Irgendwie stell ich mich zu dumm an. Ich möchte (das erste Mal) einen MOS-FET als Lastschalter an einem AVR verwenden. Etwa so 12V | | Last | | D| µC-IO____G__/ BSP295 S\ | | Masse Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen messen. Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V sich einstellt. Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm. Mach ich etwas falsch? Was hab ich missverstanden?
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Die Design-Last ist max. 400mA bei 12V also knapp unter 5W. Beim Ohmmeter sollte die Last minimal sein.
dumb e-eng schrieb: > Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der > DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass > der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V > sich einstellt. genauso isses, hast du den fet schon zerschossen? Dann leitet er nämlich normalerweise immer
dumb e-eng schrieb: > Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das > Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm. Das Gate darf nie offen sein, sonst ist die Spannung nicht definiert und somit auch der D-S Widerstand nicht. Zudem kann es dir den Fet zerstören. G - S darf max 20V sein. Was für eine Last? Induktiv, dann brauchts du noch eine Freilaufdiode. so http://www.mikrocontroller.net/attachment/114204/uC-MOSFET-Ansteuerung.GIF
@dumb e-eng (Gast) >Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger >geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen >messen. Kann man machen. >Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der >DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Drain und Source vertauscht? >Wenn ich G nicht beschalte Macht man nicht. Ein offenes Gate ist ein Zufallsgenerator und ein leichtes Opfer für ESD. >Mach ich etwas falsch? Gate muss IMMER irgendwie an einer definierten Spannung hängen, selbst wenn es nur ein 1M Pull-Down Widerstand nach Source ist. MfG Falk
Ich kann mir nicht vorstellen, dass ich den zweiten FET auch schon zerschossen habe, da ich bisher nur mit dem Ohmmeter drangegangen bin. Ich mag nicht ausschließen, dass ich D und S vertauscht habe. Aber eigentlich ist das Datenblatt ziemlich eindeutig (http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/infineon/1-BSP295_080801.pdf Pins 1 und 3 auf Masse, Widerstand zwischen 4 und Masse gemessen = 1Ohm) Wenn ich das Teil in die Hand nehme und den Widerstand zwischen 4 und 3 messe, zeigt es mehrere 100kOhm an. Die Last sollen mal mehrere LEDs werden, also nicht induktiv.
dumb e-eng schrieb: > Irgendwie stell ich mich zu dumm an. Mal schauen ... > 12V > | > | > Last > | > | > D| > µC-IO____G__/ BSP295 > S\ > | > | > Masse > > Nachdem ich einen ersten BSP295 verbrannt habe, bin ich vorsichtiger > geworden und möchte den DS-Widerstand bei verschiedenen GS-Spannungen > messen. Ohje! > Aber bereits wenn G und S direkt mit Masse verbunden sind, ist der > DS-Widerstand nur etwas über einem Ohm (Multimeter). Ich dachte, dass > der geringe Widerstand erst oberhalb einer Schaltspannung GS von ca. 2V > sich einstellt. Keiner hat bis jetzt was gemerkt!? > Wenn ich G nicht beschalte und direkt den DS-Widerstand messe, zeigt das > Multimeter zw. 100kOhm und 1MOhm. > > Mach ich etwas falsch? Was hab ich missverstanden? GEGEN-FRAGE - NUR THEORIE(!): Würdest du mit deinem Multimeter auch den Widerstand einer leuchtenden 230-Volt-Glühlampe messen? Schreib mal Ja/Nein, und was du glaubst, was dabei heraus kommen würde!
dumb e-eng schrieb: > Wenn ich das Teil in die Hand nehme ... Sowas macht man mit (MOS)FETs nicht! (Es sei denn mit Erdungsband am Handgelenk.)
Michael L. schrieb: >> Wenn ich das Teil in die Hand nehme ... > Sowas macht man mit (MOS)FETs nicht! Sei mal nicht heiliger als der Papst. Ich nehme alle Mosfets einfach in die Hand (ohne Erdungsband und Heizungsrohr), und bisher ist keiner dabei kaputtgegangen... dumb e-eng schrieb: > Ich kann mir nicht vorstellen, dass ich den zweiten FET auch schon > zerschossen habe, da ich bisher nur mit dem Ohmmeter drangegangen bin. Wie passt das zu deiner Schaltplanskizze? Hast du den Fet in eine Schaltung eingebaut oder nicht? > Mach ich etwas falsch? Zeig doch mal ein Foto von deinem Aufbau. > Was hab ich missverstanden? Wie Michael schon sagte: man kann mit einem Multimeter keine Widerstände in Schaltungen messen, die unter Spannung stehen... > Die Last sollen mal mehrere LEDs werden, also nicht induktiv. Hast du schon mal was von "Leitungsinduktivität" gehört? Kurzfassung auf Englisch: each mm has its nH.
Lothar Miller schrieb: > Michael L. schrieb: >>> Wenn ich das Teil in die Hand nehme ... >> Sowas macht man mit (MOS)FETs nicht! > Sei mal nicht heiliger als der Papst. Ich nehme alle Mosfets einfach in > die Hand (ohne Erdungsband und Heizungsrohr), und bisher ist keiner > dabei kaputtgegangen... Du hast schon recht, und mit etwas Erfahrung, wie man die Dinger anpatscht, ohne das gleich was passiert, ist das auch nicht ganz so schlimm. Aber so wie der TO schreibt, traue ich ihm das einfach nicht zu!
Beim Beschrieben Fehler tippe ich auf, wie viele hier schon schrieben, dass das Tierchen schon längst gehimmelt ist. Wie Falk Brunner schon schrieb. Immer brav ein definiertes Potenzial an gate legen und wenn kein Signal ist Pulldown wiederstand für masse Potenzial oder Pull up für high potenzial. Was auch sein kann ist, das du gar kein N-kanal FET in der hand hast bzw überhaupt ein FET, schaum mal auf die Beschriftung. Klingt doof, aber viele grabbeln einfach nur in eine Kiste auf der N-FET steht und denke, das was sie da rausholen ist auch N-FET. Leider nicht immer so, auch im versand kommt sowas vor.
Vielen Dank für die zahlreichen Hinweise.
Vermutlich ist der zweite doch schon hinüber, auch wenn ich meine, ihn
halbwegs sanft angefasst zu haben (ohne Finger an den Pins, meist mit
Zange).
Zur Frage mit der Glühlampe: das Ohmmeter würde ziemlich sicher die 220V
nicht überleben, die Potenzialdifferenz lässt sich aber ganz gut messen.
Wenn aber beim FET die Pins 1 (G) und 3 (S) auf Masse liegen, steht das
Bauteil nicht wirklich unter einer hohen Spannung. Da stell ich mir in
meiner Naivität schon vor, dass ich einen Widerstand DS mit dem Ohmmeter
messen kann.
Die Schaltung ist bisher übrigens nur frei verdrahtet auf einem
Breadbord (sorry, die Handyfotos sind nichts geworden). Die
Gate-Spannung kann ich mit einem 10k-Poti zwischen 0 und 5V einstellen.
5V
|
-
| | ___
10k--|_____|--- G
|_| 4k7
|
|
Masse
Auf dem Bauteil steht übrigens groß und deutlich BSP295.
Glücklicherweise hatte ich gleich vier FETs gekauft, wenn ich die
letzten zwei auch noch schrotte, muss ich wieder in die Schillerstr.
dumb e-eng schrieb: > (ohne Finger an den Pins, meist mit > Zange) Nur so zur Info. Die Zange allein schütz vor ESD-Schäden nicht, ausser du hast eine speziell dafür geeignete. dumb e-eng schrieb: > Die Schaltung ist bisher übrigens nur frei verdrahtet auf einem > Breadbord Was hängt denn da sonst noch daran? Vielleicht liegt dort eher das Problem begraben.
Ich habe sicher kein Spezialwerkzeug. Das ist ein Hobby, keine professionelle Werkstatt. Außer der dem erwähnten Poti und der 5V-Spannungsversorgung ist nichts weiter drauf. Das Ganze soll mal so aussehen: http://jreise.de/RCUSB/RC-Schalter.html (Mitte der Seite, PowerFET-Stufe) Das ist auch freifliegend verdrahtet, aber offensichtlich von einem bedeutend erfahreneren Bastler.
Bist Du dir mit deinem Laststrom sicher? Könnte es sein das der geringfügig höher ist? Selbst wenn nicht, wenn ich das richtig verstanden habe gehst du mit maximal 5V auf Gate, was den RDSON auf ca.0,35 Ohm treibt, mal deinem Laststrom... da ist nicht mehr viel Luft bis das Ding verbrennt (Ptot 1,8W). Was bei der hohen Last dann noch dazu kommt ist der extrem hohe Gatewiderstand, das Teil schaltet dadurch auch extrem langsam auf und zu, was bedeutet der RDSON geht ganz langsam von unendlich nach 0,35 Ohm und zurück, das kann schon reichen um ihm den Rest zu geben.
Hab ich richtig gelesen... hier wird ein Ohmmeter unter Spannung verwendet??? Wenn ja, kann ich mir vorstellen warum die Ergebnisse nicht stimmen können.
dumb e-eng schrieb: > Die Gate-Spannung kann ich mit einem 10k-Poti zwischen 0 und 5V einstellen. Wozu soll das Poti gut sein am Gate? Ich denke auch dein Poti zum Gate ist das Problem. Damit hast du wohl den Fet im linearen Bereich betrieben und er starb am Hitzetod. Bei 12V und 400mA enspricht das einer Last von 30 Ohm. Nehmen wir nun als Beispiel an, der Fet ist mit 30 Ohm halb-leitend. Ergibt einen Gesamtstrom von I = 12V/(30+30 Ohm) = 200mA. Dann fällt am Fet ein Verlustleistung von P = I^2 * R = 0.2A^2 *30 Ohm = 1.2W an. Das ist klar zuviel für Freiluft-Verdrahtung. Wenn nun GS mit 4.5V richtig angesteuert wird ist der RDSon bei rund 0.5 Ohm. Dann ist der Verlust nur noch bei P = 0.4A^2 * 0.5 Ohm = 80mW (ohne Schaltverluste) Wenn, das Gate sauber geschalten wird, ist das sicher kein Problem.
Ich hab das (dritte) Teil jetzt auf eine Lochrasterplatine gelötet und von dort mit Steckkontakten auf das Breadboard geführt. Es funktioniert jetzt alles, wie es von Anfang an funktionieren sollte. Die Rumspielerein in der Hand haben wohl die ersten zwei Versuchsteile sterben lassen. Nochmals vielen Dank für die zahlreichen Hinweise
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