Hi, für euch sicherlich trivial, aber ich beiß mir da momentan echt die Zähne aus - obwohl ich mir schon Application Notes angeschaut habe. Ich verstehe nicht, wie ich ein Treibersignal für einen MOSFET erzeugen kann, das +-Vgs ist. Gehen wir von einem PWM controller aus, der am Ausgang ein Rechtecksignal mit entweder Vcc oder GND ausgibt. Dieses Signal gebe ich auf einen Gatetreiber, der ebenfalls mit Vcc und GND betrieben wird. Soweit richtig? Wie bekomme ich nun die negative Vgs Spannung erreicht? Es gibt Dual Gate Drivers, die bei zwei Eingängen zwei Ausgänge kreieren. Ist es gänge Praxis, dort eine Verschiebung von 180° einzubauen? Wenn ja, wie sieht diese aus? Wenn nein, wie bekommt man sonst die +-Vgs hin? Wie gesagt, für euch ein "piece of cake", aber für mich gerade echt verzweifelnd :( Viele Grüße
Weshalb negativ ? Ein N-Fet is mit der Source an GND. Dann genuegen GND und ein positives Vgs zum Ein-/Ausschalten
Hi, Pico Oschi schrieb: > Weshalb negativ ? Ein N-Fet is mit der Source an GND. Dann genuegen > GNDund ein positives Vgs zum Ein-/Ausschalten Okay, das ergibt Sinn. Aber irgendwo habe ich mal gelesen, dass ein Schalter mit +-15V betrieben wird. Wahrscheinlich hat mich das dann verwirrt. Wie sieht es denn aus, wenn man einen Übertrager zur galvanischen Trennung verwendet. Wenn ich dem 0V und 15V gebe, fährt der dann nicht irgendwann in die Sättigung aufgrund des Gleichspannungsanteils? Oh je, ich bin verwirrt :(
@ Anfänger (Gast) >Okay, das ergibt Sinn. Aber irgendwo habe ich mal gelesen, dass ein >Schalter mit +-15V betrieben wird. Das gilt nur für einige IGBTs, die zum vollständigen Sperren eine negative gatespannung brauchen. >Wie sieht es denn aus, wenn man einen Übertrager zur galvanischen >Trennung verwendet. Wenn ich dem 0V und 15V gebe, fährt der dann nicht >irgendwann in die Sättigung aufgrund des Gleichspannungsanteils? Sicher, du musst ihn gleichspannungsfrei ansteuern. Oder mit so kurzen Schaltpulsen, dass er in den Pausen seine Magnetisierungsenergie wieder loswerden kann. MFG Falk
Naja, bei einem p-Kanal-MOSFET muss die Spannung Ugs negativ sein, damit er leitet. Bei einem n-Kanal-MOSFET positiv. Dazu brauchst du aber keine negative Spannung. Es kommt auf die Potentialdifferenz an. D.h. hast du am Gate eine Spannung von 5V und am Source eine Spannung von 10V, dann hast du Ugs von -5V. Bei einem n-Kanal-MOSFET hast du Source auf 0V und das Gate auf 5V und du hast Ugs von +5V.
Hi, vielen Dank für eure Antworten. Jetzt wird es etwas klarer. Ich revidiere meinen Eingangspost bzw. den Threadtitel und möchte gerne einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V. Wie wird das am einfachsten realisiert? Danke
Bzw. wie gibt es einen Namen für so eine Schaltung, so dass ich sie selbst nachlesen kann?
Anfänger schrieb: > vielen Dank für eure Antworten. Jetzt wird es etwas klarer. Ich > revidiere meinen Eingangspost bzw. den Threadtitel und möchte gerne > einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V. Wer sagt sowas ungeheuerliches?
@Anfänger (Gast) >einen IGBT ansteuern. Dieser IGBT benötigt +-15V. >Wie wird das am einfachsten realisiert? Wie schon richtig erkannt mit einem Pulsübertrager. MFG Falk
Hi, Mampf F. schrieb: > Wer sagt sowas ungeheuerliches? Ich - basierend auf Falks Aussage, dass einige IGBTs eine negative Steuerspannung brauchen um abzuschalten. Und ja, es ist nur eine theoretische Überlegung meinerseits mit den +- 15V. In diesem ganzen Thread geht doch nur darum: Wie kriege ich aus 0...Vcc von meinem PWM controller +-Vcc bzw. +-Vcc/2 so dass ich das Signal in einen Übertrager einspeisen kann? Gruß
Hi Falk, Falk Brunner schrieb: > Wie schon richtig erkannt mit einem Pulsübertrager Das heißt also, dass die Sekundärseite des Übertragers drei Abriffe hat. Gegenüber dem mittleren Abgriff habe ich dann +-Vcc zum Übertrager habe ich aber noch eine Frage: wenn ich eingangsseitig ein Signal von 0...Vcc anlege, muss die Pulsbreite entsprechend klein sein, damit die Magnetisierungsenergie abgeführt werden kann. Das müsste ja über den ohmschen Anteil der Windungen geschehen, wenn ich mich nicht täusche? Aber kommt die Pulsbreite nicht aus dem PWM controller, der die Pulsbreite entsprechend der Regelung (voltage mode, current mode) anpasst? Pulsbreite ist also irgendwas zwischen 0 und 100%. Wenn der Übertrager also mit einer sehr kurzen Pulsbreite betrieben wird, dann stimmt doch die ganze Regelung des DCDC Wandlers nicht mehr - das ist auch blöd. Wäre es deshalb nicht einfacher, nach dem PWM controller das Signal auf einen reinen Wechselspannungsanteil aufzusplitten und das dann mit der richtigen Pulsbreite in den Übertrager zu schicken. So wirklich den Aha Effekt habe ich noch nicht - irgendwie stelle ich mich zu doof an :/
Oh Mann, oh Anfänger. Du hast doch jetzt die Info IGBT und willst wissen wie man diesen ansteuert. Wie wäre es denn du sucht nun endlich mal in einer Suchmaschine mit den Worten IGBT ansteuern!
Schau dir einfach mal ein paar Datenblätter von IGBT-Gate-Treibern an, z.B. Avago ACPL-333J. Für IGBTs wie auch für Mosfets gilt, dass sie mit 0V Gate-Spannung aus sind. Allerdings kann man durch eine negative Gate-Spannung den Ausschaltvorgang schneller und zuverlässiger machen, speziell bei harter Kommutierung. Bei einem sehr schnellen di/dt entstehen an den parasitären Induktivitäten leicht mal Spannungen im Bereich von einigen V, was dazu führen kann, dass ein IGBT oder Mosfet ungewollt einschaltet, wenn man ihn extern mit 0V Gatespannung ansteuert. Bei einer Gatespannung im Bereich -5 .. -10V hat man einfach mehr Sicherheit, gleichzeitig werden die Ausschaltverluste geringer.
Anfänger schrieb: > In diesem ganzen Thread geht doch nur darum: > > Wie kriege ich aus 0...Vcc von meinem PWM controller +-Vcc bzw. +-Vcc/2 > so dass ich das Signal in einen Übertrager einspeisen kann? So einfach ist das nicht ... Man darf die praktische Anwendung nicht vernachlässigen, denn je nach Anwendung gibt es gute, bessere, schlechtere Wege. Brauchst du z.B. einen Level-Shifter von 0...Vcc zu +-Vss oder +-Vss/2 mit 1kHz und 5mA gibt es andere Lösungen, als wenn du 1MHz mit 1A Umladestrom brauchst. Daher sind solche hypothetische Konstrukte fast immer sinnfrei.
Was soll am IGBT "schwerer" als am Fet sein? Wenn das Gate niederohmig auf 0V gehalten wird gibts auch keinen Grund für negative Gatespannung. In einer Brückenanordnung kann bei hartem Schalten durch hohes di/dt die Millerkapazität das Gate aufgeladen werden und einen Brückenschluss verursachen. Dabei kann es Sinn machen, das Gate negativ zu Laden und mehr Abstand zum Threshold zuhaben. Allerdings nicht über einen AC-gekoppelten Trafo, denn bis der Koppelkondensator seine Biasspannung erreicht hat, ist der Gateimpuls nicht negativ genung um einen Shoot-Throgh zu verhindern. Gerade bei stärkeren Resoanzwandler mit IGBTs (aber auch MOSFET), welche im Normbetrieb weich schalten, ist dies ein Problem. Denn die ersten paar Pulse wird hart geschaltet mit hohem du/dt und genau die ersten Pulse ist Koppelkondensator noch ungeladen. Da gibts Abhilfe wie extra Abschalt- oder "Niederhalttransistoren". In den Treibern auch als "Active Miller Clamp" bezeichnet. Also passeden Treiber nehmen und gut ist.
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