Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Anfängerfrage zu n-Channel-MOSFET


von Dominik (Gast)


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Hallo,
ich bin noch totaler Anänger und habe mal eine kleine Verständnisfrage 
zu n-Channel-MOSFETs.
Soweit ich es verstanden habe, gibt es ja die Anschlüsse Gate, Drain und 
Source. Drain schließe ich an Masse meines Verbrauchers an, Source an 
Masse der Spannungsquelle und Gate an meinen µC. Über Gate wird der 
Transistor gesteuert. Liegen 0V am Gate an, sperrt der Transistor; lege 
ich 5V an, leitet der Transistor und mein Verbraucher ist durch die 
Spannungsquelle versorgt.

Letztendlich ist dies doch aber nichts weiter als ein Schalter oder?
Jetzt habe ich aber gelesen, dass es Sättigungs-MOSFETS (bin mir bei dem 
Wort nicht mehr sicher); also, dass diese Leistungssteigernd sein 
sollen.

Angenommen ich möchte also einen Motor mit Propeller ansteuern. Ich 
schließe Masse des Motors and Drain an, Soure an Masse meiner externen 
Spannungsquelle, +Pol des Motors an +Pol der externen Spannungsquelle 
und Gate an einen PWM-Anschluss meines µC. Kann ich somit die Leistung 
des Motors kontrollieren; also letztendlich die Geschwindigkeit des 
Propellers?
Brauche ich noch einen Vorwiderstand, wie bei "normalen" Transistoren 
und wenn ja, wo muss ich den einbauen?

Viele Grüße

Dominik

von Georg G. (df2au)


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> Jetzt habe ich aber gelesen, dass es Sättigungs-MOSFETS (bin mir bei dem
> Wort nicht mehr sicher); also, dass diese Leistungssteigernd sein
> sollen.

Dieser Satz kein Verb. Der Sinn erschließt sich mir nicht.

Ansonsten hast du den Aufbau des Leistungsreglers recht gut beschrieben.

Wenn du uns nun noch erklärst, wo genau dein Widerstand hin soll, 
bekommst du auch eine bessere Antwort.

Mal ins Blaue: In Reihe zum Motor würde er nur wertvolle Spannung 
kosten. In Reihe zum Gate würde er die Umladung der nicht unerheblichen 
Gate-Source Kapazität bremsen.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Georg G. schrieb:
> Wenn du uns nun noch erklärst, wo genau dein Widerstand hin soll,
> bekommst du auch eine bessere Antwort.

Ich denke, das spielte auf den Basisvorwiderstand eines Bipolar-
transistors an: nein, wie Georg schrieb, der ist weder notwendig
noch sinnvoll bei einem FET, weil dieser nicht strom- sondern
spannungsgesteuert arbeitet.

von Jens G. (jensig)


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>Jetzt habe ich aber gelesen, dass es Sättigungs-MOSFETS (bin mir bei dem
>Wort nicht mehr sicher); also, dass diese Leistungssteigernd sein
>sollen.

Das müsstest Du uns aber mal einen Link liefern, wo was von Sättigung 
steht.
Ich kann mir allenfalls vorstellen, daß man damit einfach den 
Betriebsbereich eines Mosfets meint, wo er nicht schaltet, sondern 
analog wirkt. Nämlich als (Konstant)Stromquelle. Ist dann der Fall, wenn 
er nicht voll angesteuert wird, so daß er gerade irgendwo zw. gesperrt 
und voll leitend ist.
Tritt auch auf, wenn die 5V am Gate nicht ausreichen, um eine 
stromhungrige Last voll anzusteuern. Dann kann der Mosfet den Strom 
nicht mehr halten (er ist sozusagen satt ;-), und gibt nach. Leider 
verbrät er dabei auch viel Leistung, so daß er dabei kräftig gekühlt 
werden muß (Pv=Uds*Id)

von Dominik (Gast)


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Vielen Dank für eure Antworten.
Das mit dem Sättigungszeug habe ich wohl gänzlich missverstanden und 
wird wohl auf das, was Jens geschrieben hat hinauslaufen (ich schaue 
aber nochmal ob ich den Artikel dazu finde).

Das mit dem Widerstand war auch eher so gemeint, ob ich überhaupt einen 
brauche. Jörg und Georg haben da meine Verwirrung richtig verstanden und 
ich brauche also keinen Widerstand.

Nochmal vielen Dank für eure Hilfe! Dann kann ich mich jetzt mal ans 
anschließen und rumprobieren machen. :)

Viele Grüße

Dominik

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