Hallo zusammen, Ich arbeite gerade an dem Schaltplan für ein Schulprojekt. Es handelt sich um eine LED-Matrix welche Spaltenweise die Farbe ändern soll. Nun hab ich nur das Problem das meine Schaltung laut Simulation nicht geht und in Real aufbauen kann ich sie gerade nicht da ich gerade nicht an MOSFETs komme. Schalte ich nun Spalte_1, Zeile_1 und Rot ein leuchtet keine LED obwohl doch Die Rote LED unten links leuchte sollte. Wie kann ich die Schaltung umsetzen ohne auf BIPOLAR-Transitoren zu wechseln? Bipolare-Transistoren möchte ich wegen dem Basisstrom und de UCESAT nicht verwenden. Gruß Michael
Ich vermute du nutzt keine High-side-MosFET-Treiber für die Zeilen-FETs... dann wirds daran liegen... Bis auf eventuel unkontrolliertes Blinken der LEDs verursacht durch umladen der Gates der FarbFETs an abgeschalteten Spalten sollte es so funktionieren...
An Gate Q6 liegen 5V. Am Source dann die um die Threshold Spannung geringere Source-Spannung von vielleicht 2.5V. Das wird zuwenig sein.
Nimm And-Gates und spar dir die FETs. Ist mit wesentlich weniger Ärger verbunden.
Leo B. schrieb: > Nimm And-Gates und spar dir die FETs. Ist mit wesentlich weniger Ärger > verbunden. Das hab ich mir auch schon überlegt. Danke für eure Antworten. Gruß Michael
AND kann man ggf auch mit 2 Dioden und R gegen VCC realisieren VCC | | R .|--' | ||<-. o--|<|--+--'|--+ o--|<|--+ | | Spannungsabfall der Dioden etc muss natürlich berücksichtigt werden. Die Frage ist, ob ~1V Ugs noch zum Sperren ausreichen und ob die Schaltung schnell genug ist. Gruß Roland
Ich hab die Schaltung jetzt aufgebaut. Also in "Real" funktioniert es mit N-Kanal-FETs für die Zeilen auch. Und die Reihenschaltung der FETs geht auch. Gruß Michael
Michael Mayer schrieb: > Also in "Real" funktioniert es mit N-Kanal-FETs für die Zeilen auch. Allerdings hast du dann an der Source um ca. 3V weniger Spannung als am Gate. Und diese Spannung wird ahängig vom Strom noch größer... > Und die Reihenschaltung der FETs geht auch. Das klappt sicher problemlos.
Michael Mayer schrieb: > Bipolare-Transistoren möchte ich wegen dem Basisstrom und de UCESAT > nicht verwenden ... Michael Mayer schrieb: > mit N-Kanal-FETs für die Zeilen auch ... d.H. 0,2 Volt Spannungsabfall wären dir zuviel, aber mal flugs mehr als das Zehnfache an deinem falsch angesteuerten Highside-N-Kanal-FET verbraten ist ok?
Εrnst B✶ schrieb: > d.H. 0,2 Volt Spannungsabfall wären dir zuviel, aber mal flugs mehr als > das Zehnfache an deinem falsch angesteuerten Highside-N-Kanal-FET > verbraten ist ok? Das habe ich gar nicht bedacht. Aber wie muss ich es dann machen. Mit einem P-Kanal-FET geht es nicht. Bei einem P-Kanal muss ich doch Source auf die Versorgungsspannung, legen oder nicht? Gruß Michael
Lothar Miller schrieb: > Allerdings hast du dann an der Source um ca. 3V weniger Spannung als am > Gate. Der gewählte BUZ-11 braucht eher 5V Ugs bevor er auch nur aufmacht. Richtig durchschalten eher bei 7-10V.
Die BUZ-11 sind nur zum Testen. Welche FETs ich nachher verwende weiß ich noch net.
Udo Schmitt schrieb: > Der gewählte BUZ-11 braucht eher 5V Ugs bevor er auch nur aufmacht. > Richtig durchschalten eher bei 7-10V. Ich hatte hier den Finger auch schon auf der 5... Michael Mayer schrieb: > Die BUZ-11 sind nur zum Testen. > Welche FETs ich nachher verwende weiß ich noch net. Es wird auch mit anderen N-Kanal-Fets bestenfalls graduell besser: statt 5V dann nur 2,5V... Michael Mayer schrieb: > Mit einem P-Kanal-FET geht es nicht. Bei einem P-Kanal muss ich doch > Source auf die Versorgungsspannung, legen oder nicht? Ja, und mit einer Spannung, die kleiner ist als Vcc-Ugsth schaltet der dann auf. Im Idealfall also Vcc=12V und Ug=0 (on) ... 12V (off).
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