Ich durchforste gerade ein paar Datenblätter zu PNP Transistoren. Dabei fällt mir auf, dass die ganzen Diagramme immer nur im Fall Ib / Ic = 1:10 sind, obwohl die Verstärkung eigentlich mit 85 oder 100 angegeben wird. Wie stark verändert sich im Normalfall die VCEsat, wenn man ein Verhältnis von Ib / Ic von 1:30 nimmt? Wird die VCEsat dann auch 3mal höher? oder sogar mehr? mfg Gerhard
Schau dir mal die Abhaengigkeit der Verstaerkung zum Kollektorstrom an. Die sollte aufgefuehrt sein.
Das ist bei der Verwendung als Schalttransistor. Es muß das volle Durchschalten ja gewährleistet sein, auch wenn sich die Stromverstärkung mit steigenden Strömen und Temperaturen verändert. Mehr Strom als nötig gibt sicheren Betrieb, hat aber nicht viel mit Ucesat zu tun. Es verlangsamt sogar die maximal mögliche Schaltfrequenz. Iat also alles ein Kompromiss.
Ich wollte eigentlich einen BCP69T1G nehmen. In meinem Bereich liegt die DC Current Gain bei etwa 150, brauch bis zu 200mA. 20mA will ich nicht gerade an die Basis anlegen, lieber wären mir so 5, meint ihr, das ginge?
Miss doch mal wie sich die Saettigungsspannung veraendert bei den zwei moeglichen Basisstroemen.
Messen kann ichs noch nicht, ich hab die Teile noch nicht, die Platine dazu auch noch nicht. Die Frage ist halt für mich, soll ich mir ne darlington Stufe bauen oder nicht. Solche UDN sind mir nur zu langsam, ich hab zwar Typen bei Farnell gefunden, die schnell genug wären, aber für mich als privatperson beim hbe shop, weil sie aus der USA kommen, nicht zu bestellen sind :-(
Statt Darlington mal übr Mosfets nachgedacht? Was ist deine Anwendung?
hab ich, ich hätte 500 Schaltvoränge die Sekunde, schaffen das normale Schieberegister aller 595 oder konsorten überhaupt, die MOSFETs da schnell genug durchzusteuern? Für jeden MOSFET oder für jeden 2. einen LED Treiber käme etwas teuer, bei 64 Stück
Gerhard K. schrieb: > hab ich, ich hätte 500 Schaltvoränge die Sekunde, schaffen das normale > Schieberegister aller 595 oder konsorten überhaupt, die MOSFETs da > schnell genug durchzusteuern? Das ist doch fast nix. Selbst 10.000 Schaltvorgänge pro Sekunde sind noch nicht so viel.
Prinzipiell würden mir die ROHM - RTQ025P02TR sehr zusagen. http://www.farnell.com/datasheets/25921.pdf Total gate charge 6,4nC Gate-source charge 1,4nC Gate-drain charge 1,9nC Input capacitance 580pF Reverse transfer capacitance 80nF
Gerhard K. schrieb: > In meinem Bereich liegt die DC Current Gain bei etwa 150, brauch bis zu > 200mA. > > 20mA will ich nicht gerade an die Basis anlegen, lieber wären mir so 5, > meint ihr, das ginge? Wenn Du mit der grösseren Sättungsspannung und damit höheren Verlustleistung leben kannst... Gruss Harald
Die Anzahl der Schaltzyklen hat sich auf 10 000 erhöht, hab mich massivst getäuscht. Also, der MOSFET oder bipolar?
ich hab heut mal nen Kumpel gefragt, der E-Technik studiert. Er meinte, dass die MOSFETs, die ich mir ausgesucht habe, nicht schnell genug vom Schieberegister 595 geschalten werden könnten für die 10 000 Hz
dein link: http://www.farnell.com/datasheets/25921.pdf bei 11mhz hat man nur noch einen dreieckigen spannungsverlauf -> ergibt sich durch Turn-on delay time, Turn-off delay time, Rise time, Fall time wenn ich dann noch sehe das der hersteller schon bei 1Mhz rumtestet und kapazitätswerte für 1mhz angibt. sollten 10khz wohl gar kein problem sein. mir ist schleierhaft warum der nicht gehen sollte
seine Rechnung war folgende: Umladezeit = Gatecharge * Strom Die Schieberegister können insgesamt 35mA liefern, also bleiben so 4mA für jeden Ausgang. Also ist die Umladezeit = 4mA * 6nC = 24µs, was ja zu langsam für 10 kHz wäre
Ein AC-Gatter liefert locker 50mA bei einem Innenwiderstand von ca. 15 Ohm. Ist über der Spec, ich weiß. Außerdem ist die Gate-Charge vom Laststrom und Spannung des MOSFET abhängig! Besser mit SPICE kurz simulieren.
außerdem ist die umladezeit = gateladung durch strom, also bei 4mA nurnoch 1,5µS. der peak-strom wird aber höher sein
Auch ist von der Gate Ladung nur der Teil interessant über den sich der Strom ändert. Sowohl bei kleinen als auch großen Spannungen gibt es einen Bereich in dem sich am Strom durch den FET noch nichts wesentliches ändert. Interessant ist der Bereich von etwa 1 V bos 3,5 V am Gate , vgl. Bild 9 im Datenblatt. Der Bereich darunter und drüber gehört nicht mehr zur Schaltzeit. Bei den vermutlich nur 5 V die zu schalten sind, reduziert sich auch noch die Ladung Gate/Drain im Vergleich zur Datenblattangabe für 15 V. Ich würde also eher mit 2-3 nC rechnen statt mit 6 nC. Man wird auch etwas mehr als 4 mA von Schieberegister bekommen. Der Strom fließt ja nur Kurzzeitig, und dann sind auch 10-20 mA drin. Der MOSFET ist trotzdem schon recht groß für die Anwendung - durch die geringe Spannungsfestigkeit ist die Gate Kapazität aber sogar noch relativ klein.
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