Bipolartransistor falsche Spannung

[Sarah (Gast)]

Hi,
was passiert, wenn ich die Basis-Emitterspannung eines 
Bipolartransistors
verkehrt herum anlege?

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Sarah schrieb:
> was passiert, wenn ich die Basis-Emitterspannung eines
> Bipolartransistors verkehrt herum anlege?
Kannst du das auch mit halbwegs gängigen technischen Begriffen 
formulieren?

> was passiert, wenn ich die Basis-Emitterspannung eines
> Bipolartransistors verkehrt herum anlege?
Beginnen wir bei 0V
0V        Es fließt kein Strom
bis ca 5V Die BE-Doide sperrt, es fließt ein Leckstrom.
5..10V    Die BE-Diode bricht durch und kann an dieser Stelle als
          Rauschgenerator verwendet werden.
10V++     Der Strom wird zu groß, es gibt eine Siliziumschmelze

[Sarah (Gast)]

OK, danke!
Gibt es ne Anwendung, wo so ein Leckstrom (bis 5V) sinnvoll wäre?

[j. c. (jesuschristus)]

Als Rauschgenerator?

[Harald W. (wilhelms)]

Sarah schrieb:
> OK, danke!
> Gibt es ne Anwendung, wo so ein Leckstrom (bis 5V) sinnvoll wäre?

Nun, wenn man einen astabilen Multivibrator nach der Zweitransistor-
Standardschaltung aufbaut, kommt es regelmässig zu solchen negativen
Belastungen an der Basis. Deshalb funktioniert diese Standardschaltung
ohne zusätzliche Maßnahmen nur bis ca. 6V zuverlässig.
Gruss
Harald

[Falk B. (falk)]

@  Lothar Miller (lkmiller) Benutzerseite

>5..10V    Die BE-Diode bricht durch und kann an dieser Stelle als
>          Rauschgenerator verwendet werden.

sind die in Sperrichtung wirklich so hochohmig, dass man da 10V 
zerstörungsfrei anlegen kann? Oder ist das eher sinngemäß gemeint?

MfG
Falk

[Harald W. (wilhelms)]

Falk Brunner schrieb:
> @  Lothar Miller (lkmiller) Benutzerseite
>
>>5..10V    Die BE-Diode bricht durch und kann an dieser Stelle als
>>          Rauschgenerator verwendet werden.
>
> sind die in Sperrichtung wirklich so hochohmig, dass man da 10V
> zerstörungsfrei anlegen kann? Oder ist das eher sinngemäß gemeint?

Sicherlich nur hochohmig über einen Widerstand. M.W. stellt sich bei
typischen Siliziumtransistoren dann eine Spannung von ca. 7V ein.
Gruss
Harald

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Falk Brunner schrieb:
> sind die in Sperrichtung wirklich so hochohmig, dass man da 10V
> zerstörungsfrei anlegen kann? Oder ist das eher sinngemäß gemeint?
Naja, eher sinngemäß: der eine bricht früher, der andere später durch. 
Und kurz danach kommt die Siliziumschmelze. Das kann also durchaus auch 
bei 6V schon passieren...

BTW: auch für LEDs geistert so eine Zahl unter 10V Rückwärtsdurchbruch- 
spannung herum. Ich habe da aber mal zum Test problemlos 50V angelegt...

[Wilhelm F. (Gast)]

Sarah schrieb:

> Hi,
> was passiert, wenn ich die Basis-Emitterspannung eines
> Bipolartransistors
> verkehrt herum anlege?

Irgendwo im Bereich 8-10V bricht die BE-Diode durch, und verhält sich 
wie eine Z-Diode. Das wurde von Lothar schon beschrieben.

Interessanter ist die Vertauschung von E und C, wenn man eine um den 
Faktor 10 niedrigere Sättigungsspannung als UCE_sat braucht. Leider ist 
das auf Grund der Halbleitergeometrie und Herstellungstechnik nicht 
immer garantiert, und Simulatoren wie SPICE machen das schon gar nicht. 
Aber ein Test mit BC547, und das sind ja Epitaxial-Planar-Transistoren, 
bestätigte mir das im Versuch. Und die Betriebsspannung muß dort auch 
unterhalb der BE-Durchbruchspannung liegen.

Auf Grund der Unklarheiten würde ich sowas nicht in einer 
Industrieschaltung anwenden, aber für Hobbybasteleien. Das könnte ja mal 
gigantische Leistungsverluste UCE mal IC eindämpfen, z.B. bei einem 
Transistor der Größe 2N3055. Den muß ich aber damit auch noch mal 
testen, das steht noch aus.

[Falk B. (falk)]

@  Wilhelm Ferkes (ferkes-willem)

>Interessanter ist die Vertauschung von E und C, wenn man eine um den
>Faktor 10 niedrigere Sättigungsspannung als UCE_sat braucht.

Der it einer Faktor 10 und mehr niedrigeren Stromverstärkung einher 
geht. Toller Deal.

>Industrieschaltung anwenden, aber für Hobbybasteleien. Das könnte ja mal
>gigantische Leistungsverluste UCE mal IC eindämpfen, z.B. bei einem
>Transistor der Größe 2N3055.

Wenn es so einfach wäre, glaubst du nicht, dass der Rest der Welt es 
schon lange so machen würde?

MfG
Falk

[Wilhelm F. (Gast)]

Falk Brunner schrieb:

> Der it einer Faktor 10 und mehr niedrigeren Stromverstärkung einher
> geht. Toller Deal.

Versuchs mal. Also so richtig mit Versuchsaufbau.

> Wenn es so einfach wäre, glaubst du nicht, dass der Rest der Welt es
> schon lange so machen würde?

Hab ich doch gerade geschrieben: Nur ich zu Hause, nicht die Welt.