Hallo, bei IGBTs & MOSFETs sind die Gate-Isolationen doch sehr dünn und empfindlich. Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen, ohne etwas zu beschädigen? Macht es einen Unteschied, ob der Halbleiter gehäust und gelötet verbaut ist oder ungehäust und gebondet? Danke!
Im Datenblatt steh wie hoch die Spannungen werden dürfen.
Roman M. schrieb: > bei IGBTs & MOSFETs sind die Gate-Isolationen doch sehr dünn und > empfindlich. Naja das kommt auf die Anwendung drauf an. Am schlimmsten ist es bei CPUs aus PC, je nach Technologiefaktor. Aber so ~ 1,4V Durchschlagsspannung sind schon ok. Außerdem sind ja alle In und Outs auf dem Substrat mit SchutzPN-Übergängen versehen. Roman M. schrieb: > Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector > bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen, > ohne etwas zu beschädigen? Solange das Mutlimeter die im Datenblatt stehenden Parameter nicht überschreitet ja. Da könnte man auch Rds ablesen wenn man wollte. Ich bezweifle allerdings, dass der Hobbybaslter eine Messaperatur zur Hand hat um einen MOSFET richtig zu vermessen. Da sollte man fast schonmal Vierleitermessung ansetzen ... Roman M. schrieb: > Macht es einen Unteschied, ob der Halbleiter gehäust und gelötet verbaut > ist oder ungehäust und gebondet? Für die Messung nein - die Gefahr sich von wo anderst Impulse zum Durchruch der Gateisolation zu holen beim ungeschützen Die ist natürlich rect groß. Da hilft dann auch keine Schutzbeschaltung mehr ... (Stichwort ESD, ...)
> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector > bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen, > ohne etwas zu beschädigen? Man drüfte, nei einem ausgebauten, das Problem ist nicht die Messpannung des Multimeters, meist mit 9V Batterie, und das halten fast alle MOSFETs aus, die 2V der üblichen Messbereiche sowieso, das Problem entsteht eher beim antippen der Anshlussbeine mit einem Multimeter welches auf anderer ststiacher Spannung liegt, da können leicht mal mehrere tausend Volt statische Spannung anliegen und das Gate beschädigen. Also: Wenn MOSFET in Leitschaumstoff steckt, Schaumstoff anfassne, MOSFET anfassen so daß alle 3 Beine berüht werden, Multimeter Prüfspitzen am blaknen Ende anfassen und an die MOSFET-Anschlüsse halten und dann erst die Finge so wegnehmen, daß die Multimeteranschlüsse an die nicht mehr berührten MOSFET-Beinchen gehen. Dadurch hast du mit deinem Körper effektiv die statischen Spannungen abgeleitet und angeglichen. Allerdings bringt es wenig, beim MOSFET Gate nach Source zu messen, denn bei einem heilen MOSFET ist das isoliert.
Lehrmann Michael schrieb: > Außerdem sind ja alle In und Outs auf dem Substrat mit > SchutzPN-Übergängen versehen. Sind sie in aller Regel nicht! > Da sollte man fast schonmal Vierleitermessung ansetzen ... Vierleitermessung braucht man nur bei kleinen Widerständen. Roman M. schrieb: > Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector > bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen, > ohne etwas zu beschädigen? Ja, allerdings ist die Frage warum du das tun willst. Der Gate-Source-Widerstand ist meist größer als 100 MΩ.
MaWin schrieb: > drüfte > nei > Messpannung > Anshlussbeine > ststiacher > anfassne > berüht > blaknen > Finge Warst wohl etwas abgelenkt ;)
Dirk J. schrieb: > MaWin schrieb: >> drüfte >> nei >> Messpannung >> Anshlussbeine >> ststiacher >> anfassne >> berüht >> blaknen >> Finge > > Warst wohl etwas abgelenkt ;) Vielleicht wurde der Beitrag ja auch von einem MaWin-Fake geschrieben. Gruss Harald
> Vielleicht wurde der Beitrag ja auch von einem MaWin-Fake geschrieben.
Bestimmt nicht, sind doch typische Tippfehler.
Ich lese selten Korrektur.
Ich versteh überhaupt nicht, wie ihr auf die Frage antworten könnt. Die macht doch überhaupt keinen Sinn. Welchen Widerstand willst du messen? Zwischen Gate und Drain/Source gibt es praktisch keinen Widerstand. Das ist komplett hochohmig. Oder meinst du den Gatewiderstand, den man ans Gate extern anbringt?
Simon K. schrieb: > Ich versteh überhaupt nicht, wie ihr auf die Frage antworten könnt. Die > macht doch überhaupt keinen Sinn. Welchen Widerstand willst du messen? Beim einem kaputten MOSFET kann die GS-Strecke sehr wohl niederohmig sein. Abgesehen davon können auch Fehler in der Ansteuerung die GS-Strecke kurzschließen. Bei der Fehlersuche will ich aber möglichst keine gesunden MOSFETs kaputtmachen, deswegen frage ich.
Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S kurzschließen.
Simon K. schrieb: > Welchen Widerstand willst du messen? > Zwischen Gate und Drain/Source gibt es praktisch keinen Widerstand. Das > ist komplett hochohmig. Vor dem Schreiben Hirn booten: Das korrekte "hochomig" ist das exakte Gegenteil zum an dieser Stelle maximal falschem: "praktisch keinen Widerstand".
Michael_ schrieb: > Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S > kurzschließen. Damit der MOSFET zuverlässig sperrt oder um das Gate zu schützen?
Wiso hast du immer Angst um die Gatespannung? Schau halt im Datenblatt wie hoch die Werden darf, 20V sind keine Seltenheit. Bei L Typen ist er halt bei 4,5V schon leitend die Spannung farf auch hier je nach Typ 10V + werden.
In der Regel halten MOSFETs die Spannung der Diodentest Funktion eines Multimeters aus, und um das vor der Messung sicherzustellen gibt es Datenblätter. Das Gate ist ein kleiner Kondensator, es ist deshalb problemlos möglich über die Prüfspitzen das Gate zu laden (Plus an Gate, Minus an Source) oder zu entladen (Minus an Gate, Plus an Source). Danach kann dann jeweils die Drain-Source Strecke gemessen werden (Plus an Drain, Minus an Source) und ist bei geladenem Gate leitend, bei entladenem Gate gesperrt. (Bescheibung für n-Kanal FET). Sollte G-S niederohmig sein, oder D-S nicht über das auf/entladen des Gate schaltbar sein, ist der FET kaputt.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.