Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik darf man Gate-Widerstände mit Multimeter messen?


von Roman M. (Gast)


Lesenswert?

Hallo,
bei IGBTs & MOSFETs sind die Gate-Isolationen doch sehr dünn und 
empfindlich. Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector 
bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen, 
ohne etwas zu beschädigen?
Macht es einen Unteschied, ob der Halbleiter gehäust und gelötet verbaut 
ist oder ungehäust und gebondet?

Danke!

von Martin (Gast)


Lesenswert?

Im Datenblatt steh wie hoch die Spannungen werden dürfen.

von Lehrmann M. (ubimbo)


Lesenswert?

Roman M. schrieb:
> bei IGBTs & MOSFETs sind die Gate-Isolationen doch sehr dünn und
> empfindlich.

Naja das kommt auf die Anwendung drauf an. Am schlimmsten ist es bei 
CPUs aus PC, je nach Technologiefaktor. Aber so ~ 1,4V 
Durchschlagsspannung sind schon ok. Außerdem sind ja alle In und Outs 
auf dem Substrat mit SchutzPN-Übergängen versehen.

Roman M. schrieb:
> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector
> bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen,
> ohne etwas zu beschädigen?

Solange das Mutlimeter die im Datenblatt stehenden Parameter nicht 
überschreitet ja. Da könnte man auch Rds ablesen wenn man wollte. Ich 
bezweifle allerdings, dass der Hobbybaslter eine Messaperatur zur Hand 
hat um einen MOSFET richtig zu vermessen. Da sollte man fast schonmal 
Vierleitermessung ansetzen ...

Roman M. schrieb:
> Macht es einen Unteschied, ob der Halbleiter gehäust und gelötet verbaut
> ist oder ungehäust und gebondet?

Für die Messung nein - die Gefahr sich von wo anderst Impulse zum 
Durchruch der Gateisolation zu holen beim ungeschützen Die ist natürlich 
rect groß. Da hilft dann auch keine Schutzbeschaltung mehr ... 
(Stichwort ESD, ...)

von MaWin (Gast)


Lesenswert?

> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector
> bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen,
> ohne etwas zu beschädigen?

Man drüfte, nei einem ausgebauten, das Problem ist nicht
die Messpannung des Multimeters, meist mit 9V Batterie,
und das halten fast alle MOSFETs aus, die 2V der üblichen
Messbereiche sowieso,

das Problem entsteht eher beim antippen der Anshlussbeine
mit einem Multimeter welches auf anderer ststiacher Spannung
liegt, da können leicht mal mehrere tausend Volt statische
Spannung anliegen und das Gate beschädigen.

Also: Wenn MOSFET in Leitschaumstoff steckt, Schaumstoff
anfassne, MOSFET anfassen so daß alle 3 Beine berüht werden,
Multimeter Prüfspitzen am blaknen Ende anfassen und an die
MOSFET-Anschlüsse halten und dann erst die Finge so wegnehmen,
daß die Multimeteranschlüsse an die nicht mehr berührten
MOSFET-Beinchen gehen. Dadurch hast du mit deinem Körper
effektiv die statischen Spannungen abgeleitet und angeglichen.

Allerdings bringt es wenig, beim MOSFET Gate nach Source
zu messen, denn bei einem heilen MOSFET ist das isoliert.

von Alexander Schmidt (esko) (Gast)


Lesenswert?

Lehrmann Michael schrieb:
> Außerdem sind ja alle In und Outs auf dem Substrat mit
> SchutzPN-Übergängen versehen.

Sind sie in aller Regel nicht!

> Da sollte man fast schonmal Vierleitermessung ansetzen ...

Vierleitermessung braucht man nur bei kleinen Widerständen.


Roman M. schrieb:
> Darf man den Widerstand von Gate nach Emitter/Collector
> bzw. nach Source/Drain mit einem normalen Multimeter überhaupt messen,
> ohne etwas zu beschädigen?

Ja, allerdings ist die Frage warum du das tun willst. Der 
Gate-Source-Widerstand ist meist größer als 100 MΩ.

von Dirk J. (dirk-cebu)


Lesenswert?

MaWin schrieb:
> drüfte
> nei
> Messpannung
> Anshlussbeine
> ststiacher
> anfassne
> berüht
> blaknen
> Finge

Warst wohl etwas abgelenkt ;)

von Harald W. (wilhelms)


Lesenswert?

Dirk J. schrieb:
> MaWin schrieb:
>> drüfte
>> nei
>> Messpannung
>> Anshlussbeine
>> ststiacher
>> anfassne
>> berüht
>> blaknen
>> Finge
>
> Warst wohl etwas abgelenkt ;)

Vielleicht wurde der Beitrag ja auch von einem MaWin-Fake geschrieben.
Gruss
Harald

von MaWin (Gast)


Lesenswert?

> Vielleicht wurde der Beitrag ja auch von einem MaWin-Fake geschrieben.

Bestimmt nicht, sind doch typische Tippfehler.
Ich lese selten Korrektur.

von Simon K. (simon) Benutzerseite


Lesenswert?

Ich versteh überhaupt nicht, wie ihr auf die Frage antworten könnt. Die 
macht doch überhaupt keinen Sinn. Welchen Widerstand willst du messen? 
Zwischen Gate und Drain/Source gibt es praktisch keinen Widerstand. Das 
ist komplett hochohmig.

Oder meinst du den Gatewiderstand, den man ans Gate extern anbringt?

von Roman M. (Gast)


Lesenswert?

Simon K. schrieb:
> Ich versteh überhaupt nicht, wie ihr auf die Frage antworten könnt. Die
> macht doch überhaupt keinen Sinn. Welchen Widerstand willst du messen?

Beim einem kaputten MOSFET kann die GS-Strecke sehr wohl niederohmig 
sein. Abgesehen davon können auch Fehler in der Ansteuerung die 
GS-Strecke kurzschließen. Bei der Fehlersuche will ich aber möglichst 
keine gesunden MOSFETs kaputtmachen, deswegen frage ich.

von Michael_ (Gast)


Lesenswert?

Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S 
kurzschließen.

von Clown (Gast)


Lesenswert?

Simon K. schrieb:
> Welchen Widerstand willst du messen?
> Zwischen Gate und Drain/Source gibt es praktisch keinen Widerstand. Das
> ist komplett hochohmig.

Vor dem Schreiben Hirn booten:

Das korrekte "hochomig" ist das exakte Gegenteil zum an dieser Stelle 
maximal falschem: "praktisch keinen Widerstand".

von Roman M. (Gast)


Lesenswert?

Michael_ schrieb:
> Geht schon. Ich mach das immer so. Für die D-S Messung aber vorher G-S
> kurzschließen.

Damit der MOSFET zuverlässig sperrt oder um das Gate zu schützen?

von Martin (Gast)


Lesenswert?

Wiso hast du immer Angst um die Gatespannung? Schau halt im Datenblatt 
wie hoch die Werden darf, 20V sind keine Seltenheit.
Bei L Typen ist er halt bei 4,5V schon leitend die Spannung farf auch 
hier je nach Typ 10V + werden.

von Marcus O. (marcus6100)


Lesenswert?

In der Regel halten MOSFETs die Spannung der Diodentest Funktion eines 
Multimeters aus, und um das vor der Messung sicherzustellen gibt es 
Datenblätter.

Das Gate ist ein kleiner Kondensator, es ist deshalb problemlos möglich 
über die Prüfspitzen das Gate zu laden (Plus an Gate, Minus an Source) 
oder zu entladen (Minus an Gate, Plus an Source). Danach kann dann 
jeweils die Drain-Source Strecke gemessen werden (Plus an Drain, Minus 
an Source) und ist bei geladenem Gate leitend, bei entladenem Gate 
gesperrt. (Bescheibung für n-Kanal FET).

Sollte G-S niederohmig sein, oder D-S nicht über das auf/entladen des 
Gate schaltbar sein, ist der FET kaputt.

Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.