Hallo an alle, da ich aus den Einträgen in diversen Internet Enzyklopädien nicht schlau geworden bin, wende ich mich jetzt an die Experten. Ich habe ein grundlegende Frage zu der Funtionsweise von Floating-Gate-Transistoren. Bei "normalen" Transistoren verstehe ich ja, warum sich die Raumladungszone verbreitert oder warum nicht. Hier besteht ja eine direkte elek. Verbindung zu der p-Schicht zwischen den n-Schichten (oder halt umgekehrt bei pnp). Aber wie wird die Zone beeinflusst bei einem Floating-Gate-Transistor? Nur durch das elektrische Feld des geladenen Gates? Dieses Feld ist so stark, dass es die Raumladungszone so stark beeinflusst? Oder funktioniert es auf anderem Weg? Vielen Dank im Voraus, NormalerTyp
Tja - Du schmeist hier bipolare und unipolare Transistoren durcheinander. Da solltest Du erstmal mit den Grundlagen dieser Typen anfangen.
Ja - und Du machst hier einen Vergleich mit bipolaren (npn/pnp) Typen, was ja nicht ganz passend ist.
Ja ich dachte gerade an irgendwas, mit dem ich den pnp oder npn Aufbau zum Vergleich heranziehen kann, sry ;)
im prinzip wird auf dem control-gate ein so hohes e-feld "angelegt/erzeugt", dass ein paar elektronen vom contoll gate ins floating gate tunneln(tunneleffekt). Also flutschen ein paar elektronen, mit relativ energie, durch die isolationsschicht durch. Aber der Floating-Gate-Transistor ist ein FET/MosFET(unipolarer transistor) und kein bipolarer transistor... hier is es nach mal erklärt http://de.wikipedia.org/wiki/Floating-Gate-Transistor und hier noch der tunneleffekt: http://de.wikipedia.org/wiki/Tunneleffekt Feldeffekttransistoren: http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistoren http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET
Aber warum bleibt der Kanal dann dauerhaft leitend, auch wenn keine zusätzlichen Elektronen in das Floating Gate vom Control Gate aus tunneln? Das n geladen Floating Gate hat dann wirklich einen so hohen Einfluss auf den Kanal darunter? Oder funktioniert das Prinzip bloss, weil die Isolationsschicht zwischen p-Substrat und FGate relativ klein ist? NormalerTyp
@NormalerTyp schau dir mal an wie die unipolaren Transitoren funktionieren FET's arbeiten mit spannungen/kapazitäten und nicht mit strömen das foating-gate und der (bulk)/source bilden einen kondensator und je höher das elektischefeld zwischen dem foating-gate und dem bulk/source ist, umsobesser leitet der FET
Danke Axel H. jetzt wo das Stichwort Kondensator gefallen ist, wird mir einiges klar. NormalerTyp
NormalerTyp schrieb: > Aber warum bleibt der Kanal dann dauerhaft leitend, auch wenn keine > zusätzlichen Elektronen in das Floating Gate vom Control Gate aus > tunneln? 1. Der Kanal bleibt nicht dauernd leitend. Das normale Gate wird weiterhin zur Addressierung der Speicherzelle verwendet. 2. die Ladung auf dem floating gate verschiebt die Schwellspannung (Threshold Voltage) des FETs. Wenn keine Ladung auf dem FG ist, dann schaltet der FET beim Lesen nicht durch, weil seine Schwellspannung höher ist als die zum Auslesen angelegte Gatespannung. Erst mit der zusätzlichen Ladung auf den FG reicht die Gatespannung zum Durchschalten des FETs beim Auslesen. Wenn du gern magst, stell dir das FG einfach als einen zweiten Gateanschluß vor, der von einem Kondensator auf fester Spannung gehalten wird. Beim Löschen wird der Kondensator entladen und beim Programmieren werden bestimmte Kondensatoren geladen. XL
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