Hallo! Habe ein NMOSFET über einen Gatewiderstand an einen ATtiny48 angeschlossen. Zusätzlich kommt an den MOSFET noch ein Pulldown-Widerstand ans Gate. Wenn ich den Pulldown direkt zwischen Gate und Gatewiderstand anbringe, entsteht so doch ein ungewollter Spannungsteiler, oder etwa nicht? Sollte ich den Pulldown deshalb nicht besser direkt zwischen MCU und Gatewiderstand schalten? Grüße
Das hier ein Spannungsteiler entsteht ist richtig. Wenn das irgenwie relevant für Deine Schaltung ist, dann mach den Pulldown vor den Gatewiderstand. In der Regel ist Dein Gatewiderstand <100 Ohm und der Pulldown einige xxkOhm groß, der Spannungsabfall ist also nur wenige mV groß. Gruß
Ich würde sagen, ist wurscht, den Pulldown brauchst Du nur, solange der Tiny seine Port's noch nicht konfiguriert hat.
EGS_TI schrieb: > Sollte ich den Pulldown deshalb nicht besser direkt zwischen MCU und > Gatewiderstand schalten? Ja, seh ich auch so. Mach den Pulldown nicht zu klein, ich denke so 10k sind OK. Mach den Pulldown aber auch nicht zu groß, manche µC's (ich kenne den ATtiny48 nicht) haben eingebaute Pullup's! Der Pulldown soll doch sicher dazu dienen, das der MOSFET nicht zufällig schaltet, bevor das DDR-Register des ATtiny initialisiert wurde.
Ok, danke für deine schnelle Antwort. Stimmt natürlich, nur habe ich hier 1k Gatewiderstand, der ist dann wohl etwas zu groß gewählt?
** Lötlackl schrieb: > Ich würde sagen, ist wurscht, den Pulldown brauchst Du nur, solange der > Tiny seine Port's noch nicht konfiguriert hat. Und falls irgendwo ein kalte Lötstelle oder sonst eine Unterbrechung auftritt. Und deshalb: möglichst direkt zwischen Source und Gate.
@Peter Mein Pulldown ist 10k und Gate 1k (bis jetzt). Der Grund klingt plausibel. War so vorgegeben, allerdings ohne Bauteilwerte. Dann sollte ich also den Gatewiderstand etwas verkleinern..
Lothar Miller schrieb: > ** Lötlackl schrieb: >> Ich würde sagen, ist wurscht, den Pulldown brauchst Du nur, solange der >> Tiny seine Port's noch nicht konfiguriert hat. > Und falls irgendwo ein kalte Lötstelle oder sonst eine Unterbrechung > auftritt. Und deshalb: möglichst direkt zwischen Source und Gate. Ah, danke! Super, dass man hier noch so viel dazulernen kann.
EGS_TI schrieb: > Mein Pulldown ist 10k und Gate 1k (bis jetzt). Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum, selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume. Größer muss es nicht sein. 10k ist ok. Bei f< 20kHz würde ich irgendwas zwischen 10R und 22R wählen. Darüber hinaus ist ein Blick ins DB des Schalters auch empfehlenswert bezüglich der Gateladungen. Ingo
Ingo, worauf genau sollte man dann achten? Wäre toll wenn du mir ein Stichwort geben könntest (oder auch mehr ;) ) . Über eine Erklärung würde ich mich natürlich auch freuen.
Gatedriver schrieb: > Wenn das irgenwie relevant für Deine Schaltung ist, dann mach den > Pulldown vor den Gatewiderstand. Dazu habe ich auch mal eine Frage an die Spezialisten hier : kann man das wirklich problemlos so machen ? Also der "klassische" Weg ist ja : µC-Ausgang -> Vorwiderstand -> Gate und Widerstand nach Masse (Pulldown) Kann ich das problemlos ändern in : µC-Ausgang -> Widerstand nach Masse (Pulldown) und Vorwiderstand -> Gate Was ist in dem Moment, wo der Mikrocontroller (z.B. ein Atmega) noch nicht richtig initialisiert ist ? Ist das dann gut, wenn direkt Masse am Pin anliegt ohne das der Vorwiderstand dazwischen ist ?
Ingo schrieb: > Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum, > selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume. Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten? MfG Klaus
Klaus schrieb: > Ingo schrieb: >> Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum, >> selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume. > > Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten? > > MfG Klaus Im Moment des schaltens, wenn die Gatelapazität ungeladen ist fließt ein massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die wenigsten Portpins abhaben. Der Gatewiderstand begrenzt den Strom. Das Laden / Entladen der Gatekapazität dauert dann länger und damit auch das Schalten. Darum so klein wie möglich, so groß wie nötig um den Pin nicht zu himmeln.
Peter schrieb: > fließt ein > massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die > wenigsten Portpins abhaben. Nur dass die meisten Portpins 60..80 Ohm Kanalwiderstand (sprich: Innenwiderstand) haben, zumindest bei AVRs. Das begrenzt den maximalen Strom auf erträgliche Werte. Gatewiderstände an Controllerpins sind somit Angstwiderstände.
Peter schrieb: > Klaus schrieb: >>> Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum, >>> selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume. >> Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten? > Im Moment des schaltens, wenn die Gatelapazität ungeladen ist fließt ein > massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die > wenigsten Portpins abhaben. Ähm. Nein. Portpins können soviel Strom auch gar nicht liefern. Typische CMOS- Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand. Die begrenzen den Strom schon ganz allein. Und daß sie dabei kurzfristig quasi auf einen Kurzschluß arbeiten, stört auch nicht. Das ist ein ganz normaler Betriebsfall. Sonst würden ja jegliche parasitären Kapazitäten die Funktion jedweder Logikschaltung verhindern. XL
Axel Schwenke schrieb: > Typische CMOS-Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand. > Die begrenzen den Strom schon ganz allein. ... auf max. 500 mA könnte man da noch ergänzen. > Sonst würden ja jegliche parasitären Kapazitäten die Funktion jedweder > Logikschaltung verhindern. Das wäre in der Kapazität ja auch nur ein Unterschied von einem Faktor 100 zu einem etwas solideren MOSFET.
> > Portpins können soviel Strom auch gar nicht liefern. Typische CMOS- > Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand. Die begrenzen den > Strom schon ganz allein. Nur dödelt nicht jeder mit Arduino / AVR oder PIC rum. Ein wundervoller Highspeedtreiber z.B. im FPGA hat da ganz andere Avancen ...
Knut Ballhause schrieb: > Nur dass die meisten Portpins 60..80 Ohm Kanalwiderstand (sprich: > Innenwiderstand) haben, zumindest bei AVRs. Das begrenzt den maximalen > Strom auf erträgliche Werte. Gatewiderstände an Controllerpins sind > somit Angstwiderstände. ... und dieser Innenwiderstand reicht auch aus, um das MOSFET-Gate direkt mit dem Ausgangspin (z.B. beim Atmega328) zu verbinden ? Manche nutzen ja gar einen 1k Vorwiderstand, was natürlich ein bissel arg viel ist aber das hat vielleicht auch mit dem Spannungsteiler zu tun (wenn man noch einen 10k Pulldown verwendet) sprich es müssen ja noch ausreichend Volt am Gate anliegen. Aber abgesehen davon dachte ich schon, dass man so Pi mal Daumen um die 100 Ohm zur Absicherung braucht und es somit nicht schaden kann, zusätzlich noch einen Vorwiderstand von vielleicht 30 bis 50 Ohm einzuplanen.
Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um den Controller-Ausgang zu schützen oder kann man gleich einen Pullup ranhängen und das Gate ?
Max schrieb: > Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um > den Controller-Ausgang zu schützen oder kann man gleich einen Pullup > ranhängen und das Gate ? Nein, außer du hast eine Schaltung.
Sola schrieb: > Nein, außer du hast eine Schaltung. Bei PWM wird so einiges geschaltet, also ja. Die Frage ist eben, wie man den Vorwiderstand berechnet und wieviel Innenwiderstand man dann noch abziehen kann.
@ Max (Gast) >Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um >den Controller-Ausgang zu schützen Nein. Abschätzung:
1 | P = U^2 * C * f (Ladeleistung) |
Die wird in der IO-Zelle in Wärme umgesetzt. Bei einem kleinen IC ala AVR & Co würde ich dort bestenfalls 10-100mW verbraten wollen (Pi mal Daumen). Mal rechnen. PWM mit 1kHz und 10nF MOSFET-Gate Kapazität (schon recht viel) bei 5V
1 | P = 5V^2 * 10nF * 1 kHz = 250µW. |
Da ist noch VIEL Luft nach oben. Wenn man höhere Frequenzen oder Kapazitäten treiben will, braucht man einen MOSFET-Treiber, siehe MOSFET-Übersicht. >oder kann man gleich einen Pullup >ranhängen und das Gate ? Ja.
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