Hallo, ich würde gerne wissen, ob es zulässig ist, unter einem Mosfet (in meinem Fall der hier http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6670A.pdf) die Kühlfläche mit GND zu verbinden, oder ob die isoliert sein muss. Habe gelesen, dass Kupferinseln eigtl unerwünscht sind. Außerdem würde die Kühlfläche dann ja viel größer werden für den Transistor. Allerdings fließt ja durch die GND Fläche Strom, schadet das iwie vlt dem Mosfet? Grüße Joe
Joe B. schrieb: > die Kühlfläche mit GND Das ist der Drainanschluss des Mosfets. Falls der schaltungstechnisch nicht auf GND ist, darfst du ihn auch nicht auf Gnd legen.
Floh schrieb: > Joe B. schrieb: >> die Kühlfläche mit GND > > Das ist der Drainanschluss des Mosfets. Falls der schaltungstechnisch > nicht auf GND ist, darfst du ihn auch nicht auf Gnd legen. Der Mosfet fungiert als Low Side Schalter, also liegt Drain nicht auf GND. Kann ich die Kühlfläche statt mit Drain mit Source verbinden, das wäre ja dann GND Potenzial?
Joe B. schrieb: > Kann ich die Kühlfläche statt mit Drain mit Source verbinden Das bringt nicht so viel, denn die 4 Drainpins gehen direkt auf das Metallpad, die 3 Sourcepins sind nur über Bonddrähte mit dem Die verbunden... Warum willst du die Kühlfläche unbedingt auf Masse legen? "Masse" kühlt nicht besser als Kupfer...
Joe B. schrieb: > Kann ich die Kühlfläche statt mit Drain mit Source verbinden, das > wäre ja dann GND Potenzial? Wie stellst du dir das vor? FET aufschneiden und "operieren"? Gruss Gordon
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Lothar Miller schrieb: > Joe B. schrieb: >> Kann ich die Kühlfläche statt mit Drain mit Source verbinden > Das bringt nicht so viel, denn die 4 Drainpins gehen direkt auf das > Metallpad, die 3 Sourcepins sind nur über Bonddrähte mit dem Die > verbunden... Ok, das wusste ich nicht. > Warum willst du die Kühlfläche unbedingt auf Masse legen? > "Masse" kühlt nicht besser als Kupfer... Das weiß ich, weil die Kühlfläche dann schön groß geworden wäre :-) Hab nun Kühlflächen erzeugt an Drain des Mosfets, schon gibts ein neues Problem! Hab mal ein Bild ausgeschnitten. Ganz oben wäre ohne Thermals, aber wohl unmöglich zu Löten oder? In der Mitte mit Thermals, die aber Width 0 haben, weil ich den Polygonabstand zum GND-Polygon nicht so groß haben will (bzw. GND Stege zwischen den Kühlflächen). Leider macht Eagle dann die Thermalswidth auch auf 0, kann man das vlt extra einstellen? Lösung wäre vlt selber die Thermals routen...mmmmmh Unten wäre mit Width 0.016. Aber da entfällt dann der GND Steg.
Joe B. schrieb: > Ganz oben wäre ohne Thermals, aber wohl unmöglich zu Löten oder? Kein Problem beim manuellen Löten, wenn du nicht gerade eine Lötnadel mit 7W benutzt, mit einem gewöhnlichen Weller WTCP mit 3mm breiter Spitze habe ich das häufiger so gelötet.
Noch nen tip, guck dir mal die Länge der Kühlfäche bei den Mosfets an. Würde grob aus der ERinnerung heraus sagen dass die bei mir noch länger war, also hier schon fast aufs andere Polygon ging. Und ich würde, wenn das ne Platine Ohne Lötstopplack ist der einfachheit halber, das Polygon links nur so lang machen wie die Pads sind. Dadurch ist das Risiko einen Kurztschluss durch Positionierungenauigkeit zu bauen geringer. Zum Thema Löten: DAs geht eigentlich ziemlich easy in nem Ofen. Hatte solche Mosfets von Infineon für nen Schaltregler. Oder auch wenn vorhanden auf nem Heißluftplatz mit Unterhitze, wobei bei mir ich da mächtig häftig gebraucht hatte. War aber auch alles dirket ohne Termal kontaktiert und große Kupferflächen dran
Tom K. schrieb: > Joe B. schrieb: >> Ganz oben wäre ohne Thermals, aber wohl unmöglich zu Löten oder? > Kein Problem beim manuellen Löten Thermals sind eh' nicht wegen des manuellen Lötens da! Mit dem Lötkolben kann ich da soweiso so lnage draufhalten, bis das Zinn schmilzt. Thermals gibt es wegen des "Grabsteineffekts" http://de.wikipedia.org/wiki/Grabsteineffekt Bei einem SO8 spielt der aber sicher keine Rolle! Und für eine Kühlfläche muss möglich viel Kupfer her, denn da geht es ja gerade darum, möglichst viel Wärme abzuleiten...
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