Hy zusammen, kannmir jemand kurz und bündig den Unterscheid zwischen einen BT und einem FET erklären ? Beide sind da zum schalten, an beiden muss man an Gate ( oder Basis) ein eSpannung anlegen damit sie durchschalten. Also was ist dann der Unterschied ? Lg Nikolina
Ein Bipolartransistor schaltet bei einem STROM durch, und ein FET bei einer SPANNUNG. Beim Bipolartransistor bricht die Basisspannung auf ca. 0,7V zusammen, beim FET ist der Strom fast null (Gate-Kondensator). Außerdem können FETs meistens größere Spannungen / Ströme schalten, aber bei hohen Frequenzen sind Bipolartransistoren besser geeignet. Gruß Jonathan
Hy, Danke für die schnelle Antwort. Aber laut Kennlinie schaltet ein BT bei der Diodenspannung durch, also ca. 0,7 V zwischen Basis und Emitter. Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ? LG Nikolina
>Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ?
Ganz im Gegenteil! Bei einem BT wird der Transistor mit dem
Basis-Emitter-Strom auf- und zugesteuert. Bei einem JFET ist es ein
elektrisches Feld, das über die Gate-Source-Spannung vermittelt wird.
Der Basis-Emitter-Strom ist unweigerlich mit einer
Basis-Emitter-Spannung verknüpft, weil es sich hierbei um einen
pn-Übergang handelt. Beide bedingen sich gegenseitig.
Nikolina schrieb: > Hy, Danke für die schnelle Antwort. > > Aber laut Kennlinie schaltet ein BT bei der Diodenspannung durch, also > ca. 0,7 V zwischen Basis und Emitter. > Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ? Doch, er ist über die sog. Stromverstärkung mit dem Ausgangsstrom verknüpft. Übrigens können Transistoren nicht nur schalten, sondern auch linear verstärken. Gruss Harald
Beim bipolaren Transistor wird eine im Sperrzustand befindliche Diode durch eine eng benachbarte leitende Diode beeinflusst. Der Strom in der EB-Diode macht die BC-Diode leitend. Da die EB-Diode aber Spannung haben muss, damit ein Strom fließt, ergibt sich automatisch auch eine Art der Spannungssteuerung. Im Feldeffekt-Transistor wird ein enger Stromweg (von S nach D) durch das elektrische Feld einer Steuerelektrode (G) beeinflussst. Dazu ist gar kein Strom an G notwendig, Spannung reicht für die Steuerung aus. Bei Wechselströmen wird aber aus dem sehr hohen Eingangswiderstand des FET irgendwann ein niedriger Eingangswiderstand und schon braucht man zum Steuern auch einen Strom.
>Ganz im Gegenteil! Bei einem BT wird der Transistor mit dem >Basis-Emitter-Strom auf- und zugesteuert. Bei einem JFET ist es ein >elektrisches Feld, das über die Gate-Source-Spannung vermittelt wird. Das ist falsch: BJT und FET sind BEIDE spannungsgesteuert. Es wird zwar immer behaupte der BJT sei stromgesteuert aber das ist Quatsch: Es ist ein elektrisches Feld was die Verarmungszone zwischen Basis und Emitter verkleinert. Also beim NPN: Am Basisübergang treffen sich Löcher und freie Elektronen was die isolierende Verarmungszone erzeugt. Eine positive elektrische Spannung an der Basis drückt die Löcher in Richtung Emitter und verkleinert damit die isolierende Schicht. Dass einige Elektronen, die der Kollektor aus dem Emitter nach oben saugt in der Basis verschwinden, ist ein purer (unerwünschter) Nebeneffekt und für die Funktionsweise des BJT völlig unbedeutend. Diese von der Basis geschluckten Elektronen bewirken den Basisstrom. Zufälligerweise ist dieser parasitäre Strom in etwa proportional zum Kollektorstrom, weswegen in 99% aller Bücher dieser Schwachsinn von der Stromsteuerung steht. Es ist aber NICHT der Basisstrom der die Verarmungszone verkleinert sondern die Spannung zwischen Basis und Emitter! Wer's nicht glaubt sehe sich das Ebers-Moll Modell an, welches diese physikalischen Fakten mathematisch abbildet. Dass der FET stromlos gesteuert wird (also nur mit einer Spannung) ist übrigens genauso blödsinnig, weil zum Laden/Entladen des Gates natürlich ein Strom fliessen muss.
>Das ist falsch: BJT und FET sind BEIDE spannungsgesteuert. Es wird zwar >immer behaupte der BJT sei stromgesteuert aber das ist Quatsch: Warum sind dann in den Datenblättern von Transistoren Sromverstärkungen abgedruckt und nicht Transkonduktanzen? >Dass der FET stromlos gesteuert wird (also nur mit einer Spannung) ist >übrigens genauso blödsinnig, weil zum Laden/Entladen des Gates natürlich >ein Strom fliessen muss. Ja, aber wenn die Gate-Kapazität geladen ist, fließt beim FET kein Strom mehr, im Gegensatz zum BT.
>Warum sind dann in den Datenblättern von Transistoren Sromverstärkungen >abgedruckt und nicht Transkonduktanzen? Weil sich damit sehr gut rechnen lässt. Wie kennie schrieb: >Zufälligerweise ist dieser parasitäre Strom in etwa proportional zum >Kollektorstrom,
Hallo Kennie, Ist Dir der Vorgang Trägerinjektion bei einer PN-Schicht bekannt? Erst durch den Strom in der EB-Diode werden Ladungsträger durch die Sperrschicht dieser Diode in die Basis transportiert und vom Feld der Kollektorsperrschicht aufgefangen. Es ist tatsächlich der STROM in der EB-Diode was die BC-Dioode des Transistors leitend macht. (vermeide besser die Begriffe Schwachsinn und Quatsch) Übrigens, ich mag die Begriffe Stromsteuerung/Spannungssteuerung in diesem Zusammenhang garnicht. Stromsteuerung liegt m.E. vor, wenn Ri der Signalquelle deutlich größer ist als der Eingangswiderstand des zu steuernden Elements. Spannungssteuerung bei entsprechend anderem Ri/Rein -Verhältnis. Und das kann sich je nach Frequenz sehr schnell ändern.
>Es ist tatsächlich der STROM in der >EB-Diode was die BC-Dioode des Transistors leitend macht Seit wann wir diese Diode denn leitend? Am Kollektor können tausende Volt anliegen; es wäre schlimm wenn diese Diode die Basis nicht davon isolieren würde. Selbstverständlich sperrt diese Diode, und wenn Du die Kollektorspannung erhöhst dann verbreitert sich die BC-Verarmungszone nur. >Erst durch den Strom in der EB-Diode werden Ladungsträger durch die >Sperrschicht dieser Diode in die Basis transportiert und vom Feld der >Kollektorsperrschicht aufgefangen Das elektrische Feld an der Basis bewirkt dass diese Sperrschicht so dünn wird, dass sie leitet. Du verwechselst da was: Die BE-Diode wird leitend, nicht die BC-Diode! Dafür ist die Spannung verantwortlich, nicht der Strom. Der kommt in der Ebers-Moll Formel auch gar nicht vor: Ic=Is(e^Vbe/Vt) Er ist irrelevant.
>Das elektrische Feld an der Basis bewirkt dass diese Sperrschicht so >dünn wird, dass sie leitet. Du verwechselst da was: Die BE-Diode wird >leitend, nicht die BC-Diode! Dafür ist die Spannung verantwortlich, >nicht der Strom. Der kommt in der Ebers-Moll Formel auch gar nicht vor: > >Ic=Is(e^Vbe/Vt) > >Er ist irrelevant. Nein, ist er nicht. Nur, weil er in der Formel als Größe nicht vorkommt, heißt nicht, daß er irrelevant ist. Denke nur an eine mathematische Verkettung: Wenn Ic eine Funktion von Ib ist und Ib eine Funktion von Ube, dann kannst du Ic als eine Funktion von Ube darstellen, ohne daß Ib noch vorkommt. Und trotzdem kann der Strom Ib für diesen Funktionsmechanismus grundlegend sein. Es passiert doch folgendes: Die Spannung zwischen Basis und Emitter hebt die Basis-Emitter-Sperrschicht auf. Es fließt ein Basisstrom. Die Basis wird mit Elektronen überschüttet. Durch Diffusion gelangen einige Elektronen in die Sperrschicht zwischen Basis und Kollektor. Je nach Anzahl der Elektronen, die in die Sperrschicht gelangen, wird diese verkleinert, bzw. ganz aufgehoben. Dadurch wird die Kollektor-Emitter-Strecke leitend. Wird zwischen Kollektor und Emitter eine Spannung gelegt, so kann ein Kollektorstrom fließen. Der Basisstrom steuert somit über die Veränderung der Sperrschichtgröße den Kollektorstrom. Diese Ladungsträgerinjektion bzw. -diffusion im BT, die auch schon Peter angesprochen hat, steht so in jedem Lehrbuch. Wie kannst du das allen Ernstes anzweifeln??
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