Moin, ich verwende das Current Mode Control IC UC3843, dessen Ausgang ein PWM Signal gibt und einen Hochsetzsteller regelt. Das funktioniert alles wunderbar. Nun möchte ich im nächsten Schritt die Diode im Hochsetzsteller durch einen weiteren Schalter ersetzen, um die Durchlassverluste dort zu reduzieren. Das heißt also, dass ich das PWM Signal vom UC3843 zwei mal brauche und eines davon sogar invertiert. Jetzt meine Frage an euch: Gibt es ein IC, das als Eingang ein PWM Signal erhält und zwei Ausgangssignale daraus macht - am besten noch mit der Option Totzeit. Die Ausgangsspannung des UC3843 beträgt 15 bis max. 30V. Der Hochsetzsteller hat am Ausgang eine Spannung von 500V, eingangsseitig wird er mit 250-400V gespeist. Wenn Angaben fehlen, so teilt es mir bitte mit und ich werde mich bemühen, diese nachzureichen. Vielen Dank und freundliche Grüße
@ al3ko (Gast) >Gibt es ein IC, das als Eingang ein PWM Signal erhält und zwei >Ausgangssignale daraus macht - am besten noch mit der Option Totzeit. Jo, gibt es massenhaft, z.B. von IRF. Siehe http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber IR2111 & Co. MfG Falk
Hi Falk, vielen Dank für den Link. Sehe ich das richtig, dass Half Bridge Driver für mich prinzipiell richtig sind? So wie ich das aus dem Datenblatt entnehme, sind die beiden Ausgänge invers zueinander, und das mit gegebener Totzeit. Ich verstehe nun aber nicht den Unterschied zu einem High & Low Side Driver. In einer Halbbrücke habe ich doch eine High & Low Side Konfiguration ?!? :/ Ich stehe gerade auf dem Schlauch. Ich glaub, ich muss erstmal einen Spaziergang machen :D Vielen Dank und freundliche Grüße, al3ko
> Nun möchte ich im nächsten Schritt die Diode im Hochsetzsteller durch > einen weiteren Schalter ersetzen, um die Durchlassverluste dort zu > reduzieren. > Hochsetzsteller hat am Ausgang eine Spannung von 500V Ist das dein Ernst? Da kannst du an der Diode im Idealfall ca. 0,1% gewinnen und verlierst an anderer Stelle viel mehr, dazu noch der Aufwand.
Hi, ArnoR schrieb: > Ist das dein Ernst? Da kannst du an der Diode im Idealfall ca. 0,1% > gewinnen und verlierst an anderer Stelle viel mehr, dazu noch der > Aufwand. An welcher Stelle verliere ich viel mehr? Ist der Aufwand wirklich so viel größer, so dass ich an dieser Stelle vielleicht etwas unberücksichtigt lasse? Gruß
> An welcher Stelle verliere ich viel mehr? > Ist der Aufwand wirklich so viel größer...? Du brauchst einen zusätzlichen Schalter mit Treiber, das braucht auch Leistung. Die Alternative ist eine einfache Diode, weiter nichts. > Wie kommt man auf 0,1%? Hab jetzt mal vereinfacht 0,5V Durchlassspannung für die Diode angesetzt, diese Spannung liegt in Reihe zur Ausgangsspannung von 500V und erniedrigt diese daher um 0,5V, und nur das kann man gewinnen.
@ al3ko (Gast) >vielen Dank für den Link. Sehe ich das richtig, dass Half Bridge Driver >für mich prinzipiell richtig sind? So wie ich das aus dem Datenblatt >entnehme, sind die beiden Ausgänge invers zueinander, und das mit >gegebener Totzeit. Ja. >Ich verstehe nun aber nicht den Unterschied zu einem High & Low Side >Driver. Dort sind high- und Low Side nicht gekoppelt, müssen also einzel angesteuert werden. Dabei muss auch die Totzeit beachtet werden. MfG Falk
Hi Arnor, die Durchlassverluste sind gegeben durch die Formel:
V_F ist die Durchlassspannung I_AV ist der Durchschnittsstrom I_rms ist der Effektivwert des Stromes R_On ist der Bahnwiderstand V_F ist beim Schalter geringer als bei der Diode. Wenn ich mich nicht irre, ist sogar R_On beim Schalter geringer als bei der Diode. I_AV und I_rms sind in beiden Fällen gleiche Parameter. Es macht in meinen Augen also durchaus Sinn, die Diode durch einen Schalter auszutauschen und zu gucken, wie sehr sich das bemerkbar macht. Gruß
@ Klaus Dietmar (al3ko) >V_F ist beim Schalter geringer als bei der Diode. Nämlich Null beim MOSFET und 1-2V beim IGBT. > Wenn ich mich nicht >irre, ist sogar R_On beim Schalter geringer als bei der Diode. I_AV und >I_rms sind in beiden Fällen gleiche Parameter. Ja, aber . . . >Es macht in meinen Augen also durchaus Sinn, die Diode durch einen >Schalter auszutauschen und zu gucken, wie sehr sich das bemerkbar macht. Gucken muss man, aber eher auf die Rechung, und zwar die GESAMTbilanz. Eine 0815 Diode hat vielleicht 1V Spannungsabfall bei Nennstrom, ein passender MOSFET vielleicht 0,5V. Das macht bei 500V Ausgangsspannung erstmal nur einen Bruchteil aus. Anders bei 5V Ausgangsspannung, da ist Synchrongleichrichtung gang und gäbe. MFG Falk
Hi, ich habe da eine andere Herangehensweise und werde die Diode mit einem Schalter ersetzen. Dann sehen wir ja, was am Ende dabei rauskommt :D Gruß
@Klaus Dietmar (al3ko) >ich habe da eine andere Herangehensweise und werde die Diode mit einem >Schalter ersetzen. Dann sehen wir ja, was am Ende dabei rauskommt :D Was willst Du dabei sehen? Nur das, was hier hergebetet wurde. Nämlich, daß die Verluste gegenüber der Ausgangsleistung schon mal relativ niedrig sind. Mit oder ohne Extra-Mosi anstatt Diode. Und bei 500V haben Mosis rel. hohe Rdson, so daß bei paar wenigen A("mpers" ;-) sich das ganze dann doch sehr relativiert. Vergesse jedenfalls, daß Mosis 0 Ohm Kanalwiderstand hätten ...
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