper sind fuer Halbleiter konstruiert. Das sieht man an der relativ dicken Grundplatte, die dazu da ist die Waerme grossflaechig zu verteilen. Wenn man nur ein duennes Blech verwenden wuerde saehe das anders aus. >> MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie Bipolartransistoren. > Und was soll das hier helfen? > Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem > Rds steigen an --> die Temperatur steigt an --> der Rds steigt --> die > Temperatur steigt --> Rds steigt --> Temperatur steigt --> puff Nein, der Operationsverstaerker im LM723 regelt den Strom durch den Transistor. Ich kann dir die Schaltung gerne erklaeren wenn du sie nicht verstanden hast.
Marko B. schrieb: > Er kostet nur 1/4, braucht weniger Platz und wiegt weniger. Dafür ist der Kühlkörper umso grösser und teurer.
> Bei mir sinkt bei konstanter Spannung und steigendem Rds(on) der Strom > und die Leistung sinkt. Da haettest du Recht. Allerdings ist der Rdson hier irrelevant (das hat schon Lothar Miller nicht verstanden) da der FET im linearen Bereich betrieben wird. Und hier zaehlt die Vgsth. Und die hat einen negativen Temperaturkoeffizienten.
A. K. schrieb: > Dafür ist der Kühlkörper umso grösser und teurer. Nein, denn beide Kuehlkoerper fuehren ja dieselbe Leistung ab. Man koennte hoechstens argumentieren, dass der Kuehlkoerper fuer den Widerstand kleiner sein darf, weil die maximale Temperatur fuer Hochlastwiderstaende ueblicherweise 250 Grad Celsius ist, im Vergleich zu 175 fuer TO-247 FETs. Allerdings wird der Kuehlkoerper dann deutlich heisser und muss vor Beruehrung geschuetzt werden.
Marko B. schrieb: > Man koennte hoechstens argumentieren, dass der Kuehlkoerper fuer den > Widerstand kleiner sein darf, weil die maximale Temperatur fuer > Hochlastwiderstaende ueblicherweise 250 Grad Celsius ist, Ebendies. Eine Handvoll 17W Keramikwiderstände, ein 08/15-Propeller - plus 2 Blatt Papier und ein dicker roter Filzer als Warnschild. Dauereinrichtung solls ausdrücklich nicht werden. Wenns natürlich kleinkindsicher sein soll, dann wirds so oder so gross, denn der Kühlkörper des MOSFETs ist bei Nennlast nicht mehr berührungssicher, wenn nicht stark überdimensioniert.
Hey Leute, warum laßt Ihr dem TO nicht seinen Laborversuch? Ich finde, der macht durchaus Sinn ... Natürlich würde man in der Praxis einen möglichst niedrigen RDSon im Bereich von 2..20mOhm wählen, aber dann wird der FET bei 10A nicht wirklich warm. ... es geht doch offensichtlich darum, dass ein MOSFET nunmal kein idealer Schalter ist, sondern auch hier durchaus nennenswerte Verluste entstehen können, die abgeführt werden müssen. Wenn man jetzt für den Versuch einen MOSFET mit 5mOhm nimmt, dann entseht da bei 10A (und niedriger Frequenz*) grade mal ein Verlust von einem halben Watt ... das könnte von den Versuchsteilnehmern als vernachlässigbar abgetan werden. Bei 200mOhm sind das immerhin schonmal 20W - das ist nennenswert und mess- und fühlbar ... damit kann man schön veranschaulichen, was da passiert. Dass man mit einer handvoll Widerstände auch heizen kann ist sicher jedem klar - aber hier geht es (soweit ich den TO verstanden habe) doch nicht darum, irgendwelche Wärme abzuführen, sondern eben um die Verluste, die beim Schalten eines MOSFETs entstehen ... *bei entsprechen hoher Schaltfrequenz werden die Verluste natürlich noch deutlich höher, besonders wenn die Treiberstufe nicht ausreichend Power hat, um die Gatekapazität schnell genug zu (ent-)laden ... my .02 - Karl
A. K. schrieb: > Ebendies. Eine Handvoll 17W Keramikwiderstände, ein 08/15-Propeller - > plus 2 Blatt Papier und ein dicker roter Filzer als Warnschild. > Dauereinrichtung solls ausdrücklich nicht werden. > > Wenns natürlich kleinkindsicher sein soll, dann wirds so oder so gross, > denn der Kühlkörper des MOSFETs ist bei Nennlast nicht mehr > berührungssicher, wenn nicht stark überdimensioniert. Hey, ich fasse lieber an 100 Grad heisses Aluminium als an 200 Grad heisses :P Ist eine Moeglichkeit, allerdings kann man den Strom/die Verlustleistung dann hoechstens per Reihen/Parallelschaltung einstellen.
Marko B. schrieb: >> Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum >> Ausfall führen können. > > Das ist falsch. MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie > Bipolartransistoren. Die SOA wird durch die Bonddraehte bzw. die > Diegroesse und den daraus resultierenden thermischen Widerstand > begrenzt. Du redest vom Schaltbetrieb. Gleichzeitig postest du aber eine KSQ Marko B. schrieb: > Hier mal eine Stromsenke bzw. elektronische Last mit dem LM723. R1/R2 > sind ein Poti, mit dem man den Strom durch M1 einstellt. Wie man sieht > ist die Verlustleistung in M1 dazu proportional. dort hast du auf jeden Fall das Problem von Hotspots, deshalb sind ja auch viele Schalttransistoren nicht für linearen Betrieb geeignet, bzw. fürfen nur weit unter den Grenzdaten für den Schaltbetrieb belastet werden. Eure Diskussion ist aber müßig, solange niemand weiss was das für ein krudes Konzept für ein Studentenpraktikum sein soll. Dazu müsste der TO mal präzise das Ziel des Praktikumsversuchs beschreiben.
Kannst du die genaue Beschreibung die du vom Prof erhalten hast hier reinstellen? Evtl. gehst du einfach nur vom falschen Ansatz aus, denn ich kanns mir nicht vorstellen dass da drinsteht: "Suchen sie einen exotischen Mosfet mit möglichst hoher Rdson, um hernach diesen mit 10A auf >100°C zu erhitzen"
@Udo Schmitt (urschmitt) > Du redest vom Schaltbetrieb. seufz nein, tue ich nicht. habe ich nie. Lies dir doch das mal durch. MOSFET Basics: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf Zitat: "Plus, they can withstand simultaneous application of high current and voltage without undergoing destructive failure due to second breakdown." "deshalb sind ja auch viele Schalttransistoren nicht für linearen Betrieb geeignet, bzw. fürfen nur weit unter den Grenzdaten für den Schaltbetrieb belastet werden" Das hat nichts mit "Schalttransistoren" zu tun (die gibts naemlich nicht) sondern damit, dass im Schaltbetrieb viel weniger Verlustleistung anfaellt. Duh! Das ist bei Bipolartransistoren genauso. Der 2N3055 kann auch 15A im Schaltbetrieb!
Marko B. schrieb: > Da haettest du Recht. Allerdings ist der Rdson hier irrelevant Richtig. > (das hat schon Lothar Miller nicht verstanden) Sagt dir das Stichwort "Advocatus diaboli" etwas... ;-) Ich schliesse mich vorbehaltlos dem an, was Udo Schmitt schrieb im Beitrag #2351678: > Eure Diskussion ist aber müßig
@Falk Was habe ich Unwahres gesagt? Mit Kühlkörper bersteht sich von selbst. Aber du hast glaub ich sowieso nicht alle Latten am Zaun, so wie du dich aufführst. Knut
Mach doch mit 2 Mosfets eine termische Regelung (Gegenkopplung), dann benötigst du auch keine PWM. Außerdem wird es schwierig geeignete Typen (Linear) zu finden, die man ohne hohe Schaltverluste schalten kann. Grüße
@Marko B. (Gast) siehe Anhang und: http://www.elforum.ch/uploads/media/PowerParts_AG.pdf http://powerelectronics.com/mag/511PET24.pdf Arno
walkingtoaster schrieb: > Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit > Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne > großen Erfolg. > > Schon mal vielen Dank :) Nachdem Deine Frage im Forum nicht beantwortet wird, dafür jede Menge anderes Zeug was nicht gefragt wurde beantwortet wird hier nun 2-3 Suchmöglichkeiten: Farnell (http://de.farnell.com/) und Digikey (http://www.digikey.de/) bieten unterschiedlich gute Suchmöglichkeiten für Deine Frage an, mußt dich bei Farnell nur etwas "durchbeißen" damit Du zu Deinen Mosfets kommst. Mouser (http://at.mouser.com/) hat angeblich auch eine brauchbare Suche, die kenn ich aber nicht. Über die Sinnhaftigkeit der Hausarbeit.... Naja, besser so auf diese Tour errechnen und vor allem erfahren.... was später ansonsten in einem netten Feuerwerk endet oder hier im Forum für das übliche unterirdisch schlechte Rauschen an Fragen sorgt. Grüße Miwi Grüße
MiWi schrieb: > Nachdem Deine Frage im Forum nicht beantwortet wird Weil sie unsinnig ist. Oder hilfst du einem Betrunkenen aus Hilfsbereitschaft ins Auto? Oder einem Selbstmörder hoch aufs Brückengeländer? > oder hier im Forum für das übliche unterirdisch schlechte Rauschen an > Fragen sorgt. ROTFL... :-D Umd die Frage nochmal aufzufrischen: walkingtoaster schrieb: > bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on. Blöd an dieser Fragestellung ist nämlich, dass ein Mindest-Rdson nicht garantiert wird, weil es ja in den Datenblättern immer um einem maximalen Wert geht!
Lothar Miller schrieb: > Weil sie unsinnig ist. > Oder hilfst du einem Betrunkenen aus Hilfsbereitschaft ins Auto? > Oder einem Selbstmörder hoch aufs Brückengeländer? Mit welchem Selbstverständis gehst Du (oder alle anderen, die hier nicht auf gestellte Fragen antworten) davon aus, das der OP nicht weiß was er will? Und wenn - warum nimmst Du ihm bei dieser harmlosen Frage die Möglichkeit selber den Mist zu bauen, den Du vor vielen Jahren - mit viel Lehre dabei - vermutlich selbst gemacht hast? >> bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on. >Blöd an dieser Fragestellung ist nämlich, dass ein Mindest-Rdson nicht >garantiert wird, weil es ja in den Datenblättern immer um einem >maximalen Wert geht! soooo unsinnig ist die Frage nicht, solange Du nicht genau weißt, was der OP will. Und siehe da - ja, er weiß was er will - sogar in der ersten Frage dieses Threads: eine bessere Suchmaschine als conrad oder Reichelt. Danach wird er unter anderem dann gelernt haben, das Datenblätter zu lesen sind, meist nur irgendwelche Grenzwerte angegeben sind und er sich dann verwundert die Augen reiben wird wenn die Realität mit der Theorie in Einklang gebracht werden muß. Laß ihm doch die Freude..... und lad ihn dann zur nächsten Frage ein. PS - Bei allem Respekt für den hinkenden Vergleich: einen Mosfet mit 10A grillen ist was anderes als einem Besoffenen helfen sein und das Leben anderer zu riskieren. Und was den Selbstmörder betrifft - ich dachte das der Vergleich mit dem Besoffenen nicht unterboten werden kann... und es geht doch noch tiefer. Nicht gut. Aber was solls. Der OP hat sich eh schon - aus guten Gründen wie mir scheint - verabschiedet. Grüße MiWi
MiWi schrieb: > soooo unsinnig ist die Frage nicht, solange Du nicht genau weißt, was > der OP will. Oh, wir wissen schon was der TO möchte. Zumindest so genau wie er es selbst weiss und in der Lage war zu erklären. Nur wollten wir ihn nicht ins Messer rennen lassen, daß er das mit seinen eher unsinnigen Annahmen ausarbeitet und evt. sogar aufbaut, und damit dann der Dumme ist wenns nicht funktioniert, oder schlimmer noch die Studenten dann die Blöden sind die sich mit einem idiotischen Versuch rumschlagen müssen. Du lässt ihn unreflektiert ins eigene Messer rennen, du bist halt der Gutmensch, wir versuchen das eigentliche Problem zu erkennen und eine gute Lösung zu finden und sind halt die Bösen. Beiträge wie deine sind für Anfänger, die nicht selbst beurteilen können was gut und was Unsinn ist das eigentlich Übel. und bevor du hier herumprollst, solltest du wenigstens mal 1/10 so vielen Leuten wirklich geholfen haben wie Lothar Miller. Aber das wirst du nicht schaffen!
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