Hallo Elektronik-Gemeinde, ich hoffe, dass ich hier ein paar Leistungselektroniker finde, die mir eine Frage beantworten können. Ist die Leistungsaufnahme eines MOS-FET-Gatetreiber-ICs abhängig davon, ob der angesteuerte FET gerade eine Last schaltet oder leerläuft? Die Antwort ist wichtig für mich, weil ich einen kleinen DC-DC-Wandler (Traco) zur Versorgung der Treiber-ICs auswählen muss. Beim testen ohne Last war die Leistungsaufnahme rund 300mW. Mit Last testen kann ich nicht. Da der Bauraum knapp ist, will ich den 2W-Traco rauslassen, wenn möglich. :-) Emil
> Ist die Leistungsaufnahme eines MOS-FET-Gatetreiber-ICs abhängig davon, > ob der angesteuerte FET gerade eine Last schaltet oder leerläuft? Nein. Es gibt zwar die CGD Kapazität, da aber bein Einschalten und Ausschalten derselbe Spannungshub, nur in Gegenrichtung, erfolgt, ist die Summe 0.
Die Drain-Date Kapazität ist schon wichtig. In der Summe fließt da zwar kein Strom, aber doch ein Wechselstrom drüber - den der Gate Treiber bereitstellen muss. Auch wenn das eine Blindlast ist verbraucht der Gate Treiber dafür Leistung. Die Gate Ladung ist also etwas von der Spannung an Drain abhängig. Der Strom der druch den MOSFET fließt ist aber egal. Um einen Spannungshub an Drain zu erreichen braucht man aber in der Regel schon einen wenigstens kleine Last.
Also lange Rede, kurzer Sinn: Die zusätzliche Leistung hängt von der Schalthäufigkeit und von der Gatekapazität ab, die hier keiner kennt.
Du wolltest sagen: Blöde Rede, kein Sinn. Du hättest wenigstes die Frage von Emil lesen sollen.
Danke, das ging ja schnell!
Mit "Leerlauf" meinte ich, dass Drain unbeschaltet ist.
>Die Drain-Date Kapazität ist schon wichtig....
Das bedeutet dann, das die zusätzliche Leistungsaufnahme etwa
f_schalt*0.5*U_gd^2*C_gd sein wird?
Emil
Die Ladung die man für die Gate/Dain Kapazität braucht, ist U_GD * C_G. Der Strom dann f U_GD C_GD und damit die Leistung U_GD C_GD U_GS. Als Näherung für U_GD kann ggf. U_DS genommen werden, wenn das deutlich mehr als die Gatespannung ist. Der Anteil über die Drain-Gate Kapazität ist je nach Anwendung nicht zu vernachlässigen und teils größer als die Ladung über die Gate-Source Kapazität. Das wird also knapp mit einem 1 W DCDC Wandler.
Bastler schrieb: > Die zusätzliche Leistung hängt von der Schalthäufigkeit und von der > Gatekapazität ab, die hier keiner kennt. Ulrich schrieb: > Der Anteil über die Drain-Gate Kapazität ist je nach Anwendung nicht zu > vernachlässigen Eben, es ist ein Unterschied, ob ab und zu ein Verbraucher geschaltet wird, oder ob man PWM mit 100 kHz macht.
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