Hallo zusammen, ich habe eine relativ simple Schaltung die ich, mangels Kenntnisse und Erfahrungen mit Transistoren, nicht zum laufen kriege. Mein Problem ist Folgendes: https://www.circuitlab.com/circuit/6na6xj/fet-test/ Ich möchte dass der Transistor durchschaltet, wenn das Gate aufgeladen wird und sperrt, wenn ich die Spannung (Ugs) wieder verringere. Das sollte normalerweise ein n-Kanal Transistor hinbekommen. In meinem Schaltkreis steht die 9V Spannungsquelle für eine Blockbatterie und die 4,5V Quelle für 3 in Reihe geschaltete AA Batterien (soll später durch einen PICAXE ersetzt werden). Problem: Egal wie der Schalter steht, der Transistor sperrt! Ein durchschalten erreiche ich nur wenn ich das Gate mit +9V der Blockbatterie verbinde. Wieso klappt das mit +5V nicht? Laut Datenblatt müsste das zwischen 2V und 4V Ugs passieren. Warscheinlich ist die Lösung ganz einfach und mir fehlt da nur etwas Hintergrundwissen. Würde mich freuen wenn ihr euch das kurz ansehen könntet ;) greetz rv
NMOS ist verkehrt eingebaut (gehört in die masseseitige Leitung). Die LED hält keine 70mA aus. Masseverbindung zwischen 9V-Quelle und Steuerkreis fehlt.
Vielen Dank, das mit der Masseleitung hats gefixt ;) (der Widerstand war nur ein Beispiel, FET ist in Wirklichkeit auch andersrum eingebaut gewesen.) Aber ich frage mich noch warum es einen Unterschied macht wie herum der Transistor eingebaut ist. Im Prinzip ist das doch nur ein gesteuerter Widerstand oder? greetz rv
rv schrieb: > Aber ich frage mich noch warum es einen Unterschied macht wie herum der > Transistor eingebaut ist. Im Prinzip ist das doch nur ein gesteuerter > Widerstand oder? Wird darin mal einen Blick auf das Symbol: http://www.fairchildsemi.com/ds/2N/2N7000.pdf Vielleicht wird dann klarer, weshalb MOSFETs nicht symmetrisch sind.
Für Mikroelektroniker: Ja. Bei diskreten Bauteilen ist aber das Substrat (Bulk) mit Source verbunden. Würde man eine negative Drain-Source-Spannung anlegen, so beginnt die Bulk-Drain-Diode zu leiten...
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