Hi Leute! Ich baue gerade eine programmierbare Last. Dazu habe ich jetzt mal ein par Fragen. Ich verwende zwei Shunts parallel und greife über diese die Spannung ab. Gesteuert wird das ganze von einem DAC, der den Sollwert vorgibt. Die abfallende Spannung verstärke ich um den Faktor drei, damit das Ergebnis den vollen Bereich der Referenzspannung von 3V ausnutzt - ich möchte es mit einem ADC messen. Ist es denn nun sinnvoll, diesen verstärkten Wert auch auf die Rückkopplung des Stell-OPs zu geben? Ich kann so halt auch den DAC mit den 3V Ref betreiben und nutze diesen Wert optimal aus. OK so? Generell würde es ja reichen, den DAC-Wert abzugleichen und dann davon auszugehen, dass der programmierte Wert grad fließt. Jetzt würde ich halt auch messen können, dass die Quelle evtl. nicht mehr mit dem Strom nachkommt. Dazu möchte ich noch die Spannung messen, dies geschieht oben rechts im Bild. So kann ich auf die momentane Leistung schließen, die ich entnehme. Gibt es eine bessere Variante, als den Spannungsteiler, der mir meine Quelle immer belastet? Ich will ja nicht hier einen großen Strom verbrauchen, der nicht mit in die Messung geht. Reichen die Ströme für den Spannungsteiler? Da fließen jetzt um und bei 200uA durch bei vollen 40V. Bei niedrigereren Spannungen dann entsprechend weniger. Gruß
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Ich denke eher das du ein anderes Problem bekommen wirst. Der Mosfet ist sehr steil und der OP davor ist nicht genügend in Phase rückgekoppelt. Also wird die ganze sache extrem gut schwingen. Der Op davor muss als Integrator ausgeprägt werden. Und der Mosfet braucht noch einen Vorwiderstand am Gate. Den Spannungsteiler kann man je nach verwendung des OPs sehr hochohmig aufbauen, das sollte nicht das Problem sein. Ich baue solche Leistungsstufen immer noch mit Transistoren, denn die haben eine bessere Rückkopplung. Gruß Sascha
Mach auch noch einen Widerstand von den Shunts zum Pin 5 des OPV, zur Filterung. Ich hoffe nicht, dass Du die 800W mit diesem EINEN MOSFET verheizen willst, oder? Gruss
Sascha schrieb: > Der Mosfet ist sehr steil und der OP davor ist nicht genügend in Phase > rückgekoppelt. Also wird die ganze sache extrem gut schwingen. > Der Op davor muss als Integrator ausgeprägt werden. OK, das heisst, einfach noch einen C parallel zum Rückkoppelwiderstand, oder wie? Welchen Wert? 100n? 1u? Wie lege ich das aus? Sascha schrieb: > Und der Mosfet > braucht noch einen Vorwiderstand am Gate. In welcher Größenordnung denn? Sascha schrieb: > Ich baue solche Leistungsstufen immer noch mit > Transistoren, denn die haben eine bessere Rückkopplung. OK, aber der will auch mit einem recht hohen Strom getrieben werden. Der FET ist da natürlich angenehmer. Fred schrieb: > Mach auch noch einen Widerstand von den Shunts zum Pin 5 des OPV, zur > Filterung. Also einen TP draus machen. Auch hier die Frage: welche fg? Fred schrieb: > Ich hoffe nicht, dass Du die 800W mit diesem EINEN MOSFET verheizen > willst, oder? Nein nein, da stehen erstmal nur ein paar Werte - bin mir noch nicht sicher, wie es im Endeffekt aussehen soll. Wollte eh durch Spannungsmessung/Strommessung die Leistung begrenzen.
Kann ich denn das Schwingen irgendwie in der Simulation sichtbar machen? Da ist ja alles immer wunderbar in Ordnung.
Hallo, also der Integrator muss langsamer werden als der untere OP. Einen Tiefpassfilter würde ich da nicht bauen, sonst drehst du die Phase noch schlimmer. Vorwiderstand ca. 100 Ohm aber denk daran der Mosfet hat eine Starke Kapazität von Gate zu Drain. Ach dann noch eine Zehnerdiode mit 15V von Gate zu Source nicht vergessen. Bei Transistoren braucht man halt noch eine Vorstufe. Ich habe eine Stromsenke mit 200A und 100V mit 20 TO3 Transistoren ist ein Riesen Teil. Gruß Sascha
Sascha schrieb: > Hallo, > also der Integrator muss langsamer werden als der untere OP. Hi Sascha! Danke für deine Antwort. Jetzt muss ich nur gerade gestehen, dass ich garnicht mehr weiß, wo integriert werden soll. Der OP, der das Signal vom Shunt abgreift, oder das Stellglied für den FET? Sascha schrieb: > Vorwiderstand ca. 100 Ohm Hab ich grad auch erstmal probehalber genommen - aber wie gesagt, in der Simulation ist ja immer alles perfekt. Sascha schrieb: > aber denk daran der Mosfet hat eine Starke > Kapazität von Gate zu Drain Und die wirkt sich wie aus? Dachte, die Kapazität von Gate nach Source ist wichtig. Sascha schrieb: > Ach dann noch eine Zehnerdiode mit 15V von > Gate zu Source nicht vergessen. Ja, die kann nicht schaden, das stimmt. Sascha schrieb: > Ich habe eine Stromsenke mit 200A und 100V mit 20 TO3 Transistoren ist > ein Riesen Teil. Haste da mal ein Bild von? Würde mich mal interessieren. Oder nen Schaltplan?
Also C2 muss an den oberen OP U2 und dann noch ein Wiederstand davor. C2 = 1nF bis 10nF und der Widerstand davor so ca. 1K mal für den Anfang. Den C1 ganz wegnehmen, nacher so 220pF gegen HF ist O.K. Also ich habe eine solche Schaltung mit MOSFET nie ganz stabiel bekommen. Weil die Steilheit des MOSFET sehr hoch ist in Punkto Stromverstärkung. Dann gibt es noch einen Super Trick mach am Ausgang einen Widerstand 1 Ohm in reihe mit einem Kondensator 1u gegen Masse. Gruß Sascha
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