Hallo Leute, folgendes Anliegen. Ich habe einen Treiber für einen MOSFET. Nun möchte ich messtechnisch ermitteln, wie groß die Treiberverluste im dynamischen Fall sind. Dynamischer Fall soll heißen: Leistung zum Laden bzw. Entladen der Mosfet Kapazität. Weshalb das messtechnisch gemacht werden soll: Der MOSFET ist ein Prototyp, von dem es kein Datenblatt gibt und ich die Gate Kapazität nicht kenne. Der Ansatz im folgenden Link hilft mir also nicht wirklich weiter. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Verlustleistung Anbei habe ich mal ein Bild angefügt über meinen Ansatz. Ich messe die Spannung über den Gate Widerstand (um den Strom zu erhalten) sowie die Gate-Source Spannung. Wenn ich beides miteinander multipliziere, erhalte ich die zeitliche Leistung. Davon bilde ich den Mittelwert und habe dann die durchschnittliche Treiberleistung (dynamischer Fall). Gibt es einen anderen/einfacheren korrekteren messtechnischen Weg? Danke.
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Das Gate besteht im Allgemeinen nicht aus einer Kapazität, sondern aus drei Komponenten. Gate-Eigenkapazität und Gate-Source-Kapazität kann man einfach zusammenrechnen, die sieht man vom Eingang aus auch als eine Kapazität. Mit der Gate-Drain-Kapazität sieht es da schon anders aus: Die erscheint, weil es eine vom Vorzeichen her negative "Spannungsverstärkung" von Gatespannung zu Drainspannung gibt, größer. Während der Transistor einschaltet, sieht man den eigentlichen "Einschaltvorgang" am Gate als Plateauphase, da in dem Moment die Spannung am Drain drastisch sinkt, der Transistor wird ja langsam leitend. Am Gate wird während der Plateau-Phase ein konstanter Strom eingespeist, da die Drain-Source-Spannung sinkt. Die Gate-Source-Kapazität spielt ein wenig "schwarzes Loch"... Mit einem Schaltungssimulator kann man sich das auch schön visualisieren. Die Drain-Source-Strecke ist eine über eine Formelbeziehung Spannungsgesteuerte Stromquelle! mfg mf
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Hi mini float, danke, aber ich weiß nicht, worauf du hinaus möchtest. Ich habe keine Informationen über die Kapazitäten. Vor allem, warum soll der Strom am Gate konstant sein? Mein Oszilloskopbild sagt nämlich etwas anderes. :/ Gruß
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Ich meinte: in der Plateauphase ist der Strom konstant, obwohl ich hier mit einem Widerstand ans Gate gehe... mfg mf PS: Blöd schrieb: > Mein Oszilloskopbild sagt nämlich etwas anderes. Hast du eine Last am MOSFET hängen? Oder einfach nur ein leerer Zwischenkreis? Dann gibts nämlich keine Plateauphase.
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Hier noch die Repräsentationen von * "leerer Zwischenkreis" * "nur der MOSFET" mfg mf
Hi Mini Float, Mini Float schrieb: > Ich meinte: in der Plateauphase ist der Strom konstant, obwohl ich hier > mit einem Widerstand ans Gate gehe... danke für die Simulation. Nun verstehe ich, was du mit Plateauphase meinst - höre es jetzt zum ersten Mal > Hast du eine Last am MOSFET hängen? Oder einfach nur ein leerer > Zwischenkreis? Dann gibts nämlich keine Plateauphase. Ich habe einen leeren Zwischenkreis. Einzige Spannung ist die Versorgung vom Treiber, der MOSFET ist unbelastet. Okay, ich sehe, dass sich die Treiberleistung geringfügig von der Last abhängig macht wegen dieses Plateau Effektes. In meinen Berechnungen/Messungen sollte das aber vernachlässigbar sein. Es bleibt aber dennoch die Frage offen, wie ich die Verluste messtechnisch bestimme. Ich hatte ja im Eingangspost eine Schaltung aufgezeigt, die den Gate-Strom und die Gate-Source Spannung misst. Das sollte ich problemlos mit dem Oszi hinbekommen. Strom und Spannung multiplizieren und Mittelwert bilden sollte m.E. also zum Erfolg führen. Oder wie siehst du das? Gruß
Bzw. ich würde die Spannung am Treiberausgang messen anstelle am Gate-Source damit ich die Verluste am Gatewiderstand mit berücksichtige. Gruß
Hans schrieb: > In meinen > Berechnungen/Messungen sollte das aber vernachlässigbar sein. Genau, deswegen ist es auch schön, da nicht so viel Effekt davon zu sehen. Wobei: ein bisschen was sieht man immer. Bei dir ist ein wenig "klingeln" in dem Bereich zu sehen. Zumindest könnte man das in dein Oszibild rein interpretieren. Bei höheren Spannungen >1kV, wo meist mit IGBTs geschaltet wird, sieht das meist noch viel "übler" aus und die Plateauphase ist um einiges länger, macht sogar mehr als die halbe Schaltzeit aus. Die Hersteller von Leistungshalbleitern kümmern sich auch sehr darum, diese Gate-Drain-Kapazität, die auch manchmal Reverse Transfer Capacitance genannt wird, klein zu halten. Du weißt hoffentlich wieso :) Hans schrieb: > den Gate-Strom und die Gate-Source Spannung misst. [...] > Strom und Spannung multiplizieren und Mittelwert bilden sollte m.E. also > zum Erfolg führen. Oder wie siehst du das? Das Gate und der Gatevorwiderstand sind nicht die einzigen "Verlustleistungsfresser". Wenn der Transistor leitend geschaltet wird, nimmt die Drain-Source-Spannung ab, während der Strom zunimmt. Da wird auch gehörig Verlustleistung umgesetzt. Kommt drauf an, was du da schalten willst, aber das wird eher den Löwenanteil der Schaltverluste ausmachen. Dieselben Überlegungen gelten auch fürs Ausschalten. "Zeitlichen Mittelwert bilden" reicht nicht. Du musst den Effektivwert der am Transistor anfallenden Verlustleistung über eine Periode berechnen, wenn es um einen Schalter geht, der periodisch schalten muss(kann ein Umrichter oder ein Schaltnetzteil oder ein Bremschopper sein, völlig egal). Wenn es einfach nur ein "Verbraucher anschalten" ist, gibts ja nur 1-2x pro Betriebszyklus deiner Baugruppe einen Schaltvorgang. Auch maximale Verlustleistung muss betrachtet werden, um in der Safe Operation Area deines Schaltelements zu bleiben. mfg mf
Hallo Mini Float, du hast natürlich recht mit dem, was du schreibst. Ich glaube allerdings, dass wir unterschiedliche Sachen meinen. Die Schaltverluste im MOSFET habe ich bereits bestimmt. Soll heißen, ich habe die Drain-Source Spannung sowie den Strom durch den MOSFET gemessen und die Schaltenergie fürs Einschalten und Ausschalten bestimmt. Das passt alles soweit. Mein Prof. möchte allerdings, dass ich die Verlustleistung im TREIBER auch noch bestimme. Die statischen Verluste (Leistungsaufnahme des Treibers) habe ich bestimmt und dachte, dass das Thema damit gegessen sei. Jetzt möchte er allerdings die dynamischen Treiberverluste vermessen haben. Also die Leistung, die ich benötige, um den Schalter ein- bzw. auszuschalten. Der ganze Thread hier zielt auf die Verluste im Treiber ab, denn die Verluste im Schalter sind bereits bestimmt. Ich hoffe, dass wir nun dasselbe meinen. Also, siehst du Bedenken in meinem Ansatz?
Ok, wenns dir tatsächlich nur um die Verluste der Ansteuerung geht, dann die Spannung am Treiberausgang gegen Masse und Gate gegen Masse messen. Mit dem Math-Channel deines Oszis kannst du dann die Spannung über dem Widerstand berechnen. Besser wären natürlich zwei Differenztastköpfe, vor allem, wenn du damit auch mal am Umrichter/Schalter unter Last messen willst, da immer ein gewisser Masse-Verriss da sein wird, der dir deine Messung versauen kann. Am oberen Schalter einer Halbbrücke verbietet sich eine Messung mit zwei normalen single-ended-Tastköpfen sowieso. Meist haben Leistungshalbleitermodule intern mehrere MOSFETs. Die haben dann alle nochmal einen eigenen Gatevorwiderstand, da sich die U_th der einzelnen Transistoren immer geringfügig unterscheiden. mf
Mini Float schrieb: > Ok, wenns dir tatsächlich nur um die Verluste der Ansteuerung geht, dann > die Spannung am Treiberausgang gegen Masse und Gate gegen Masse messen. > Mit dem Math-Channel deines Oszis kannst du dann die Spannung über dem > Widerstand berechnen. Genau und mit dem Widerstandswert habe ich dann den Strom. Somit kenne ich Spannung und Strom und habe dann Leistung. Done. Gruß
Hans schrieb: > Nun möchte ich messtechnisch ermitteln, wie groß die Treiberverluste > im dynamischen Fall sind. Dynamischer Fall soll heißen: Leistung zum > Laden bzw. Entladen der Mosfet Kapazität. Das sind aber zwei ganz verschiedene Dinge. Die Leistung zum Laden bzw. Entladen der Mosfet-Kapazität ist die vom Treiber-IC abgegebene Leistung, und man kann sie so messen wie du es beschrieben hast. Die Verlustleistung im Treiber-IC hingegen ist die Differenz zwischen aufgenommener und abgegebener Leistung. Du musst also folgende Größen messen: - die Versorgungsspannung Uv am VCC-Pin des ICs (falls sie ausreichend stabil ist, brauchst du sie nur einmal zu messen) - den Versorgungsstrom Iv, der in den VCC-Pin hineinfließt - die Ausgangsspannung Ua des ICs (also die Spannung vor dem Gate-Vorwiderstand) - den Ausgangsstrom, der aus dem IC herausfließt (beim Sperren des Mosfets fließt er in das IC hinein und ist dann negativ zu rechnen) Das Ganze natürlich über die Zeit, damit du hinterher das zeitliche Mittel bilden kannst. Ein Speicheroszi mit mindestens drei Kanälen wäre deswegen von Vorteil. Du kannst die Messungen aber auch nacheinander durchführen, wenn sichergestellt ist, dass die Spannungs-/Stromverläufe bei jedem Durchgang genau gleich sind. Die Verlustleistung ist dann P = Uv·Iv - Ua·Ia Allgemein kann die Verlustleistung eines Bauteils mit n Anschlüssen dadurch bestimmt werden, dass man für jeden Anschluss i die Spannung Ui und den hineinfließenden Strom Ii misst. Dann ist die Verslustleistung
Ströme, die aus dem IC herausfließen, sind hierbei negativ zu rechnen. Am besten definiert man einen der Anschlüsse (z.B. GND) als Referenz- anschluss und misst alle anderen Spannungen bezogen auf diesen. Damit fällt der entsprechende Summand in der obigen Summe weg, und man kann auf jeweils eine der n Spannungs- und Strommessungen verzichten.
Hallo Yalu, auch dir erstmal danke. Du hast natürlich recht, die Verluste sind die Differenz aus aufgenommener und abgegebener Leistung. Die aufgenommene Leistung ist bereits bestimmt - so wie du es beschrieben hast. > - die Versorgungsspannung Uv am VCC-Pin des ICs (falls sie ausreichend > stabil ist, brauchst du sie nur einmal zu messen) > - den Versorgungsstrom Iv, der in den VCC-Pin hineinfließt Das ist also die Leistungsaufnahme des ICs. Aber was gibt das Treiber IC im statischen Fall an Leistung an den MOSFET ab? Ein MOSFET ist doch ein spannungsgesteuertes Bauteil. Das heißt, dass statisch betrachtet kein Strom in das Gate vom MOSFET fließt. Sämtliche Leistung wird also im Treiber IC umgesetzt. So bin ich die Sache bis jetzt herangegangen, wobei mein Prof. nun meinte, dass das Laden/Entladen der Kapazität auch Verluste verursacht, die ich untersuchen sollte. Jetzt frage ich mich, ob inwiefern das Laden/Entladen der Kapazität zu den Verlusten beiträgt. Denn letztendlich habe ich ja die Leistungsaufnahme vom Treiber bereits bestimmt. Schalte ich den MOSFET nicht, so setzt er seine ganze Leistung in Wärme um. Schalte ich den MOSFET hingegen, verwendet der Treiber einen Teil der Leistung, um den MOSFET zu schalten. Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich unberührt lassen, oder täusche ich mich da? Gruß
Ups, ein wenig unglücklich formuliert. Hans schrieb: > Jetzt frage ich mich, ob und inwiefern das Laden/Entladen der Kapazität zu > den Verlusten beiträgt. Denn letztendlich habe ich ja die > Leistungsaufnahme vom Treiber bereits bestimmt. Schalte ich den MOSFET > nicht, so bleibt die ganze Leistung im Treiber IC. Schalte ich den > MOSFET hingegen, verwendet das Treiber IC einen Teil der Leistung, um den > MOSFET zu schalten. Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich > unberührt lassen, oder täusche ich mich da?
Und was ist nun dein Ziel? Einen Treiber suchen? Die optimale Auslegung? Einen Simulator bedienen können? Ist mir jetzt nicht so ganz klar. Schnapp dir ein paar Bauelemente und simuliere es. Kannst natürlich auch aufbauen und messen. In die Gate Leitung machst du 22 Ohm, der MOSFET hat intern so ca. 1 Ohm Serienwiderstand im Gate. Je nach Last am Ausgang des MOSFETs kann die Ansteuerleistung auch kräftig variieren.
Hans schrieb: > Die aufgenommene Leistung ist bereits bestimmt - so wie du es > beschrieben hast. Nur für den statischen Fall oder auch während des Schaltens? Wichtig ist, dass die Leistung über einen kompletten Zyklus (Ruhe — Einschalten — Ruhe — Ausschalten) gemessen wird, um sämtliche statischen und dynamischen Verluste zu berücksichtigen. Hans schrieb: > Schalte ich den MOSFET hingegen, verwendet der Treiber einen Teil der > Leistung, um den MOSFET zu schalten. Das ist richtig. > Das sollte die Leistungsaufnahme aber eigentlich unberührt lassen, > oder täusche ich mich da? Nein, ja. Die Energie, die zum Laden des Mosfet-Gates erforderlich ist, muss ja irgendwo herkommen. Da das Treiber-IC selbst keine Energie erzeugen kann, kann sie nur von der Stromversorgung kommen. Deswegen wirst du während des Schaltens¹ einen erhöhten Stromverbrauch feststellen. Ein idealer Mosfet-Treiber verbrät überhaupt keine Verlustleistung, weil er beim Einschalten des Mosfets die gesamte der Versorgung entnommene Energie zum Laden des Mosfet-Gates einsetzt und beim Ausschalten die gesamte Energie des Mosfet-Gates an die Versorgung abgibt. Wenn du aber nicht die tatsächliche Leistungsaufnahme zu jedem Zeitpunkt, sondern nur die Ruheleistungsaufnahme berücksichtigst, wird das Ergebnis falsch. ———————————— ¹) evtl. auch etwas verzögert, wenn Energie zwischengespeichert wird, bspw. in den Bootstrap- oder Ladungspumpenkondensatoren eines High- side-Treibers
Hallo Abdul, hallo Yalu. Abdul K. schrieb: > Und was ist nun dein Ziel? Einen Treiber suchen? Die optimale Auslegung? Ich habe einen Hochsetzsteller gebaut und dessen Wirkungsgrad gemessen. Der Treiber sowie weitere ICs (Schmitt Trigger, Spannungsregler etc.) wurden allerdings von einer externen Quelle versorgt und sind folglich in der Wirkungsgradmessung nicht enthalten. Deswegen möchte ich nun die Leistung des Treibers nachträglich vermessen, um abschätzen zu können, wie stark er den Wirkungsgrad des Hochsetzstellers beeinflusst. Yalu X. schrieb: > Nur für den statischen Fall oder auch während des Schaltens? Wichtig > ist, dass die Leistung über einen kompletten Zyklus (Ruhe — Einschalten > — Ruhe — Ausschalten) gemessen wird, um sämtliche statischen und > dynamischen Verluste zu berücksichtigen. Nur für den statischen Fall. Ich habe schlichtweg zwei Multimeter genommen und Spannung sowie Strom gemessen. Dynamische Leistungsaufnahme/Verluste habe ich nicht berücksichtigt. > Die Energie, die zum Laden des Mosfet-Gates erforderlich ist, muss ja > irgendwo herkommen. Da das Treiber-IC selbst keine Energie erzeugen > kann, kann sie nur von der Stromversorgung kommen. Deswegen wirst du > während des Schaltens¹ einen erhöhten Stromverbrauch feststellen. Okay, die Stromaufnahme im Ruhezustand ist anscheinend nicht ausreichend. Was wäre aber folgende Idee, die zwar nicht 100%ig genau ist, aber eine erste Näherung geben sollte: Die statische Leistungsaufnahme im Ruhezustand habe ich bereits ermittelt. Nennen wir die einfach mal
. Nun geht es um die Leistung, die benötigt wird, um den MOSFET ein- bzw. auszuschalten. Dort verwende ich den Messaufbau aus meinem ersten Bild bzw. die abgeänderte Version von Mini Float von 21:39 Uhr. Somit erhalte ich genau die Leistung, die in den MOSFET fließt, um dessen Kapazität zu laden und entladen. Lass uns diese Leistung mal
nennen. Es ist sinnig, dass sich die Stromaufnahme des Treiber ICs während des Schaltens erhöht. Aber kann man nicht in erster Näherung annehmen, dass sich die Stromaufnahme nur so viel erhöht, wie die Leistung, die in den FET fließt, nämlich um
? Insofern hätte ich jetzt gesagt, dass man als erste Abschätzung folgende Rechnung anstellen kann, wenn die gesamte Leistungsaufnahme des Treibers
:
Mir ist klar, dass ich sämtliche Verluste im Treiber IC während des Schaltvorgangs außer Acht lasse. Das heißt, dass die Stromaufnahme des Treiber ICs sicherlich geringfügig höher ist als die Leistung, die in den MOSFET fließt
. Bei einem 3kW Hochsetzsteller frage ich mich allerdings, inwiefern sich die Verluste im Treiber IC bemerkbar machen, oder ob mein Ansatz für
hinreichend genau ist. Könnt ihr das vielleicht abschätzen?
Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die Berechnung witzlos. Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit. Und ob der Treiber thermisch der Sache gewachsen ist. Der MOSFET ist ja in erster Näherung eine rein kapazitive Last. Hier kommen die 22 Ohm ins Spiel. Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand berechnet. Das hatte ich vor 15 Jahren noch gemacht. Danach hatte ich aber 5 Jahre pö-a-pö in SPICE-lernen investiert und es nicht bereut. Mein Design von 1995 berechnet SPICE bis auf wenige Prozent exakt nach. Damals hatte ich leider noch keinen Simulatorzugriff und machte alles per Hand und in langen physikalischen Testreihen. Die dann auch ordentlich Geld kosteten.
Abdul K. schrieb: > Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die > Berechnung witzlos. Der Vollständigkeit halber möchte ich diese Berechnung allerdings machen. > Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des > Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit. Das ist definitiv ein interessanter Aspekt, den ich auch in den Ausblick meiner Arbeit stelle. Das würde allerdings den Rahmer meiner Arbeit sprengen - außerdem wurde Rom ja auch nicht an einem Tag gebaut :) > Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand > berechnet. Das hatte ich vor 15 Jahren noch gemacht. Danach hatte ich > aber 5 Jahre pö-a-pö in SPICE-lernen investiert und es nicht bereut. > Mein Design von 1995 berechnet SPICE bis auf wenige Prozent exakt nach. > Damals hatte ich leider noch keinen Simulatorzugriff und machte alles > per Hand und in langen physikalischen Testreihen. Die dann auch > ordentlich Geld kosteten. Wie soll ich das sonst machen? Einen Hochsetzsteller vom Wirkungsgrad her vermessen mit teuren Messgeräten und dann die Leistungsaufnahme des Treibers in Spice simulieren? Wozu dann überhaupt noch ins Labor gehen... :/
Hans schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Die Verluste im Treiber gehen im Gesamtverlust unter. Daher ist die >> Berechnung witzlos. > Der Vollständigkeit halber möchte ich diese Berechnung allerdings > machen. > Ich bin mir sicher, daß wird in diversen AppNotes behandelt. Mir fällt da eine von Microchip ein: Google liefert mit site:microchip.com MOSFET driver filetype:pdf sofort: http://ww1.microchip.com/downloads/en/appnotes/00799b.pdf Im Prinzip reduziert sich die Schaltung auf einen Kondi mit Vorwiderstand, der über zwei Schalter abwechselnd an unterschiedliches Potential geschaltet wird. Die Größe des Kondi läßt sich aus den DB des MOSFET bestimmen. Stichwort Gate-Charge Diagramm. Vorsicht: Lastabhängig!!!!!!! Die anderen Parameter kommen aus dem DB des MOSFET-Treibers. >> Ein anderer Aspekt ist die Frage, wieviel EMV vs. Wirkungsgrad des >> Wandlers. Es gibt eine optimale Flankensteilheit. > Das ist definitiv ein interessanter Aspekt, den ich auch in den Ausblick > meiner Arbeit stelle. Das würde allerdings den Rahmer meiner Arbeit > sprengen - außerdem wurde Rom ja auch nicht an einem Tag gebaut :) > > >> Ich versteh nicht so recht, wieso man sowas heute noch per Hand > Wie soll ich das sonst machen? Einen Hochsetzsteller vom Wirkungsgrad > her vermessen mit teuren Messgeräten und dann die Leistungsaufnahme des > Treibers in Spice simulieren? Wozu dann überhaupt noch ins Labor > gehen... :/ Genau! Stell dir vor, es gibt Leute wie mich die einfach nur noch simulieren und dann den fertigen Schaltplan samt Erklärung verkaufen. Manches läßt sich schlecht simulieren (wegen diverser Gründe), dann ist halt doch noch Praxis angesagt. Davon gibts dann immernoch mehr als genug ;-)
Abdul... Ich hatte im Anfangspost geschrieben, dass die Kapazität des MOSFETs unbekannt ist, weil er Schalter ein Prototyp ist, für den es kein richtiges Datenblatt gibt. Möchtest du nun also wirklich darüber diskutieren, wie sinnig oder unsinnig es ist, die Leistungsaufnahme des Treibers im Labor messtechnisch zu ermitteln oder ein Spice File zu erstellen? PS: Die Appnote ist aber dennoch nice. Die hatte ich bis dato noch nicht gefunden. Gruß
Nö. Mir scheint ich verbrenne hier Zeit mit dir. Dann erstelle doch ein Datenblatt oder ein SPICE-Modell. Oder messe eben die Leistungaufnahme! Vergeß nicht, da du es ja ganz genau nimmst, daß die Ansteuerung mit dem Sekundärkreis über den MOSFET Energie kommuniziert. Ich habe wirklich genug Tipps gegeben. Ganz sicher werde ich nicht endlose Formeln mit Integralen der nichtlinearen Kapazität aufstellen. Aus dem Spielalter bin ich raus.
Wenn du Tipps zu meinem Anliegen hast oder auf meine Fragen eingehen möchtest, darfst du das gerne tun. Ansonsten ist es in der Tat vergeudete Zeit - für beide von uns. In diesem Sinne...
Theoretische Berechnungen findest du in diversen akademischen Abhandlungen. Bin schon öfters drüber gestolpert. Ich denke nun, daß ist das was du suchst. So ne Art wasserdichte Herleitung für einen Prof. Jenseits barer Anwendungorientierung. Ist nicht meine Welt, ich baue oder entwickle praktische Sachen. Ist gar nicht böse gemeint. Du siehst ja wie wenige dir noch antworten. Die meisten wollen halt möglichst bald fertig sein.
Lieber Abdul, wir beide sind wirklich auf unterschiedlichen Wellenlängen. Ich bin nicht auf der Suche nach irgendwelchen höchst theoretischen Berechnungen oder Herleitungen; warum auch? Dass ich die Treiberleistung vermesse, spricht doch eher für den praktischen Ansatz. Denn letztendlich müssen wir bedenken, dass ich einen unbekannten MOSFET vor mir habe, der angesteuert wird und ich möchte die Treiberleistung ermitteln. Ohne die Parameter der Kapazitäten vom MOSFET ist mir der messtechnische Ansatz mit einem Oszilloskop und ein paar Tastköpfen der einfachste und sicherste Weg - weil er so schön pragmatisch ist. Bevor ich ein vernünftiges Spice Modell erstellt habe, habe ich doch 3 mal die Tastköpfe vom Oszi drangelötet und meine Messungen durchgeführt. Weshalb du so vehement eine Spice Simulation von einem unbekannten MOSFET vorziehst, ist mir ehrlich gesagt schleierhaft. Aber nun gut, das ist deine Ansicht und ich respektiere sie natürlich. Ich für meinen Teil verabschiede mich aus dieser Diskussion, denn Mini Float und Yalu haben bereits meine Fragen beantwortet. Schönen Sonntag noch, Hans
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