Hallo, ich habe mir eine DCF-Uhr aufgebaut (Bild_1). Diese funktioniert auch recht gut. Die Anzeige wird mit 7-Segment realisiert die gemultiplext ist (Bild_2). Hier musste ich etwas Entstörungsarbeit am Layout leisten. Da die Transistoren (genauer der jeweilige Emitter) ein unsauberes und mit Spikes verschmutztes Signal hatten (Bild_3), habe ich parallel zur CE-Strecke ein 10 nF Kondensator gelegt. Das Signal war nun sauberer, aber es sind "merkwürdige" Kurvenformen nun sichtbar (Bild_4). Klar da steckt die Auf- bzw. Entladefunktion des Kondensators drin, aber wenn man sich nun nochmal mein Schaltplan ansieht müsste man doch an dem Emitter nur ein Rechteck mit leichten An- bzw. Abrundungen der Ecken sehen?? Wieso ist bei der AUS-Zeit eines Transistor das Signal nicht gerade?? Es wird von den anderen Schaltzuständen der Transistoren und je nach Belastung (2 bis 7 Segmente entsprechende Zahl, anderer Strom) beeinflusst. Warum ist das so? Ich lasse einen Transistor 2 ms an und schalte dann aus und mache dann den nächsten für 2 ms an. Ergibt ne Multiplexfrequenz von ca. 83 Hz. (6x 7-Segment-Anzeige) Die Frage ist also, wieso bei der AUS-Zeit eines Transistors die Emitterspannung so verbogen wird? Ps. Im Übrigen war dieser Einfluss auf den Emitter durch die anderen Schaltzustände auch schon vor der 10 nF-Maßnahme da (siehe Bild_3) ... Viele Grüße Christopher
>Die Anzeige wird mit 7-Segment realisiert die gemultiplext >ist (Bild_2). Hier musste ich etwas Entstörungsarbeit am Layout leisten. Warum verzichest du denn nicht auf das altertümliche Multiplexing? Du hast doch auf der Platine genügend Platz für statische Treiber. Die Datenübertragung könnte seriell stattfinden. -> Niedrigste Störungen, ruhiges Erscheinungsbild der Anzeige...
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm Schneller Transistor-Schalter mit Diode Letzter Abschnitt...
Christopher Geile schrieb: > Wieso ist bei der AUS-Zeit eines Transistor das Signal nicht gerade? Im Aus-Zustand ist der Emitter-Anschluss hochohmig, deshalb reicht ein sehr geringer Strom, der durch die LEDs fließt aus, um die Spannung zu beeinflussen. Es ist deshalb völlig egal, wie die Spannung am Emitter im Aus-Zustand aussieht. Warum machst du das denn mit PNP-Transistoren? Damit kommst du am Emitter nie unter eine Spannung unterhalb von ca. 0,7V. Nimm lieber einen NPN-Transistor mti Emitter gegen GND; oder noch besser einen Mosfet, z.B. BSS138, da brauchst du dann keinen Basis-Widerstand.
Hallo, danke erstmal für die doch recht schnellen Antworten! @Johannes E. Ich denke dies ist die beste Erklärung bisher. Ich müsste jetzt mal rausfinden, wieviel durch ein LED-Segment an Strom fließt, wenn es garnicht angesteuert wird. Zum Thema NPN/PNP: Beitrag "NPN- und PNP-Transistoren" zweiter Eintag. @*Gst* Ok, schnelle Transistorschaltung. Warum ist die notwendig bei relativ langsamen und langen Schaltvorgängen? Den Basiswiderstand habe ich laut Datenblatt mit einer Stromverstärkung von 20 und entsprechenden Laststrom bestimmt. Somit müsste ich in einer schnellen Sättigung sein ohne den Transistor zu sehr zu "überfahren" (...) @Uwe Entladen wird er nur wenn der Transistor durchschaltet. Meiner Ansicht soll der ja auch nur die Ein- und Ausschaltvorgänge beruhigen. @Plexi Bei der nächsten Schaltung :-) Gruß
Christopher Geile schrieb: > Warum ist die notwendig bei relativ > langsamen und langen Schaltvorgängen? Artikel nicht gelesen, oder nciht verstanden? Das ist eine KOmbination zwischen und was Johannes E. geschrieben hat. Aufbauen messen und staunen...
Christopher Geile schrieb: > Zum Thema NPN/PNP: Beitrag "NPN- und PNP-Transistoren" > zweiter Eintag. Du meinst diesen Satz: > Anwendung: Anstuerung von 7-Segment LEDs mit gemeinsamer Anode Bei dir haben die Anzeigen aber eine gemeinsame Kathode! Oder etwa doch nicht?
Wenn ich dich richtig verstanden habe, dann misst du mit deinem Oszi direkt an den Emittern der Transistoren. Wenn dem so ist, dann solltest du dir mal genau überlegen was du da überhaupt misst. Wenn der Transistor durchgesteuert ist, dann misst du ca. 0,7V. Das ist die Spannung vom Emitter-Basis-Übergang. Was misst du aber wenn der Transistor nicht durchgesteuert ist? Dann misst du "rückwärts" durch deine 7-Segment-Anzeige einen Signalmix der Steuerleitungen.
Richtig, sind CC. Aber meine Treiberstufe für die Basis ist invertiert. Gut, könnte mann programmiertechnisch anders durch den µC lösen. Sind nun mal aber pnp´s eingebaut. Das mit der Schottky-Diode klingt recht gut, doch verstehen tue ich es nur teilweise. Wie Johannes E. oben geschrieben hat, und auch die Oszi-Messung zeigt, komme ich nicht unter 0,7 V Kollektorspannung (eher mehr). Wenn da nun eine Schottky-Diode mit eingebaut wird, soll der Transistor schneller (ab)schalten? Schneller aus der Sättigung kommen.. Das soll doch damit bezweckt werden, oder? In wie weit hilft mir das, zu vestehen dass ich dann keine Spikes mehr bekomme und dann eine Spannung am Kollektor messe die anzatzweise wie eine Rechteckkurve aussieht (...)
Vergiss das mit der Schottky-Diode. Bei einer Takt-Zeit von 2ms pro Transistor ist es egal, ob der Transistor in 0,1µs oder in 1µs ausschaltet. Dadurch sind kurz nach dem Weiterschalten von einem zum nächsten Transistor kurzzeitig beide gleichzeitig an. Du könntest das in der Firmware so ändern, dass vor dem Weiterschalten erst mal alle Segmente ausgeschaltet werden, dann auf den nächsten Transistor umschalten und dann nach einer kurzen Pause (ca. 1µs) werden die Segmente für das nächste Modul eingschaltet. Dann siehst du am Oszi zumindest, ob die Spikes beim ein- oder beim ausschalten eines Transistors auftreten. Oder die Spikes sind dann ganz weg. Christopher Geile schrieb: > ... dass ich dann keine Spikes mehr bekomme und dann eine Spannung am > Kollektor messe die anzatzweise wie eine Rechteckkurve aussieht Der Kollektor liegt doch auf GND, da kann keine Rechteckspannung anliegen! Wenn du am Emitter unbedingt eine Rechteck-Kurve haben möchtest, brauchst du Pull-Up Widerstände. Ansonsten ist die Spannung im ausgeschalteten Zustnad undefiniert. Warum stören dich die Spikes eigentlich?
Johannes E. schrieb: > Vergiss das mit der Schottky-Diode. Bei einer Takt-Zeit von 2ms pro > Transistor ist es egal, ob der Transistor in 0,1µs oder in 1µs > ausschaltet. Langsamer ist doch bei dieser Anwendung sogar besser. Wozu braucht man hier schließlich schnelle / steile Schaltflanken? Die würden nur mehr Störungen erzeugen.
Tobias C. schrieb: > Langsamer ist doch bei dieser Anwendung sogar besser. Wozu braucht man > hier schließlich schnelle / steile Schaltflanken? Die würden nur mehr > Störungen erzeugen. Richtig! Nur so schnell schalten wie noetig nicht so schnell wie moeglich. Christopher Geile schrieb: > Den Basiswiderstand habe ich laut > Datenblatt mit einer Stromverstärkung von 20 und entsprechenden > Laststrom bestimmt. Bei einem Emitterfolger ist der Basisvorwiderstand ueberfluessig. Bitte mal vorrechnen. > Somit müsste ich in einer schnellen Sättigung sein > ohne den Transistor zu sehr zu "überfahren" (...) Bei einem Emitterfolger kannst du den Transistor nicht in die Saettigung fahren.
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